12-13电工电子技术(2-2)技校首页+教案

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1、教案首页课程名称电工电子技术(2-2)授课教师王鹤澄授课章节(2H)第7章半导体二极管§7.1半导体的基本知识授课时间2012——2013学年度第2学期第1周第1次课授课班级11级技校就业汽检1、2班授课方法讲授法教具/教学手段启发法教学目的了解半导体的基础知识。教学重点本征半导体教学难点杂质半导体复习提问1、自然界物质的导电能力分类2、电荷间的相互作用规律本课小结本次课讲解了半导体的基础知识。布置作业检查签字检查日期教学内容注意点配时自然界的物质按导电能力强弱分类10’15’提问：1、自然界物质的导电能力分类2、电荷间

2、的相互作用规律导入新课：第7章半导体二极管§7.1半导体的基本知识一、半导体的特点1、自然界的物质按导电能力强弱分类：（1）导体：容易导电。如：金、银、铜、铁、铝等金属材料是良导体。（2）绝缘体：几乎不导电。女口：橡胶、陶瓷、塑料、玻璃和石英等。（3）半导体：导电能力处于导体和绝缘体之间。如：硅、错、硒、砂化镣和一些金屈的硫化物、氧化物等。2、电子电路屮各种器件均由半导体材料构成，因为半导体具有不同于其它物质的独特的特点：（I）热敏性：环境温度tTt导电能力T,女山热敏元件（2）光敏性：有光照T导电能力T,如：光电池（3

3、）惨杂性：掺入她濒元素t导电能力TT,如：二极管、三极管二、本征半导体常见的半导体材料是：硅（Si）、错（Ge）教学内容注意点配时它们的最外层电子（价电子）都是四个，又叫“四价元素”1、本征半导体的晶体结构不含杂质且具有完整品体结构的半导体称为本征半导体。本征硅（单晶硅），本征错（单晶错）本征半导体概念2、本征半导体中的两种载流子（运载电荷的粒子）：自由电子和空穴空穴电流（价电子递补空穴运动）——电子电流（自由电子定向运动）空穴（正电）一-"自由电子（负电）并存两种导电方式两个过程:本征激发（热激发）复合结论：（1）自由

4、电子带负电（2）空穴带正电（3）自由电子数=空穴数，称为电子空穴对。本征半导体中自由电子和空穴是成对出现的。三、杂质半导体1、N型杂质半导体：在本征半导体中掺入微量五价杂质元素，如：磷20’元素（P）o杂质半导体有两种自由电子数口空穴数多数载流子少数载流子（多子）（少子）主要靠自由电子导电一一又叫“电子型”杂质半导体。教学内容注意点配时2、P型杂质半导体：在本征半导体中掺入微量二价杂质元素，女山硼元素（B）。QQ30躱&扰23>®®<0>®<0>（s）

5、子少数载流子（多子）（少子）主要靠空穴导电一一又叫“空穴型”杂质半导体。注意：无论是N型半导体还是P型半导体，都是呈现电中性的。本节课小结：本次课要求学生熟练掌握半导体的基础知识。15z10’教案首页课程名称电工电子技术(2-2)授课教师王鹤澄授课章节(2H)第7章半导体二极管§7.1半导体的基本知识授课时间2012——2013学年度第2学期第1周第2次课授课班级11级技校就业汽检1、2班授课方法讲授法教具/教学手段启发法教学目的了解PN结的单向导电性教学重点杂质半导体教学难点PN结的单向导电性复习提问1、本征半导体2、

6、杂质半导体本课小结本次课讲解了PN结单向导电性。布置作业检查签字检查日期教学内容注意点配时提问：1、本征半导体2、杂质半导体导入新课：20z四、PN结的形成和特性1、PN结的形成PNPN结的形成20’©•©•©•©O®©:®G!Ce'e!®:©oeoeo㊀”㊀eoc㊀。㊀。㊀。•••㊉㊉㊉㊉®!<⑥®—I®1pi'e1!©.—㊀ee。㊀eoo©㊀。㊀。Q空穴自由电子图7・5载流子的扩散PN结的形成：空穴赢研自由电子图7・6PN结的形成P区、N区载流子浓度不同T多子扩散T形成空间电荷区并建立内电场(NTP)T4'阻碍多子扩

7、散有利于少子漂移T多子扩散匕少子漂移TT达到动态平衡T即得到相对稳定的PN结。2、PN结的单向导电性（1）外加正向电压：P正N负——正向偏置（正偏）PN结的单向导电性20z®lie■G㊉—4}内电场方向外电场方向PN结正向偏冒此吋，空间电荷区变窄，内电场被削弱，载流子扩散大于漂移,多子的扩散电流能顺利通过PN结，形成回路正向电流。灯亮、低阻导通，形成较大的正向电流（多子扩散）：P-N教学内容注意点配时（2）外加反向电压：N正P负——反向偏置（反偏）变宽T1©eee)•■eeeeeelj^o畛场方向I吊&场方向'I———

8、PN结反向偏置此吋，空间电荷量增多,耗尽层加宽。内电场加强，载流子的扩散难以进行，造成漂移大于扩散，多子受阻，少子在内电场作用下，漂移过PN结形成反向电流。灯不亮、高阻截止，形成较小的反向饱和电流（微安级）（少子漂移）：NtP,go本节课小结：本次课要求学生熟练掌握PN结的形成和单向导电性。教案首页课程名称电工电子技