IGBT原理介绍.pdf

《IGBT原理介绍.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、摘要IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),也称为绝缘栅双极晶体管,是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性及易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点，这使得IGBT成为近年来电力电子领域中尤为瞩目的电力电子驱动器件，并且得到越来越广泛的应用。本文主要介绍了IGBT的结构特性、工作原理和驱动电路，同时简要概括了IGBT模块的选择方法和保护

2、措施等，最后对IGBT的实际典型应用进行了分析介绍，通过对IGBT的学习，来探讨IGBT在当代电力电子领域的广泛应用和发展前景。关键词：IGBT；绝缘栅双极晶体管；MOSFET；驱动电路；电力电子驱动器件目录摘要...................................................................................................................I1前言........................................................

3、.........................................................12IGBT的发展历程.........................................................................................13IGBT的结构特点和工作原理.................................................................24IGBT的驱动电路和保护.............................

4、..............................................44.1IGBT对驱动电路的要求...............................................................44.2IGBT实用的驱动电路....................................................................54.3IGBT的保护措施............................................................

5、.................85IGBT的工作特性.......................................................................................116IGBT模块的选择和测试.........................................................................127IGBT的应用实例..................................................................

6、.....................157.1断路器永磁机构控制器的驱动电路.......................................157.2变频调速系统................................................................................167.3大功率商用电磁炉........................................................................178结论....................

7、...........................................................................................17参考文献..........................................................................................................181前言近年来，新型功率开关器件IGBT已逐渐被人们所认识，IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半

8、导体器件,与以前的各种电力电子器件相比，IGBI、具有以下特点：高