数字电子技术基础(第三版 周良权)2.ppt

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1、第2章集成逻辑门电路分立元件门电路CMOS集成逻辑门TTL集成逻辑门不同类型门电路的接口门电路应用举例会计算：负载电流与各种系列门电路输出电流的配置关系。本章教学基本要求要知道：逻辑电路高电平、低电平与正、负逻辑状态的关系，CMOS与TTL系列逻辑电路内部所用器件的区别及各系列数字集成电路标号的含义及其使用电压的范围。集成逻辑电路主要参数的含义及所表示的性能。逻辑符号控制端符号上非号、小圆圈含义及其门电路上小圆圈符号含义的区别。会画出：OD门、OC门、传输门、三态门的逻辑符号。与门、或门、非门、与非门、或非门输入波形所对应的输出波形。会使用：OC门、OD门、传输门、三态门的功能。会处理：

2、CMOS集成逻辑电路的存放和焊接的措施，各种门电路空余的输入端，各种门电路系列间的接口。能够实现各种基本逻辑关系的电路称为门电路。二值逻辑变量1和0在电路中是两种截然相反的状态，靠二极管、三极管开关的闭合和断开来控制和实现的，所以门电路也称开关电路。S为受控开关，当二极管、三极管截止时相当于S断开，输出为高电平。当二极管、三极管导通时，相当于S闭合，输出为低电平。2.1分立元件逻辑门电路高电平和低电平为某规定范围的电位值，而非一固定值。高电平高电平低电平低电平正逻辑负逻辑2.1.1二极管门电路当输入信号为高电平时，二极管截止，输出为高电平当输入信号为低电平时，二极管导通，输出为低电平外电

3、压U和电阻R较小,D的压降和内阻不可忽略时一、二极管的开关特性等效于等效于等效于u和R均较大,D的压降和内阻均可忽略时外电阻R较大,但外电压u较小,D的压降不可忽略时在动态情况下，二极管两端电压突然反向时，电流的建立和衰减总是滞后于电压的变化。这是因为当外加电压由反向突然变为正向时，PN结内部有一个因电荷积累形成一定浓度梯度的过程，从而引起扩散电流的过程，因而电流对电压而言稍有滞后。在外加反向电压作用下，PN结两侧堆积的存储电荷，会形成较大的瞬态反向电流。随着存储电荷的消散，反向电流会迅速衰减并趋于零。反向电流的大小和维持时间的长短，与正向导通时电流大小、反向电压和外电路电阻值及二极管本

4、身特性有关。反向电流从峰值衰减到它的0.1倍所需要的时间定义为为反向恢复时间tre二、二极管与门在输入端A、B中只要有一个（或一个以上）为低电平，则与该输入端相连的二极管必然因获得正偏电压而导通，使输出端Z为低电平。逻辑式为只有A、B同时为高电平时，输出Z才是高电平。ABZ000000011111真值表波形图真值表三、二极管或门只要输入端A、B中有高电平，输出就是高电平只有A、B同时为低电平时，Z才是低电平逻辑式为波形图ABZ000001111111当输入uI为低电平，使uBE

5、uCEUCE(sat)OiCMNIB(sat)TS负载线临界饱和线饱和区放大区截止区uBE

6、对硅管，UBE(sat)0.7V，UCE(sat)0.3V。在临界饱和点三极管仍然具有放大作用。uI增大使uBE>Uth时，三极管开始导通，iB>0，三极管工作于放大导通状态。IC(sat)QAuCEUCE(sat)OiCMNIB(sat)TS临界饱和线饱和区放大区截止区uBE

7、内部电荷的建立和消散都需要一定的时间,所以集电极电流的变化滞后于基极电压的变化.输出电压的变化比输入电压的变化也相应地滞后.二、三极管非门输入低电平信号时，三极管能可靠截止，输出为高电平。输入高电平信号时，三极管处于饱和状态，输出为低电平.AZ0110真值表三、与非门和或非门1.与非门将二极管与门和反相器连接起来，就构成与非门。ABZ000001111111逻辑式为与非门的波形图导通延迟时间截止延迟时间和是输出、输入波形变化至幅值的