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1、中国计量学院2007~2008学年第一学期《微机原理及其应用》课程考试试卷（A）开课二级学院：质量与安全工程学院，考试时间：2008年_1_月_7_日18时考试形式：闭卷√、开卷□，允许带计算器入场装订线考生姓名：学号：专业：产品质量工程班级：05题序一二三四五六七八九总分得分评卷人一．单选题（每题2分，共20分）1.十进制数115其对应的十六进制可表示为（）A、8FHB、73HC、8、8EHD、7EH2.8031复位后，PC与SP的值为（）A、0000H，00HB、0000H，07HC、0003
2、H，07HD、0800H，00H3.提高单片机的晶振频率，则机器周期（）A、不变B、变长C、变短D、不定4.8051的内部RAM中，可以进行位寻址的地址空间为（）A、00H~2FHB、20H~2FHC 、00H~1FHD、20H~FFH5.8051单片机共有（）个中断源 A、4B、5C、6D、76.下列指令中不影响标志位CY的指令有（）A、ADDA，20HB、CLRC、RRCAD、INCA7.指令和程序是以（）形式存放在程序存储器中A、源程序B、汇编程序C、二进制编码D、BCD码8
3、.8031的P0□，当使用外部存储器时它是一个（）A、高8位地址□B、低8位地址□C、低8位数据□D、低8位地址/数据总线□9.执行MOVCA,@A+PC时，WR、RD脚的电平为()A、WR高电平，RD高电平B、WR低电平，RD高电平C、WR高电平，RD低电平D、WR低电平，RD低电平10.当标志寄存器PSW的RS1和RS0分别为1和0时，则当前工作寄存器组R0～R7的地址为（）A.20H～2FHB.10H～17HC.00H～07HD.30H～3FH中国计量学院2007~~~2008学年第一学期《微机原
4、理及其应用》课程试卷（A）第7页共5页一．填空题（每空1分，共22分）1.MCS-51单片机的三总线结构是指、、。2.在ALE的高电平期间，P0口上一般出现信息，在ALE低电平期间，P0口上一般出现和信息。3.P1口用作输入口时，对应的口锁存器必须先。4.对系统堆栈区的操作，必须遵循的原则。5.8032单片机访问高128字节RAM采用寻址方式，访问特殊功能寄存器采用寻址方式。6.一个基准电压为5V的8位AD，其最小能够分辨的输入电压为
5、。7.一个RAM芯片的地址线为A0～A13，则其存储容量为，其最后一个存储单元的基本地址为。8.已知系统晶振为12MHz,T0在方式1下工作，如要产生50ms定时中断，则T0的计数初值应设为。9.已知（SP）=60H，（DPTR）=3456H，在执行下列指令后，i.PUSHDPHii.PUSHDPL（SP）=___，内部RAM（61H）=____。10.如执行下面程序后，则（DPTR）=,（SP）=,片内（52H）＝。i.MOVSP,#50Hii.MOVDPTR,#6000Hiii.MOVXA,@DPTRiv
6、.PUSHDPLv.PUSHDPHvi.MOVDPTR,#7FFFHvii.MOVX@DPTR,A11.已知(A)=128,（R2）＝130,则执行ADDA,R2后，A=，CY=,OV=。二．程序题（每题6分，共18分）1．下面程序实现将片内30H~37H单元的数据通过查表送外部数码管显示，分析程序是否正确，如有错误请找出并修改正确。MOVR1,#30HMOVR7,#08HMOVDPTR,#LEDTABDISPLAY:MOVA,@R1MOVX@DPTR,AINCDPTRINCADJNZR7,DISPLAYSJ
7、MP$LEDTAB:DB……;0～9数字段码表中国计量学院2007~~~2008学年第一学期《微机原理及其应用》课程试卷（A）第7页共5页2．内部RAM从LIST单元开始存放一单字节正数表，表中之数作无序排列，并以-1作结束标志。编程实现表中找出最小值。FIND:MOVR0，#LISTMOVA，@R0MOVMIN，A装订线LOOP5：INCR0MOVA，@R0________，LOOP3RETLOOP3：CJNEA，MIN，LOOP1LOOP1：________LOOP2MOVMIN，ALOOP2：SJMPL
8、OOP53．下面程序将片内30H单元内的2个BCD数相乘，乘积为BCD数，并把乘积送入31H单元，请把程序填写完整。BCDEQU99HSTART:MOV30H,#BCDMOVA,30HMOVB,AMOVA,30HANLA,#0F0HMULABMOVB,#0AHDIVABMOVR1,BSWAPAMOV31H,ASJMP$四．综合题（共40分）1.编写一段程序，统计片外数据存储器2000H—20FFH中
