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1、MOSFET与IGBTPOWERMOSFET优点是高频特性十分优秀（MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品），驱动简单(电压型驱动)，抗击穿性妤(没有雪崩效应)POWERMOSFET的弱点是高耐压化后之功率损失激增。缺点是耐高压的器件，导通电阻大．在高压大电流场合功耗较大，因此大功率(1500W以上)有些困难。对于MOSFET来说,仅由多子承担的电荷运输没有任何存储效应,因此,很容易实现极短的开关时间。POWERMOSFET其高频特性十分优秀，所以MOSFET可用于较
2、高频率的场合。在低电源电压下动作时之功率损失（POWERLOSS）远低于以往之组件，但是问题是,在高压的"开"状态下的源漏电阻很高(压降高),而且随着器件的电压等级迅速增长（耐压越高导通电阻越大,除了采用COOLMOS管芯的以外)。因而其传导损耗就很高,特别在高功率应用时,很受限制。IGBT优点是驱动简单，导通压降小，耐压高．功率可以达到5000w。IGBT弱点是开关频率最大40—50KHz，开关损耗大而且有擎拄效应。和MOSFET有所不同,IGBT器件中少子也参与了导电,IGBT是采用MOS结构的双极
3、器件导通电阻小(发热就少)高耐压,因而可大大降低导通压降。但另一方面,存储电荷的增强与耗散引发了开关损耗、延迟时间(存储时间)、以及在关断时还会引发集电极拖尾电流。同时存在的电流尾巴和较高的IGBT集电极到发射极电压将产生关闭开关损耗。这样就限制了IGBT的上限频率由以上分析可知,IGBT适用于高功率和高压的场合,但是因为电流尾巴的原因,频率范围受限,开关损耗也很明显;MOSFET关闭时电流下降速度快,可用于较高频率范围内,但由于开通漏电阻高,在较高的电压等级下,导致的开通损耗显著,不适用于高功率电路中
4、。驱动两种电路可以一样,只是IGBT输入电容MOS大故需提供更大的正负电压的驱动功率。总之，MOSFET一般在较低功率应用及较高频应用（即功率<1000W及开关频率≥100kHz）中表现较好，而IGBT则在较低频及较高功率设计中表现卓越。就其应用,根据其特点:MOSFET应用于开关电源,镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机,通信电源等等高频电源领域;IGBT集中应用于焊机,逆变器,变频器,电镀电解电源,超音频感应加热等领域。用IGBT代替MOSFET的可行性分析一、引言电力电子设备正朝着高频、高效、高可靠
5、、高功率因数和低成本的方向发展，功率器件则要求高速、高可靠、低损耗和低成本。目前所用功率器件主要是功率MOSFET和IGBT.IGBT是为降低功率MOSFET的导通电阻RDS（ON），将双极晶体管的集电区电导调制效应引入MOSFET的漏极，实现了漏极高阻漂移区的电导调制效应，从而降低了IGBT的导通压降VCE（ON）.从制造工艺上讲，MOSFET和IGBT的不同只是原始Si材料的不同，MOSFET采用N-N+同型外延Si片，IGBT采用N-P+异型外延Si片，在同型外延Si片上用MOSFET工艺生产出的
6、器件为MOSFET，在异型外延Si片上用MOSFET工艺生产出的器件为IGBT.N-P+结的引入使得IGBT为一个四层（N+PN-P+）结构。所谓电导调制是指处于正偏的N-P+结，由P+向N-区注入少子空穴，实现了N-区的电导调制，使N-区的电阻率降低。因为少子注入，在关断期间就存在少子复合，所以IGBT的开关速度要慢于MOSFET.那么在多高的开关频率下，IGBT可以替代MOSFET？要做具体分析。二、为什么要取代MOSFET？降低MOSFET的RDS（ON）是高压功率MOSFET发展中很难解决的问题
7、，降低RDS（ON）的主要办法是增加芯片面积。面积增加，速度下降，生产合格率降低，而成本大幅度提高。在相同电压和电流下，IGBT芯片面积不足MOSFET芯片面积的1/2，而且开关速度近似，同时成本降低一半。所以用IGBT代替MOSFET可在性能不变的情况下，大幅度降低成本，而且对于几千安培、数千伏特的应用，MOSFET是不能实现的。三、用IGBT代替MOSFET的可行性1.IGBT和MOSFET电性能的不同相同功率容量的IGBT和MOSFET的主要区别是IGBT速度可能慢于MOSFET，再者就是IGBT
8、存在关断拖尾时间ttail.ttail长，死区时间也要加长，从而影响了使用开关频率。表1是APT公司生产的IGBT和MOSFET可互换器件的主要电参数。表1由表1可见APT30GP60B和APT5010B2LL相比，toff较长，而硅片面积ASi和归一成本，APT5010B2LL均是APT30GP60B的两倍。2.IGBT和MOSFET可使用开关频率fSM和结温Tj在大功率器件的使用中，所有参数都受器件结温Tj的限制，手册中给出Tjm=15
