实验报告芯片解剖实验.doc

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1、.电子科技大学成都学院（微电子技术系）实验报告书课程名称：芯片解剖实验学号：姓名：教师：word范文.年6月28日实验一去塑胶芯片的封装实验时间：同组人员：一、实验目的1.了解集成电路封装知识，集成电路封装类型。2.了解集成电路工艺流程。3.掌握化学去封装的方法。二、实验仪器设备1：烧杯，镊子，电炉。2：发烟硝酸，弄硫酸，芯片。3：超纯水等其他设备。三、实验原理和内容实验原理：1..传统封装：塑料封装、陶瓷封装（1）塑料封装（环氧树脂聚合物）双列直插DIP、单列直插SIP、双列表面安装式封装SOP、四边形扁平封装

2、QFP具有J型管脚的塑料电极芯片载体PLCC、小外形J引线塑料封装SOJ（2）陶瓷封装具有气密性好，高可靠性或者大功率A.耐熔陶瓷（三氧化二铝和适当玻璃浆料）：针栅阵列PGA、陶瓷扁平封装FPGB.薄层陶瓷：无引线陶瓷封装LCCCword范文.2..集成电路工艺（1）标准双极性工艺（2）CMOS工艺（3）BiCMOS工艺3.去封装1．陶瓷封装一般用刀片划开。2.塑料封装化学方法腐蚀，沸煮。（1）发烟硝酸煮（小火）20~30分钟（2）浓硫酸沸煮30~50分钟实验内容：去塑胶芯片的封装四、实验步骤1.打开抽风柜电源，

3、打开抽风柜。2.将要去封装的芯片（去掉引脚）放入有柄石英烧杯中。3.带上塑胶手套，在药品台上去浓硝酸。向石英烧杯中注入适量浓硝酸。（操作时一定注意安全）4.将石英烧杯放到电炉上加热，记录加热时间。（注意：火不要太大）5.观察烧杯中的变化，并做好记录。6.取出去封装的芯片并清洗芯片，在显微镜下观察腐蚀效果。7.等完成腐蚀后，对废液进行处理。word范文.五、实验数据1：开始放入芯片，煮大约2分钟，发烟硝酸即与塑胶封转起反应，此时溶液颜色开始变黑。2：继续煮芯片，发现塑胶封装开始大量溶解，溶液颜色变浑浊。3：大约二十

4、五分钟，芯片塑胶部分已经基本去除。4：取下烧杯，看到闪亮的芯片伴有反光，此时芯片塑胶已经基本去除。六、结果及分析1：加热芯片前要事先用钳子把芯片的金属引脚去除，因为此时如果不去除，它会与酸反应，消耗酸液。2：在芯片去塑胶封装的时候，加热一定要小火加热，因为发烟盐酸是易挥发物质，如果采用大火加热，其中的酸累物质变会分解挥发，引起容易浓度变低，进而可能照成芯片去封装不完全，或者去封装速度较慢的情况。3：通过实验，了解了去塑胶封装的基本方法，和去封装的一般步骤。word范文.实验二金属层芯片拍照实验时间：同组人员：一、

5、实验目的1．学习芯片拍照的方法。2．掌握拍照主要操作。3.能够正确使用显微镜和电动平台word范文.二、实验仪器设备1：去封装后的芯片2：芯片图像采集电子显微镜和电动平台3：实验用PC，和图像采集软件。三、实验原理和内容1：实验原理根据芯片工艺尺寸，选择适当的放大倍数，用带CCD摄像头的显微镜对芯片进行拍照。以行列式对芯片进行图像采集。注意调平芯片，注意拍照时的清晰度。2：实验内容采集去封装后金属层照片。四、实验步骤1.打开拍照电脑、显微镜、电动平台。2.将载物台粗调焦旋钮逆时针旋转到底（即载物台最低），小心取下

6、载物台四英寸硅片平方在桌上，用塑料镊子小心翼翼的将裸片放到硅片靠中心的位置上，将硅片放到载物台。3.小心移动硅片尽量将芯片平整。4.打开拍照软件，建立新拍照任务，选择适当倍数，并调整到显示图像。（此处选择20倍物镜，即拍200倍照片）5.将显微镜物镜旋转到最低倍5X，慢慢载物台粗调整旋钮使载物台慢慢上升，直到有模糊图像，这时需要小心调整载物台位置，直至看到图像最清晰。6.观察图像，将芯片调平（方法认真听取指导老师讲解）。10.观测整体效果，观察是否有严重错位现象。如果有严重错位，要进行重拍。word范文.11.保

7、存图像，关闭拍照工程。12.将显微镜物镜顺时针跳到最低倍(即：5X）。13.逆时针旋转粗调焦旋钮，使载物台下降到最低。14.用手柄调节载物台，到居中位置。15.关闭显微镜、电动平台和PC机。五、实验数据采集后的芯片金属层图片如下：六、结果及分析1：实验掌握了芯片金属层拍照的方法，电动平台和电子显微镜的使用，熟悉了图像采集软件的使用方法。2：在拍摄金属层图像时，每拍完一行照片要进行检查，因为芯片有余曝光和聚焦的差异，可能会使某些照片不清晰，对后面的金属层拼接照成困难。所以拍完一行后要对其进行检查，对不符合标准的照片

8、进行重新拍照。word范文.3：拍照是要保证芯片全部在采集视野里，根据四点确定一个四边形平面，要确定芯片的四个角在采集视野里，就可以保证整个芯片都在采集视野里。4：拍照时的倍数选择要与工程分辨率保持一致，过大或过小会引起芯片在整个视野里的分辨率，不能达到合适的效果，所以采用相同的倍数，保证芯片的在视野图像大小合适。实验三金属层图像拼接实验时间：同组人员：一、实验目的1．掌