半导体制造技术导论

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1、半导体制造技术导论（第二版）从书名：国外电子与通信教材系列作者：（黃）萧宏著，杨银堂，段宝兴译出版社：电子工业出版社出版时间：2013-1-1版次：1页数：459字数：826000印刷时间:2013-卜1开本：16开纸张:胶版纸印次：1ISBN：9787121188503包装：平装内容推荐本书共包括15章：笫1章概述了半导体制造工艺：笫2章介绍了基本的半导体工艺技术；笫3章介绍了半导体器件、集成电路芯片，以及早期的制造工艺技术；第4章描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长，以及硅外延技术：第5章讨论了半导体

2、工艺中的加热过程；®6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论；第8章讨论了离子注入工艺；第9章详细介绍了刻蚀工艺；第】0章介绍了基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄顺沉积工艺，以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、原子层沉积（ALD）工艺过程；第11章介绍了金属化工艺;第12章讨论了化学机械研磨（CMP）工艺：第13章介绍了工艺整合：第14章介绍了先进的CMOS.DRAM和NAND闪存工艺流程；第15章总结了本书和半导体工业未来的发展。目录第1章导论1.1集成电路发

3、展历史1.1.1世界上第一个晶体1.1.2世界上第一个集成电路芯片1.1.3摩尔定律1.1.4图形尺寸和晶圆尺寸1.1.5集成电路发展节点1.1.6摩尔定律或超摩尔定律1.2集成电路发展回顾1.2.1材料制备1.2.2半导体工艺设备1.2.3测量和测试工具1.2.4晶圆生产1.2.5电路设计1.2.6光刻版的制造1.2.7品圜制造1.3小结1.4参考文献1.5习题笫2章集成电路工艺介绍2.1集成电路工艺简介2.2集成电路的成品率2.2.1成品率的定义2.2.2成品率和利润2.2.3缺陷和成品率2.3

4、无尘室技术2.3.1无尘室2.3.2污染物控制和成品率2.3.3无尘室的基本结构2.3.4无尘室的无尘衣穿着程序2.3.5无尘室协议规范2.4集成电路工艺间基木结构2.4.1晶圆的制造区2.4.2设备区2.4.3辅助区2.5集成电路测试与封装2.5.1晶粒测试2.5.2芯片的封装2.5.3绘终的测试2.5.43D封装技术2.6集成电路未來发展趋势2.7小结2.8参考文献2.9习题第3章半导体基础3.1半导体基木槪念3.1.1能带间隙3.1.2晶体结构3.1.3掺杂半导体3.1.4掺杂物浓度和电导率3

5、.1.5半导体材料概耍3.2半导体基本元器件3.2.1电阻3.2.2电容3.2.3二极管3.2.4双载流子晶体管3.2.5MOSFET3.3集成电路芯片3.3.1存储器3.3.2微处理器3.3.3专用集成电路（ASIC）3.4集成电路基本工艺3.4.1双载流子晶体管制造过程3.4.2P型MOS工艺（20世纪60年代技术）3.4.3N型MOS工艺（20世纪70年代技术）3.5互补型金属氧化物晶体管3.5.1CMOS电路3.5.2CMOS工艺（20世纪80年代技术）3.5.3CMOS工艺（20世纪90年

6、代技术）3.62000年后半导体工艺发展趋势3.7小结3.8参考文献3.9习题第4章晶圆制造4.1简介4.2为什么使用硅材料4.3晶体结构与缺陷4.3.1晶体的晶向4.3.2晶体的缺陷4.4晶圆生产技术4.4.1天然的硅材料4.4.2硅材料的提纯4.4.3晶体的提拉工艺4.4.4晶圆的形成4.4.5晶恻的完成4.5外延硅生长技术4.5.1气和外延4.5.2外延层的生长过程4.5.3硅外延生长的駛件设备4.5.4外延生长工艺4.5.5外延工艺的发展趋势4.5.6选择性外延4.6衬底工程4.6.1绝缘体

7、匕硅⑸licon-on-lnsulator,SOI)4.6.2泯合晶向技术(HOT)4.6.3应变硅4.6.4绝缘体上应变硅(StrainedSilicononInsulator,SSOI)4.6.5IC技术中的应变硅4.7小结4.8参考文献4.9习题笫5章加热工艺5.1简介5.2加热工艺的破件设备5.2.1简介5.2.2控制系统5.2.3气体输送系统5.2.4装载;系统5.2.5排放系统5.2.6炉管5.3氧化工艺5.3.1氧化工艺的应用5.3.2氧化前的清洗工艺5.3.3氧化生长速率5.3.4干

8、氧氧化工艺5.3.5湿氧氧化工艺5.3.6高压氧化工艺5.3.7氣化层测量技术5.3.8氧化工艺的发展趋势5.4扩散工艺5.4.1沉积和驱入过程5.4.2掺杂工艺中的测吊：5.5退火过程5.5.1离子注入后退火5.5.2介金化热处理5.5.3再流动过程5.6高温化学气相沉积5.6.1外延硅沉积5.6.2选择性外延工艺5.6.3多晶硅沉积5.6.4氮化硅沉枳5.7快速加热工艺(RTP)系统5.7.1快速加热退火(RTA)系统5.7.2快速加热氧化(RTO)5.7.3快速