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1、中国计量学院200JZ_-200_8_学年第一学期微机原理及其应用》课程考试试卷（A）开课二级学院：质量与安全工程学院，考试时间：2008年1月Z日18时考试形式：闭卷V、开卷口，允许带计算器入场考生姓名：学号：专业：产品质量工程班级：_05题序—'二三四五六七八九总分得分评卷人.单选题（每题2分，共20分）1.十进制数H5其对应的十六进制可表示为（）A、8FHB、73HC、8、8EHD、7EH2.8031复位后，PC与SP的值为（）A、0000H,OOHB、0000H,07HC、0003H,07HD、0800H,00H3.提高单片机的晶振频率，则机器周期（）A、不变B、变长C、变短D、不定4
2、.8051的内部RAM中，可以进行位寻址的地址空间为（）A、00H〜2FHB、20H〜2FHC、00H〜1FHD、20H〜FFH5.8051单片机共有（）个中断源A、4巳、5C、6D、76.下列指令屮不影响标志位CY的指令有（）D、INCAA、ADDA，20HB、CLRC、RRCA7.指令和程序是以（）形式存放在程序存储器中A、源程序B、汇编程序C、二进制编码D、BCD码线•8.8031的P0口，当使用外部存储器时它是一个（）A、高8位地址口B、低8位地址口C、低8位数据□D、低8位地址/数据总线口A、WR高电平，RD高电平B、WR低电平，RD高电平C、WR高电平，RD低电平D、WR低电平，R
3、D低电平10.当标志寄存器PSW的RS1和RS0分别为1和0时，则当前工作寄存器组R0〜R7的地址为（）A.20H〜2FH巳.10H〜17HC.00H〜07HD.30H〜3FH二.填空题（每空1分，共22分）1.MCS-51单片机的三总线结构是指、、。2.在ALE的高电平期间，P0门上一般出现信息，在ALE低电平期间，P0口上一般出现和信息。3.P1口用作输入口时，对应的口锁存器必须先。4.对系统堆栈区的操作，必须遵循的原则。5.8032单片机访问高128字节RAM釆用寻址方式，访问特殊功能寄存器采用寻址方式。6.—个基准电压为5V的8位AD,其最小能够分辨的输入电压为。7.—个RAM芯片的地
4、址线为A0〜A13,则其存储容量为，其最后一个存储单元的基本地址为o8.已知系统晶振为12MHz,T0在方式1下工作，如要产生50ms定时屮断，则T0的计数初值应设为。9.已知（SP）=60H,（DPTR）=345611,在执行下列指令后，i.PUSHDPHii.PUSHDPL（SP）=，闪部RAM（61H）=o10.如执行下而程序后，则（DPTK）=，（SP）=,片内（52H）=。i.MOVSP，#50H••11.MOVDPTR，#6000H••參111.MOVXA，@DFTRiv.PUSHDPLV.PUSHDPHvi.MOVDPTR,#7FFFH礬•Vll.MOVX@DPTR,A11.已知
5、（A）=128，（R2）=130,则执行ADDA，R2后，A=，CY=,0V=。三.程序题（每题6分，共18分）1.下面程序实现将Pf内30H'37H单元的数据通过查表送外部数码管显示，分析程序是否正确，如有错误请找出并修改正确。MOVRl,#30HMOVR7，#08HMOVDPTR,#LEDTABDISPLAY:MOVA,@R1MOVX@DPTR,AINCDPTRINCADJNZR7,DISPLAYSJMP$LRDTAB:DB;O〜9数字段码表1.内部RAM从LIST单元开始存放一单字节正数表，表中之数作无序排列，并以-1作结束标志。编程实现表中找出最小值。FIND:MOVRO,#LISTM
6、OVA,@R0MOVMIN,ALOOP5：INCROMOVA,@R0，LOOP3RETLOOP3：CJNEA,MIN,LOOP1LOOP1：LOOP2MOVMIN,AL00P2：SJMPLOOP52.下面程序将片内3011单元内的2个BCD数相乘，乘积为BCD数，并把乘积送入3111单元，请把程序填写完整。BCDEQU99HSTART:MOV30H,#BCDMOVA,30HMOVB,AMOVA,30HANLA,#0F0HMULABMOVB,#0AHDTVABMOVR1，BSWA15AMOV31H,ASJMP$二.综合题（共40分）1.编写一段程序，统计片外数据存储器2000H—20FFH巾的数
7、据其值等于7FH的个数，将结果存放在R7中。（10分）2.设单片机晶振频率fosc=6MHZ，使用定时器0以工作方式1产生周期为100ms的等宽方波，并在P1.0输出。（10分）TMOD:GATEC/TMlMOGATEC/TMlMOTCON:TF1TRITFOTROIE1IT1IEOIT01.以8031力主机，外部扩展一片27512作为程序存储器，扩展一片62512作为数据存储器芯片。（1）画出电
