3-3 chenyu.ppt

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1、ClassExerciseVCCOUTENA1、Analysethelogicrelationshipbetweentheinputandoutputofthecircuitbelow.1Answerkey2CMOSSteady-StateElectricalBehavior(CMOS稳态电气特性)LogicLevels(逻辑电压电平)NoiseMargin(噪声容限)高态不正常状态低态VOLmaxVILmaxVIHminVOHminReviewoflassclass3VOUT=0VCC=+5.0VRThevVThev+VCC=+5.0V

2、RThevVThev+VOUT=1CircuitBehaviorwithResistiveLoads(带电阻性负载的电路特性)保证提供或吸收的电流小于门电路的规定值OutputBehaviorGetWorsewithaload(负载导致输出特性变坏)SinkingcurrentSourcingcurrentReviewoflassclass4非理想输入时的电路特性输入偏离供电轨道,输出电压变坏VDD=+5.0VVOUTVINTpTnCurrentSpikesandDecouplingCapacitors(电流尖峰和去耦电容器)iDvI12

3、VDDReviewoflassclass5Fan-Out(扇出)当输出负载大于它的扇出能力时??输出特性变差电流,功耗,温度升高传输延迟、转换时间变长UnusedInputs(不用的CMOS输入端如何处理??)Reviewoflassclass6EXAMPLE2(P107)73.6CMOSDynamicElectricalBehavior(CMOS动态电气特性)ConsiderTwoFactors:SpeedandPower-Consumption(考虑两个方面:速度、功耗)TransitionTime(转换时间)Propagatio

4、nDelay(传播延迟)Reviewoflassclass8TransitionTime(转换时间)ConsiderTwoFactors(考虑两个因素):“On”TransistorResistance(晶体管的“导通”电阻)StrayCapacitance(寄生电容)VCC=+5.0VRLRpRnVL+CLFigure3-36RiseTime(上升时间tr)FallTime(下降时间tf)Reviewoflassclass9VCC=+5.0VRLRpRnVL+CL电容两端电压不能突变WhenworkingwithRealdigitalc

5、ircuit,theTransitionTimeapproximatelyEqualstheRCtimeConstant(在实际电路中可用时间常数近似转换时间)TransitionTime(转换时间)RiseTime(上升时间tr)FallTime(下降时间tf)Reviewoflassclass10PropagationDelay(传播延迟)VINVOUTSignalPath:ElecticalPathfromaParticularInputSignaltoaParticularOutputSignalofaLogicElement.(

6、信号通路:一个特定输入信号到逻辑元件的特定输出信号所经历的电气通路。)Reviewoflassclass11PowerConsumption(功率损耗)VDD=+5.0VVOUTVINTpTnStatic/QuiescentPowerDissipationandDynamicPowerDissipation(分为:静态功耗、动态功耗)CLReviewoflassclass12PowerConsumption(功率损耗)两个管子瞬间同时导通产生的功耗PT对负载电容充、放电所产生的功耗PLVDD=+5.0VVOUTVINTpTnSourceo

7、fDynamicPowerDissipation(动态功耗的来源):CLReviewoflassclass13动态功耗的来源:两个管子瞬间同时导通产生的功耗PT对负载电容充、放电所产生的功耗PLVCC的大小输入波形的好坏输入信号频率负载电容输入信号频率(VCC)2PowerConsumption(功率损耗)Static/QuiescentPowerDissipationandDynamicPowerDissipation(分为:静态功耗、动态功耗)Reviewoflassclass143.7OtherCMOSInputandOutputS

8、tructures(其他CMOS输入输出结构)(P129)15TransmissionGates(传输门)WhenEN=0,EN_L=1,TransistorOff,A,BOff(晶体管截止,

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