电子电路基础WORD版.doc

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1、通信电子电路基础关于本课程第一章半导体器件§1-1半导体基础知识§1-2PN结§1-3二极管§1-4晶体三极管§1-5场效应管第二章基本放大电路§2-1晶体三极管基本放大电路§2-2反馈放大器的基本概念§2-3频率特性的分析法§2-4小信号选频放大电路§2-5 场效应管放大电路第三章模拟集成电路§3－1恒流源电路§3－2差动放大电路§3－3集成运算放大电路§3－4集成运放的应用§3－5  限幅器（二极管接于运放输入电路中的限幅器）§3－6   模拟乘法器第四章功率放大电路§4－1功率放大电路的主要特点§4－2 乙类功率放大电路§4－3 丙类功率放大电路§4－4 丙类谐振倍频电路第五章 正

2、弦波振荡器§5－1 反馈型正弦波振荡器的工作原理§5－2LC正弦波振荡电路§5－3LC振荡器的频率稳定度§5－4石英晶体振荡器§5－5RC正弦波振荡器第六章 线性频率变换 ──振幅调制、检波、变频§6－1 调幅波的基本特性§6－2 调幅电路§6－3 检波电路§6－4 变频第七章  非线性频率变换──角度调制与解调       §7－1概述       §7－2调角信号分析       §7－3调频及调相信号的产生       §7－4频率解调的基本原理和方法第八章 反馈控制电路§8－1自动增益控制（AGC）§8－2自动频率控制（AFC）§8－3自动相位控制（APC）PLL第一章半导体器件

3、§1-1半导体基础知识§1-2PN结§1-3二极管§1-4晶体三极管§1-5场效应管§1-1半导体基础知识一、什么是半导体  半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。（导电能力即电导率） （如：硅Si锗Ge等＋4价元素以及化合物）二、半导体的导电特性  本征半导体――纯净、晶体结构完整的半导体称为本征半导体。  硅和锗的共价键结构。（略）1、 半导体的导电率会在外界因素作用下发生变化·掺杂──管子·温度──热敏元件·光照──光敏元件等2、 半导体中的两种载流子──自由电子和空穴·自由电子──受束缚的电子          （－）·空穴   ──电子跳走以后留下的坑  （＋）三、杂质

4、半导体──N型、P型 （前讲）掺杂可以显著地改变半导体的导电特性，从而制造出杂质半导体。·N型半导体（自由电子多）  掺杂为＋5价元素。如：磷；砷P──＋5价使自由电子大大增加  原理：Si──＋4价P与Si形成共价键后多余了一个电子。载流子组成：o本征激发的空穴和自由电子──数量少。o掺杂后由P提供的自由电子──数量多。o空   穴──少子o自由电子──多子·P型半导体    （空穴多）掺杂为＋3价元素。如：硼；铝使空穴大大增加  原理：Si──＋4价B与Si形成共价键后多余了一个空穴。B──＋3价  载流子组成：o本征激发的空穴和自由电子──数量少。o掺杂后由B提供的空   穴──数

5、量多。o空   穴──多子o自由电子──少子结论：N型半导体中的多数载流子为自由电子；P型半导体中的多数载流子为空穴。§1-2PN结一、PN结的基本原理1、 什么是PN结 将一块P型半导体和一块N型半导体紧密第结合在一起时，交界面两侧的那部分区域。2、 PN结的结构分界面上的情况：P区：空穴多N区：自由电子多扩散运动：多的往少的那去，并被复合掉。留下了正、负离子。（正、负离子不能移动）留下了一个正、负离子区──耗尽区。由正、负离子区形成了一个内建电场（即势垒高度）。方向：N-->P大小：与材料和温度有关。（很小，约零点几伏）漂移运动：由于内建电场的吸引，个别少数载流子受电场力的作用与多子

6、运动方向相反作运动。结论：在没有外加电压的情况下，扩散电流和漂移电流的大小相等，方向相反。总电流为零。二、PN结的单向导电特性 1、 外加正向电压时：（正偏） 结论：势垒高度¯PN结宽度（耗尽区宽度）¯扩散电流 2、 外加反向电压时：（反偏） 结论：势垒高度PN结宽度（耗尽区宽度）扩散电流（趋近于0）¯此时总电流＝反向饱和电流（漂移电流）：I5注：反向饱和电流I5只与温度有关，与外加电压无关。【PN结的反向击穿】：·齐纳击穿：势垒区窄，较高的反向电压形成的内建电场将价电子拉出共价键，导致反向电流剧增。<4V·雪崩击穿：势垒区宽，载流子穿过PN结时间长，速度高，将价电子从共价键中撞出来，撞

7、出来的电子再去撞别的价电子，导致反向电流剧增。>7V  当反向电压在4V和7V之间的时候，两种击穿均有。【PN结的电容效应】：·势垒电容：外加电压变化引起势垒区宽窄的变化引起。它与平行板电热器在外加电压作用下，电容极板上积累电荷情况相似。对外等效为非线性微变电容。（反偏减小，正偏增大）·扩散电容：当PN结外加正向电压时，由于扩散作用，从另一方向本方注入少子，少子注入后，将破坏半导体的电中性。为了维持电中性，将会有相同数量的异性载流子