电子电路基础.doc

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1、单项选择题5、图示电路是（B）电路。A．微分电路B．积分电路C．指数电路D．对数电路16、图示电路是（A）电路。A．微分电路B．积分电路C．指数电路D．对数电路7、电路如题图所示，电路引入(B)负反馈。（2分）A．电压串联B．电压并联C．电流串联D．电流并联11、电路如题图所示，电路引入(  C)负反馈。A．电压串联B．电压并联C．电流串联D．电流并联12、电路如题图所示，电路引入( D )负反馈。A．电压串联B．电压并联C．电流串联D．电流并联13、电路如题图所示，电路引入(B)负反馈。A．电压串联B．电压并联C．电流串联D．电流并联14、电路如题图所示，电路引入(A)负反馈。A．电压串联B

2、．电压并联C．电流串联D．电流并联6、电路如题图所示，电路引入(  B)负反馈。A．电压串联B．电压并联C．电流串联D．电流并联1、当PN结外加正向电压时，内外电场方向（A）。A．相反B．相同C．不确定2、当温度升高时，二极管的反向饱和电流（A）。A．增大B．减小C．不变D．无法判定3、基本微分电路的电容器接在运放电路的（C）。A．反向输入端B．同向输入端C．反向端与输出端之间D．输出端4、负反馈使放大电路增益下降，增益稳定性(A  )。A．提高B．下降C．不变D．不确定6、锗二极管的死区电压是（A）。（2分）A．0.1~0.2VB．0.5VC．0.7VD．0.6V9、在本征半导体中掺入5价元

3、素就成为（B）型半导体。A．P型半导体B．N型半导体C．PN结D．纯净半导体10、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（C）负反馈。A．电流负反馈B．电压负反馈C．直流负反馈D．交流负反馈14、在固定偏置放大电路中，调大偏置电阻Rb的数值，容易出现（B）失真。A．饱和B．截止C．低频D．交越15、欲将方波转换成三角波，应选用（B）。A．微分运算电路B．积分运算电路C．差分输入运算电路D．乘法电路16、当PN结外加反向电压时，扩散电流（B）漂移电流，耗尽层变宽。A．大于B．小于C．等于D．不确定17、在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（C）（2分）A．晶体缺陷B．温度C．杂质浓度D．掺杂工

4、艺18、二极管两端电压大于（B）时，二极管才导通。（2分）A．击穿电压B．死区电压C．饱和电压D．放大电压19、在固定偏置放大电路中，调小偏置电阻Rb的数值，将使静态工作点（A）。（2分）A．升高B．降低C．不变D．不定20、负反馈使放大电路增益( A)。（2分）A．增大B．下降C．不变D．不确定3、基本积分电路的电容器接在运放电路的（C）。A．反向输入端B．同向输入端C．反向端与输出端之间D．输出端6、要提高放大电路的输出电阻，可采用（A）A．电流B．电压C．直流D．交流9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（A）。（2分）A．大B．.小C．相等D．无法判定12、PN结具有（B）导电特性。A

5、．双向B．单向C．不确定13、在放大电路的耦合方式中，（B）低频特性最好。（2分）A．变压器耦合B．直接耦合C．阻容耦合D．光电耦合14、当温度升高时，二极管的反向饱和电流（A）。（2分）A．增大B．减小C．不变D．无法判定15、影响放大器高频特性的原因是（C）。（2分）A．极间耦合电容B．发射极旁路电容C．三极管结电容D．温度18、集成运算放大器采用耦合方式是（B）（2分）A．变压器耦合B．直接耦合C．阻容耦合D．光电耦合19、在固定偏置放大电路中，当RC、RB的参数分别为（B）时，该电路的静态工作点处在放大区。设三极管的β=100。（2分）A．5.6kΩ、10kΩB．5.6kΩ、510kΩ

6、C．5.6kΩ、10MΩD．100kΩ、1MΩ1、N型半导体可以在纯净半导体中掺入(C)价元素实现。（2分）A．3B．4C．5D．64、测得三极管发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于(  B)（2分）A．放大状态B．截止状态C．饱和状态D．击穿状态8、 PNP型晶体管工作在放大区时，三个电极直流电位关系为（C）（2分）A．UC

7、电压并联C．电流串联D．电流并联9、在开关型稳压电路中，调整管工作在（D）状态。A．放大B．饱和C．截止D．开关12、要提高放大电路的输入电阻，可采用（A）A．串联B．并联C．电流D．电压13、影响多级放大器低频特性的原因是（A）。（2分）A．极间耦合电容B．三极管放大倍数C．三极管结电容D．温度15、稳压二极管在正常稳压工作时是处于（B）工作区间。A．正向导通B．反向击穿C．反向截止D．正向死区