球形CdSe纳米晶的制备及其光电性能.pdf

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1、櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶DOI:10．13290/j．cnki．bdtjs．2017．01．008球形CdSe纳米晶的制备及其光电性能1a1a1a1a1a1b2江瑶瑶，王晶晶，黎燕，钟福新，高云鹏，朱义年，莫德清(1．桂林理工大学a．化学与生物工程学院;b．环境科学与工程学院，广西桂林541006;2．桂林电子科技大学生命与环境科学学院，广西桂林541006)摘要:以Cd(NO3)2和Na2SeSO3的混合液为反应体系，采用液相法(绝氧环境)制备CdSe纳米晶。探讨了Cd与Se摩尔比、Na2EDTA用量、反应温度和反应时间等制

2、备条件对样品在模拟太阳光下光电性能的影响。结果表明，当n(Cd)∶n(Se)=6∶1时，加入25mL0.16mol/LNa2EDTA、在90℃下反应40min所得CdSe纳米晶薄膜具有较高的光电压，其值约为0.3877V。X射线衍射仪(XＲD)、能谱仪(EDS)以及扫描电子显微镜(SEM)表征结果显示，位于25.354°最强衍射峰(111)晶面和60.943°最弱衍射峰(400)晶面处的CdSe纳米晶粒尺寸分别为44.98nm和17.82nm;以Cd元素对CdSe进行归一化处理后，样品中Cd和Se元素原子数分数均为12.42%，质量分数分别为34.77%和24.42%;样品C

3、dSe纳米晶体呈球形，分散均匀，直径约为100nm。关键词:液相法;球形;CdSe纳米晶;光电性能;光电压中图分类号:TN304.2文献标识码:A文章编号:1003－353X(2017)01－0043－07PreparationofSphericalCdSeNanocrystallineandItsPhotoelectricProperties1a1a1a1a1aJiangYaoyao，WangJingjing，LiYan，ZhongFuxin，GaoYunpeng，1b2ZhuYinian，MoDeqing(1．a．CollegeofChemistryandBioengin

4、eering;b．CollegeofEnvironmentalScienceandEngineering，GuilinUniversityofTechnology，Guilin541006，China;2．SchoolofLifeandEnvironmentalSciences，GuilinUniversityofElectronicTechnology，Guilin541006，China)Abstract:TheCdSenanocrystallineswerepreparedbytheliquidphasemethodundertheanaerobicconditionw

5、iththemixedliquorofCd(NO3)2andNa2SeSO3asthereactionsystem．Theinfluencesofthepreparationconditions，suchasthemoleratioofCdtoSe，thedosageofNa2EDTA，thereactiontem-peratureandthereactiontimeonthephotoelectricperformanceofthesampleundersimulatedsunlightwereexplored．TheresultsshowthattheCdSenanocr

6、ystallinesthinfilmreachesthehighestphotovoltageof0.3877Vunderthereactionconditionof90℃for40minwith25mL0.16mol/LNa2EDTAandtheCd∶Semoleratioof6∶1．ThecharacterizationresultsoftheX-raydiffractometer(XＲD)，energydis-persivespectrometer(EDS)andscanningelectronmicroscope(SEM)indicatethatthesizeofth

7、eCdSenanocrystalsatthestrongestdiffractionpeakat25.354°ofthecrystalplane(111)andatthewea-kestdiffractionpeakat60.943°ofthecrystalplane(400)is44.98nmand17.82nm，respectively．AfterthenormalizationoftheatomicpercentageofCd，theatomicpercentageofCdandSeareallt