版图设计基础new.ppt

《版图设计基础new.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、第四章版图设计基础版图(Layout)是集成电路设计者将设计并模拟优化后的电路转化成的一系列几何图形，它包含了集成电路尺寸大小、各层拓扑定义等有关器件的所有物理信息。集成电路制造厂家根据这些信息来制造掩膜。版图设计的概念版图是包含集成电路的器件类型、器件尺寸、器件之间的相对位置及各个器件之间的连接关系等相关物理信息的图形，这些图形由位于不同绘图层上的基本几何图形构成。版图设计（物理层设计）版图设计的重要性：集成电路设计的最终目标电路功能和性能的物理实现；布局、布线方案决定着芯片正常工作、面积、速度；经验很重要。版图设计的

2、目标：实现电路正确物理连接，将设计好的电路映射到硅片上进行生产。芯片面积最小，性能优化（连线总延迟最小）版图设计包括：基本元器件版图设计；布局和布线；版图检验与分析。版图设计过程版图设计主要包括模块设计、芯片规划、布局、布线等，是一个组合规划和巧拼图形的工作。在一个规则形伏（一般为长方形）平面区域内不重叠地布局多个模块（亦称部件），在各模块之间按电路连接信息的要求逐行布线。版图设计是从逻辑信息向几何信息的转换。版图设计过程（一）模块设计芯片设计中最小的单位是元件，设计过程从元件，门，基本单元，宏单元，芯片，从小到大进行。

3、基本单元和宏单元可视为模块。模块设计是最基本的环节。（二）芯片规划根据已知的模块数量和线网连接表来估算芯片面积，其中模块大约占用一半，另一半用来作为布线通道。三）布局布局是指如何把各个模块合理地排布在芯片上，怎样确定每个模块的最佳位置，以使占用芯片面积为最小且布线结果又最好。版图设计过程（四）布线模块位置确定之后，把各个模块的相应端口按一定的规则和电路的要求，用互连线连接起来。布线应达到下列要求：布线的总长度最短；分布均匀；布通率尽可能达到100％。布线的优劣决定电路的工作速度和芯片面积大小。决定VLSI芯片工作速度的主

4、要因素，实际上往往不是MOS或双极晶体管本身，而是互连线造成的延迟。过长的互连线使电路性能降低。当自动布线难以达到100％的布通率时，可用人机交互方式进行人工干涉。绘图层版图设计师所需绘制版图的分层数目已经减小到制版工艺所要求的最小数目，这个最小数目的层称为绘图层。绘图层数目的最小化，降低了CAD软件的计算需求，减小了人为错误并简化了分层管理，生成光学掩膜的掩膜层或者分层的形状有时会和绘图层不同掩膜层的层数可能比绘图层多很多。附加的掩膜层是从绘图层中自动生成的。为了适应制造工艺的变化，掩膜层的尺寸可能会根据绘图层做一定的

5、调整。这个调整会由制版工艺自动生成。所提到的“层”，都是指绘图层绘图层N阱层（NWell）有源区层（Active）多晶硅栅层（Poly）P选择层（PSelect）N选择层（NSelect）接触孔层（Contact）通孔层（Via）金属层（Metal）文字标注层（Text）焊盘层（Pad）N阱层（Nwell）“N阱”用来确定N型衬底的区域。有源区层（Active）有源区是晶体管的源区和漏区建立的基础源区和漏区是通过多晶硅栅两旁的有源区来确定，有源区旁的场氧化区起隔离作用。N选择层和P选择层（Nselect、Pselect）

6、MOS晶体管有源区是通过将N型杂质离子或P型杂质离子注入到N选择层或P选择层掩膜定义的衬底的区域中形成，所以N选择层或P选择层用来定义覆盖包含有源区的区域N选择层（P选择层）和有源区共同形成了扩散区（ndiff或diff，又称N+或P+）多晶硅栅层栅极通常用多晶硅来进行沉积。多晶硅还可以用来生成电阻互连，电阻较大，仅用于内部单元，防止走线太长而增加电阻值金属层金属层在集成电路芯片中起到互连的作用金属层数的多少表示了集成电路芯片的复杂程度在版图设计中，金属层用线条来表示，线条拐角可以是90也可以是45，不同金属通常用M1、

7、M2、M3等来表示，并用不同的颜色的线条来进行区别用来进行电源线和地线的布线。在布电源线的时候，金属线条的宽度通常要大于设计规则中定义的最小宽度，防止电流过大将金属线条熔断，造成断路现象接触孔层和通孔层接触孔包括有源区接触孔（ActiveContact）和多晶硅接触孔（polycontact）有源区接触孔用来连接第一层金属和N+或P+区域，在版图设计中有源区接触孔的形状通常是正方形。应该尽可能多地打接触孔，这是因为接触孔是由金属形成，存在一定的阻值，假设每个接触孔的阻值是R，多个接触孔相当于多个并联的电阻多晶硅接触孔：用

8、来连接第一层金属和多晶硅栅，其形状通常也是正方形通孔：用于相邻两金属层的连接，其形状也是正方形。在面积允许的情况下应尽可能多的打通孔在版图设计中，接触孔只有一层，而通孔可能需要很多层。连接第一层和第二层金属的通孔表示为V1，连接第二层和第三层金属的通孔表示为V2文字标注层用于版图中的文字标注，目的是方便设计者对器件、