单结晶体管及触发电路.ppt

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1、单结晶体管单结晶体管及触发电路河南工业职业技术学院设计者：天行健yuzzh1．单结晶体管（1）单结晶体管的结构（a）结构（b）等效电路（c）图形符号（d）外形管脚排列（1）单结晶体管的结构触发电路常用的国产单结晶体管的型号主要有BT31，BT33，BT35，其外形与管脚排列。发射极e第一基极b1第二基极b22）单结晶体管的伏安特性单结晶体管的伏安特性：当两基极b1和b2间加某一固定直流电压时，发射极电流与发射极正向电压Ue之间的关系曲线称为单结晶体管的伏安特性＝f（Ue）。（a）单结晶体管实验电路（b）单结晶体管伏安特性（c）特性曲线族2）单结晶体管的伏安特性①截止区—

2、—aP段当开关Q闭合，电压Ubb通过单结晶体管等效电路中的rbl和rb2分压，得A点电位UA，可表示为式中η——分压比，是单结晶体管的主要参数，η一般为0．3～0．9。②负阻区——PV段③饱和区——VN段2）单结晶体管的伏安特性单结管的导通条件：单结管的关断条件：Ue>UpUe

3、结晶体管张驰振荡电路波形图3单结晶体管触发电路1）单结晶体管触发电路，是由同步电路和脉冲移相与形成两部分组成的。2）同步电路触发信号和电源电压在频率和相位上相互协调的关系叫同步。同步电路由同步变压器、桥式整流电路VD1～VD4、电阻R1及稳压管组成。触发电路单结晶体管触发电路单结晶体管同步电路脉冲移相电路脉冲形成环节触发脉冲的要求A、要有足够大的功率，保证能够可靠触发B、要有一定的脉冲宽度C、前沿要陡峭，保证准确度D、必须同步E、必须在主电路要求的移相范围内移相3．单结晶体管触发电路3）波形分析单结晶体管触发电路的调试以及在今后的使用过程中的检修主要是通过几个点的典型波

4、形来判断个元器件是否正常。①桥式整流后脉动电压的波形将探头的测试端接于“A”点，接地端接于“E”点，测得波形。（a）实测波形（b）理论波形3．单结晶体管触发电路②、削波后梯形波电压波形将探头的测试端接于“B”点，测得B点的波形（a）实测波形（b）理论波形（2）脉冲移相与形成1）电路组成脉冲移相由电阻RE和电容C组成，脉冲形成由单结晶体管、温补电阻R3、输出电阻R4组成。改变张驰振荡电路中电容C的充电电阻的阻值，就可以改变充电的时间常数，图中用电位器RP来实现这一变化，例如：RP↑→τC↑→出现第一个脉冲的时间后移→α↑→Ud↓（2）脉冲移相与形成2）波形分析①、电容电压

5、的波形将探头的测试端接于“C”点（a）实测波形（b）理论波形半个周期（2）脉冲移相与形成调节电位器RP的旋钮，观察C点的波形的变化范围。②、输出脉冲的波形将探头的测试端接于“D”点（a）实测波形（b）理论波形调节电位器RP的旋钮，观察D点的波形的变化范围。3．触发电路各元件的选择（1）、充电电阻的选择改变充电电阻的大小，就可以改变张驰振荡电路的频率，但是频率的调节有一定的范围，如果充电电阻选择不当，将使单结晶体管自激振荡电路无法形成振荡。充电电阻的取值范围为：其中：——加于图中B-E两端的触发电路电源电压——单结晶体管的谷点电压——单结晶体管的谷点电流——单结晶体管的峰

6、点电压——单结晶体管的峰点电流（2）、电阻的选择电阻是用来补偿温度对峰点电压的影响，通常取值范围为：200～600。（3）、输出电阻的选择输出电阻的大小将影响将影响输出脉冲的宽度与幅值，通常取值范围为：50～100。（4）、电容C的选择电容C的大小与脉冲宽窄和的大小有关，通常取值范围为：0.1～1。顺序控制电路（应用图集3.3）工业生产中常有如此情况，即一道工序接一道工序轮流操作，当最后一道工序完成后，又开始重复以上工序，每道工序又需要控制一定时间，即可以用时间继电器自动操作。