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《清华大学微电子本科生培养课程设置》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、.word格式,一、简介微纳电子系本科生一级学科名称为电子科学与技术,二级学科名称为微电子学。二、课程设置课程编号:30260093课程名称:固体物理学课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:王燕内容简介:固体物理学是固体材料和固体器件的基础。该课程主要研究晶体的结构及对称性,晶体中缺陷的形成及特征,晶格动力学,能带理论的基础知识以及晶体中的载流子输运现象等。是微纳电子专业的核心课。课程编号:40260103课程名称:数字集成电路分析与设计课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:吴行军内容简介:
2、本课程从半导体器件的模型开始,然后逐渐向上进行,涉及到反相器,复杂逻辑门(NAND,NOR,XOR,功能模块(加法器,乘法器,移位器,寄存器和系统模块(数据通路,控制器,存储器的各个抽象层次。对于这些层次中的每一层,都确定了其最主要的设计参数,建立简化模型并除去了不重要的细节。课程编号:40260173课程名称:数字集成电路分析与设计(英课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:刘雷波,专业.专注..word格式,内容简介:数字集成电路的分析与设计,包括:CMOS反相器、组合和时序逻辑电路分析与设计、算
3、术运算逻辑功能部件、半导体存储器的结构与实现、互连线模型与寄生效应的分析。并介绍常用数字集成电路的设计方法和流程。课程编号:30260072课程名称:微电子工艺技术课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:岳瑞峰内容简介:本课程授课目的是使学生掌握微电子制造的各单项工艺技术,以及亚微米CMOS集成电路的工艺集成技术。本课程讲授微电子制造工艺各单项工艺的基本原理(包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻蚀、金属化工艺等,并介绍常用的工艺检测方法和MEMS加工技术、集成电路工艺集成技术和工艺技术的发展趋
4、势等问题。另通过计算机试验,可学习氧化、扩散、离子注入等工艺设备的简单操作和模拟。课程编号:40260054课程名称:半导体物理与器件课程属性:专业核心课开课学期:09春任课教师:许军内容介绍:主要讲授半导体材料的基本物理知识,半导体器件的工作原理以及现代半导体器件的新进展。主要内容包括:半导体中的电子态和平衡载流子统计,载流子的输运(非平衡载流子,产生和复合,载流子的漂移、扩散,电流连续性方程,PN结二极管和双极型晶体管,场效应晶体管,半导体光电器件,纳电子器件基础。课程编号:40260033课程名称:模
5、拟集成电路分析与设计课程属性:专业核心课开课学期:09春任课教师:王自强,专业.专注..word格式,内容简介:以集成放大器的分析与设计为主线,按照“元器件-单元电路-电路模块-模拟系统”的体系结构和兼顾理论分析与工程设计的指导思想来讨论模拟集成电路的基本概念、各种常用电路单元结构及模拟集成电路的基本分析方法和工程设计流程。叙述中以讨论模拟集成电路单元和系统的工程化设计方法为最终目标,在介绍清楚基本概念和基本分析方法的基础上,着重讨论模拟集成电路设计中的各种考虑因素以及提高性能的措施,并以工业界广泛使用的G
6、m/ID设计流程为例介绍各种基本电路单元的设计方法。课程编号:40260141课程名称:微纳电子实验A课程属性:专业核心课开课学期:09春任课教师:高力立内容简介:1集成电路测试实验:数字集成电路测试(包括功能,最高工作频率各种直流参数测试和A/D及D/A转换器测试(数、混合电路测试2计算机模拟实验:包括集成电路工艺模拟、器件模拟、Spice模型参数提取等;3半导体器件实验:测MOSFET的三类I-V特性以获取:阈值电压VT、衬偏调制系数(体因子γ、亚阈值斜率、反型层载流子迁移率。课程编号:40260151
7、课程名称:微纳电子实验B课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:高力立内容简介:,专业.专注..word格式,1半导体物理实验:MOS高频C-V特性测量(计算二氧化硅中的固定电荷和可动电荷和霍尔效应实验2纳电子教学实验:量子点红外探测器实验课程编号:30260063课程名称:微电子器件与电路课程属性:平台课开课学期:09春、09秋任课教师:张莉(09春、许军(09秋内容简介:本课程内容涵盖微电子学专业所需掌握的主要基础知识,包括半导体材料与集成电路制造工艺的简单介绍,半导体物理基本知识,常见半导体器件
8、(包括pn结二极管、双极型晶体管和MOS场效应晶体管的结构、制备与工作原理,微电子器件的最新进展以及集成电路的分析与设计技术,其中重点讨论半导体器件部分。课程编号:30260083课程名称:微电子器件与电路(英课程属性:平台课开课学期:09春任课教师:张进宇内容简介:本课程内容涵盖微电子学专业所需掌握的主要基础知识,包括半导体物理与集成电路制造工艺的基本知识,重点讨论pn结二极管、双极型晶体管和MOS场效应晶体管
