MOSFET 和 IGBT 的关系

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1、IGBT是绝缘栅双极型晶体管（IsolatedGateBipolarTransistor）,它是八十年代初诞生，九十年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件。IGBT将MOSFET与GTR的优点集于一身，既有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动型，又具有通态压降低、高电压、大电流的优点。因此，IGBT的新技术、新工艺不断有新的突破；应用频率硬开关5KHz～40KHz，软开关40KHz～150KHz；功率从五千瓦到几百千瓦！IGBT器件将不断开拓新的应用领域，为高效节能、节材，为新能源、工业自动化(高频电焊机

2、,高频超声波,逆变器,斩波器,UPS/EPS,感应加热)提供了新的商机。IGBT专业为开关电源、逆变电源、变频电源、通信电源、车载电源、电焊机、变频器、马达控制器等提供全方位的服务，并在消防行业、仪器仪表、通信业、船舶工业、自动化控制、军用科研等高科技市场有良好的商业信誉。MOSFET ['mɔsfet]  n.金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET:  1.场效应管  它是以发光二极管（LED）、光伏二极管阵列（PVDA）作为隔离耦合器件、功率场效应管（MOSFET）作为输出器件集成一体的、具有高速开关

3、切换功能的双列直插式微型化固体继电器。   2.金属氧化物半导体场效应晶体管  在此类应用中,通常用作电源开关的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是主要的热源.散热,又往往是降低IC可靠性,导致系统不稳定的罪魁祸首. 3.固态继电器  ...通道双向数字光电耦合器塑料数字光电耦合器汽车领域塑料光电耦合器塑料3.3V数字光电耦合器塑料数字隔离器固态继电器(MOSFET)塑料电力线通信接口塑料袖珍隔离放大器塑料集成门驱动光电耦合器塑料智能功率模块接口光电耦合塑料隔离线接收器塑料隔离20... 4.Met

4、allicOxideSemiconductorFieldEffectTransistor  本发明公开了一种直流固态功率控制的方法及装置，采用功率MOSFET(MetallicOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)为开关器件，通过计算机向直流固态功率控制器发出“开关”数字控制信号，再通过外部接口电路将数字控制信号转化为功率MOSFET的驱...　金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-Eff

5、ectTransistor,MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effecttransistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOSFET、PMOSFET、nMOSFET、pMOSFET等。　　从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOS

6、FET的栅极（gateelectrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属。　　MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-GateFieldEffectTransistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。　　MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这

7、层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicondioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（siliconoxynitride,SiON）做为氧化层之用。　　今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为首选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最著名的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗制程（silicon-germaniumprocess,SiGeprocess）。而可惜的是很多拥有良好电性

8、的半导体材料，如砷化镓（galliumarsenide,GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件。　　当一个够大的电位差施于MOSFET的栅极与源极（source）之间时，电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷，而这时所谓的“反型层”（inversionchannel）就会形成。通道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是n-type，那么