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1、集成电路EDA设计技术实训指导书目录预备知识-UNIX操作系统基本命令3实验一Cadence设计环境设置4实验二VirtuosoSchematicEditor原理图输入5实验三Spectre电路特性仿真7实验四Virtuosolayout版图设计10实验五DRC、提取以及LVS验证11预备知识-UNIX操作系统基木命令掌握UNIX操作系统的一些最尿本的命令是必须的，希望能够熟练使川卜•面儿条常川命令。显示文件：Is（不显示隐含文件）、la（或Is-a,显示所有文件）删除文件：rm文件名建新日录：mkdirbl录名删除目录：rm-r目录名拷贝
2、：cp源文件名（含路径）目标文件名（含路径）解.tar打包文件：tarvxf打包文件名解.tar.Z压缩文件：tarsvf压缩文件名文件改名：mv原文件名新文件名查命令与参数功能：man命令实验一Cadence设计环境设置一、实验目的1、掌握Cadence软件设计环境的设置方法；2、理解Cadence软件工艺库的作用。二、实验内容1、UNIX操作系统登录。2、配置“cds.lib”文件。3、建立工作库文件。三、实验步骤1、UNIX操作系统登录。开机后运行Exceed进入服务器SUNSOLARIS操作系统登录界面，输入用户名和密码。2、建立工
3、作冃录。mkdir你的名字的拼音cd你的名字的拼音3、为了Z后要进行的版图设计，拷贝技术文档“techfile”和显示文档“display.drf”到工作目录下。cp/.../csm/techfile.cp/.../csm/display.drf.4、vi编辑器创建文件“cds.lib”：vicds.lib进入编辑状态：i或者s或者其他输入内容：INCLUDE/..,/icfb/share/cdssetup/cds.libDEFINEcsm25rf/.../csm/csm25rf保存退出:CSCwq!（如有必要，创建并配置“.cdsenv”
4、以及“.cdsinit”这两个文件。）5、启动ICDesign软件：icfb&6、建立工作库。file->new->library进入"NEWLIBRARYv对话框name填"mylib”选中uattachtoanexistingtechfile”项在弹出对话框的"technologylibrary”项通过“browse”选择"csm25rf"7、保存退出。file->savefile->exit->ok四、实验报告1、列出本实验过程中所使用的UNIX命令。2、查看技术文档“techfile”和显示文档"display.drf"内容,列表指
5、岀"metall"的"minWidth"值及It含义，指出“mctal2的“minSpacing"值及其含义，指HlWELL”的“minArea"值及其含义，指出“NWELL”和“PDIFF”之间的“minEnclosure"值及其含义。3、简述集成电路进入深亚微米后尺寸缩小、沟道缩短等带來的二级效应以及如何血对山此带来的挑战。实验二VirtuosoSchematicEditor原理图输入一、实验目的1、掌握电原理图（schematic）设计输入方法；2、深入理解CMOS反相器工作原理以及晶体管参数的改变对反相器性能的影响。二、实验内容1、
6、建立“CelWiew”文件。2、进行CMOS反相器原理图的设计。三、实验步骤1、查看CIW窗口,调出“LibraryManager"：Tools->LibraryManager,在Library栏中应有mylib,单击它。2、仓U建''Cellview”文件。File->New->Cellview在弹出的"CreateNewFilen窗口CellName栏中,invTool栏中，选Composer-Schematicok3、添加元件。在弹出的“VirtuosoSchematicEditing:•••窗口中，左边为工具栏，选instance图
7、标（或使用i快捷键）单击"Addinstancen窗口Library栏最右侧Browser,弹出aLibraryBrowser-••-”窗口,Library选csm25rf,Cell选批pmos_tk,View选symbol鼠标回到"Addinstance”窗口，width:lu,Length:lu,Multiplier:1,Hide在"VirtuosoSchematicEditing:…”窗口，鼠标左键单击一次，这样就增加了1个pmos_tk元件,ESC退出添加元件。4、仿照上述方法，增加nmos_（k元件。在"Addinstance”窗
8、口，width:lu,Length:lu,Multiplier:1,放置1个nmos_tk元件,ESC。5、添加管脚（PIN）o选“VirtuosoSchematicEditin
