集成电路制造用溅射靶材的应用及发展趋势.doc

集成电路制造用溅射靶材的应用及发展趋势.doc

ID:48248156

大小:84.50 KB

页数:4页

时间:2019-11-21

集成电路制造用溅射靶材的应用及发展趋势.doc_第1页
集成电路制造用溅射靶材的应用及发展趋势.doc_第2页
集成电路制造用溅射靶材的应用及发展趋势.doc_第3页
集成电路制造用溅射靶材的应用及发展趋势.doc_第4页
资源描述:

《集成电路制造用溅射靶材的应用及发展趋势.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库

1、集成电路制造用溅射靶材的应用及发展趋势在半导体集成电路制造工艺过程中以具有较低电阻率的铜导体薄膜代替铝膜布线工艺;在平面显示器产业中,各种不同的显示器(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步发展,以期冇朝一II能大量取代体积大而笨重的阴极射线管显示器(CRT),作为电脑及计算机的显示器;在信息存储产业中,磁介质记录机的存储容量不断增加,新的光碟式记录体乂不断推陈出新。这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求,在需求数量方而也是逐渐增加。据统计1998年全球使用了大约2690t重的各类溅射靶材,溅射HIT317X1000000m2的薄膜;而到了1

2、999年全球增加到使用了2880t重的各类溅射靶材,溅射制作出了363X106m2的薄膜。从我国近儿年来电子信息产业的迅速发展情况来看,6〜12英寸集成电路的牛产线、光盘生产线及LCD、PDP显示器牛•产线均有大量合资或独资企业出现。我国已逐渐成为了壯界上簿膜溅射靶材的最大需求地区之一,这一•巨大市场也必然受到世界上各大溅射靶材制造厂家的极大关注。希望我们国内的有关研究机构和靶材制造企业,对此也给予足够的重视,积极针对不同产业使用的溅射靶材进行相关的技术开发,逐步建立口主性的高级金属电子材料的制造产业。集成电路产业集成电路用靶材在全球靶材市场占较大份额,其

3、溅射产品主要包括电极互连线膜、阻挡层薄膜、接触薄膜、光盘掩膜、电容器电极膜、电阻薄膜等。其屮薄膜电阻器是薄膜昆介集成电路中用量最多的元件,而电阻薄膜用靶材中Ni-cr合金的用量很大。-•般来说,集成电路用溅射靶材的晶粒尺寸必须控制在lOOum以下,其至其结晶取向也须控制,而在靶材的化学纯度方面,对于0.35um线宽工艺,要求靶材的化学纯度为4N5(99.995%)以上,0.25um线宽工艺,溅射靶材的化学纯度则必须在5N(99.999%),甚至6N(99.9999%)以上。集成电路产业在半导体或微电子相关产业中,经常使用的溅射靶材如表1所示。与其他产业相比

4、,集成电路产业对于溅射靶及溅射薄膜的需求是最高乃至最苛刻的。例如,对于溅射所淀积薄膜的厚度均匀性的要求,通常为3倍的厚度分布标准偏差(standarddeviation)应小于5%;另外,随着半导体布线宽度的不断减小,対于镀膜的夹杂物(inclusion)及缺陷(defect)的要求也愈来愈高。这些对镀膜质量的严格要求反映到溅射靶时,即为溅射靶材料的微观结构及化学纯度应符合相应工艺要求。表1微电子相关产业中常用的溅射靶材Table1Caninonsputtertigtargetmaternlsusediimicroelectioniciidusti-vAl

5、,Al-Cu,Al-StAl-Si-Cu,Al-Si-Ti,CuTa,Ta・Si,Ti,Ti-W.Wmm•輙Co.Cr.Mo^Ta,TlW、CoSi^MoSQ?T1S12.WSi?扌OWKC,Ni-CrNi-Cr-Si,Cr-Si,Ta,VCr光亥胞慣Ta,Ti,Pt,Ru,Zn齢器电轆一般来说,溅射靶材的晶粒尺寸必须控制在100Lm以下,甚至其结晶结构的趋向性也必须受到控制,而在靶材的化学纯度方面,对于0.35Lm线宽工艺,要求靶材的化学纯度在4N5(99.995%)以上,0.25Lm线宽工艺,溅射靶材的化学纯度则必须在5N(99.999%),甚至6N(

6、99.9999%)以上。而随着晶片尺寸逐渐增大(8〜12英寸),相对来说所使用的溅射靶材尺寸也将随Z增大。此外,除上述对溅射靶材在纯度与微观组织的要求外,靶材的形状也必须能满足溅射设备牛产厂的需求(AppliedMaterials,Varian,Anolva及Ulvac等)。在微电子产业(包括半导体集成电路、混合IC、薄膜电阻、薄膜电容等产业)中使用溅射靶材总量统计和需求预测如表2所示。表2微电子产业中使用溅射靶材总幽计及需求预测Table2Coilsmnestatisticsanddemandforcastofsputteriigtargetiiinic

7、roelecti'oiiiciidustiy1998年1999年2004年平均年增长率(%)镀膜总面积Gn2)272667229979965516763130溅射靶总重h;g)3125973581015力9641Q0集成电路制造用溅射靶材类型在集成电路制造过程中,溅射靶材用于制备互连线薄膜和阻扌半层薄膜。目前集成电路制造用得最多的互连线材料是八1及A1介金,相应的阻描层金属是Ti或WTio随着集成电路技术进入甚大规模集成电路(ULSI)时代,当器件特征尺寸缩小到深亚微米以下时,由于铝线的抗电迁移和抗应力迁移能力较差,易形成布线空洞,造成电路失效,使铝金属互

8、连的可靠性成为严重的问题,采用金属铜布线成为发展方向。铜与铝相比较

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。