半导体制造技术（页）

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1、半导体制造技术晶圆(Wafer)晶圆(Wafer)的生产由砂即(二氧化硅)开始，经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅,再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸憎纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」o一般晶圆制造厂,将多晶硅融解后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的8吋硅品棒，约需2天半时间长成。经研磨、拋光、切片后，即成半导体之原料晶圆片。光学显影光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻下血的薄膜层或硅晶上。光学显影主耍包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。小尺寸之显

2、像分辨率，更在IC制程的进步上，扮演着最关键的角色。由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为黄光区。干式蚀刻技术在半导体的制程中，蚀刻被用來将某种材质自晶鬪表面上移除。十式蚀刻(又称为电浆蚀刻)是目询最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉山电浆能量來驱动反应。电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方而的影响。首先，电浆会将蚀刻气体分了分解,产生能够快速蚀去材料的高活性分了。此外，电浆也会把这些化学成份离了化，使其带有电荷。晶圆系置于带负电的阴极之上，因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时，会以

3、垂肯角度撞击到晶圆表面。芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂肯蚀刻，而后者也是干式蚀刻的重要角色。基本上，随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同，蚀刻山下列两种模式单独或混会进行：1.电浆内部所产生的活性反M离了与自由基在撞击晶圆表面示，将与某特定成份之表面材质起化学反应而使Z气化。如此即可将表面材质移出晶闘表面，并透过抽气动作将其排出。2.电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键，进而将晶圆表面材质分了一个个的打击或溅击(sputtering)出来。化学气相沉积技术化学气相沉积是制造微电子组件时，被用來沉积岀某种薄膜

4、(film)的技术，所沉积岀的薄膜吋能是介电材料(绝缘体)(dielectrics)＞导体、或半导体。在进行化学气相沉积制程时，包含冇被沉积材料Z原了的气体，会被导入受到严密控制的制程反应室内。当这些原了在受热的昌鬪表面上起化学反应时，会在晶圆表面产生一层固态薄膜。而此一化学反应通常必须使用单一•或多种能量源(例如热能或无线电频率功率)。CVD制程产生的薄膜厚度从低于0.5微米到数微米都有，不过最重要的是其厚度都必须足够均匀。较为常见的CVD薄膜包括冇：■二气化硅(通常总接称为氧化层)■氮化硅■多晶硅■耐火金属与这类金属之其硅化物可作为半

5、导体组件绝缘体的二氧化硅薄膜与电浆氮化物介电层(plasmasnitridedielectrics)是冃前CVD技术最广泛的应用。这类薄膜材料町以在芯片内部构成三种主要的介质薄膜：内层介电层(ILD)、内金属介电层(IMD)、以及保护层。此外、金层化学气相沉积(包括钩、铝、氮化钛、以及其它金属等)也是一种热门的CVD应用。物理气相沉积技术如其名称所示，物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition)主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用氮等钝气，藉由在高真空屮将氟离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原了一个个溅击出来，

6、并使被溅击出来的材质(通常为铝、钛或其合金)如雪片般沉积在品圆表面。制程反应室内部的高温■高真空环境，可使这些金属原子结成晶粒，再透过微影图案化(patterned)与蚀刻，來得到半导体组件所要的导电电路。解离金属电浆(IMP)物理气相沉积技术解离金属电浆是最近发展出來的物理气相沉积技术，它是在目标区与晶圆Z间，利用电浆，针对从目标区溅击出來的金属原子，在具到达晶圆之前，加以离子化。离子化这些金属原了的日的是，让这些原子带冇电价，进而使其行进方向受到控制，让这些原子得以垂直的方向往晶圆行进，就像电浆蚀刻及化学气相沉积制程。这样做町以让这些

7、金属原子针对极窄、极深的结构进行沟填，以形成极均匀的农层，尤其是在最底层的部份。高温制程多晶硅(poly)通常用来形容半导体晶体管Z部分结构：至于在某些半导体组件上常见的磊品硅(epi)则是长在均匀的品圆结品表面上的一层纯硅结品。多品硅与磊品硅两种薄膜的应川状况虽然不同，却都是在类似的制程反应室屮经高温(600°C至1200°C)沉积而得。即使快速高温制程(RapidThermalProcessing,RTP)Z工作温度范围与多晶硅及磊品硅制程有部分重叠，其本质差界却极大。RTP并不用来沈积薄膜，而是用来修正薄膜性质与制程结果。RTP将使

8、晶圆历经极为短暂且精确控制高温处理过程，这个过程使晶圆温度在短短的10至20秒内可白室温升到1000°CoRTP通常用于回火制程(annealing),负责控制组件内掺质原子Z均匀度。此外RT