薄膜材料与薄膜技术复习资料

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时间:2020-01-16

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1、1.为了研究真空和实际使用方便,根据各压强范围内不同的物理特点,把真空划分为  粗真空 , 低真空, 高真空  , 超高真空 四个区域。2.在 高真空  真空条件下,分子的平均自由程可以与容器尺寸相比拟。3.列举三种气体传输泵 旋转式机械真空泵 , 油扩散泵 和 复合分子泵 。4.真空计种类很多,通常按测量原理可分为 绝对真空计 和 相对真空计  。5.气体的吸附现象可分为 物理吸附 和 化学吸附 。6.化学气相反应沉积的反应器的设计类型可分为 常压式  , 低压式 , 热壁式 和 冷壁式 。      7.电镀方法只适用于在 

2、导电的基片上沉积金属和合金,薄膜材料在电解液中是以 正离子 的形式存在。制备有序单分子膜的方法是 LB技术 。8.不加任何电场,直接通过化学反应而实现薄膜沉积的方法叫   化学镀 。9.物理气相沉积过程的三个阶段:从材料源中发射出粒子,粒子运输到基片和 粒子在基片上凝聚、成核、长大、成膜。10.溅射过程中所选择的工作区域是 异常辉光放电 ,基板常处于 负辉光区,阴极和基板之间的距离至少应是 克鲁克斯暗区宽度的3-4倍。11.磁控溅射具有两大特点是 可以在较低压强下得到较高的沉积率 和可以在较低基片温度下获得高质量薄膜 。12.在

3、离子镀成膜过程中,同时存在  吸附   和  脱附  作用,只有当前者超过后者时,才能发生薄膜的沉积。13.薄膜的形成过程一般分为:  凝结过程 、 核形成与生长过程 、岛形成与结合生长过程 。14.原子聚集理论中最小稳定核的结合能是以 原子对结合能 为最小单位不连续变化的。15.薄膜成核生长阶段的高聚集来源于: 高的沉积温度  、气相原子的高的动能 、 气相入射的角度增加 。这些结论假设凝聚系数为常数,基片具有原子级别的平滑度。16.薄膜生长的三种模式有  岛状 、 层状  、 层状-岛状  。17.在薄膜中存在的四种典型的缺

4、陷为:  点缺陷 、 位错  、  晶界  和  层错 。18.列举四种薄膜组分分析的方法:  X射线衍射法 、 电子衍射法 、扫描电子显微镜分析法 和 俄歇电子能谱法 。19.红外吸收是由引起偶极矩变化的分子振动产生的,而拉曼散射则是由引起极化率 变化的分子振动产生的。由于作用的方式不同,对于具有对称中心的分子振动,  红外吸收 不敏感,拉曼散射敏感;相反,对于具有反对称中心的分子振动,红外吸收  敏感而 拉曼散射 不敏感。对于对称性高的分子振动,拉曼散射 敏感。20.  拉曼光谱  和 红外吸收光谱 是测量薄膜样品中分子振动

5、的振动谱,前者是 散射  光谱,而后者是 吸收  光谱。21.表征溅射特性的主要参数有  溅射阈值 、 溅射产额 、溅射粒子的速度和能量等。什么叫真空?写出真空区域的划分及对应的真空度。真空,一种不存在任何物质的空间状态,是一种物理现象。 粗真空105~102Pa粘滞流,分子间碰撞为主低真空102~10-1Pa过渡流高真空102~10-1Pa分子流,气体分子与器壁碰撞为主超高真空10-5~10-8Pa气体在固体表面吸附滞留为主极高真空10-8Pa以下·什么是真空蒸发镀膜法?其基本过程有哪些?最新范本,供参考!真空蒸发镀膜是在真空

6、中通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面,由三个步骤组成:蒸发源材料由凝聚相转变成气相,在蒸发源与基片之间蒸发粒子的运输,蒸发粒子到达基片后凝结、成核、长大、成膜。·什么是溅射镀膜?列举常见的溅射镀膜的类型(至少三种)。用带电粒子轰击靶材,加速的离子轰击固体表面时,发生表面原子碰撞并发生能量和动量的转移,使靶材原子从表面逸出并淀积在衬底材料上的过程。辉光放电直流溅射、三级溅射、射频溅射·简述正常辉光放电和异常辉光放电的特征。在正常辉光放电时,放电仅仅覆盖阴极的一部分表面,随着放电电流变化,覆盖面也变化,但两极间电压不随电流变化。

7、在异常辉光放电时,放电已经覆盖阴极表面的全部,电流变化会导致电流密度变化,必须有比最合适条件高的放电电压。·磁控溅射为什么具有“低温”、“高速”两大特点?磁控溅射是以磁场来改变电子的运动方向并束缚和延长电子的运动轨迹从而提高电子对工作气体的电离几率和有效的利用了电子的能量。因此是正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效。同时受正交电磁场的束缚电子又只能在其能量要耗尽时才沉积在基片上。所以磁控溅射具有“低温”“高速”这两大特点。·简述核形成与生长的物理过程。在基底表面上吸附的气相原子凝结之后,吸附原子在其表面上扩散迁移而形成晶

8、核。晶核再结合其他吸附气体原子逐渐长大,最后便形成了薄膜。因此薄膜的形成是由成核开始的,由核生长而形成薄膜。·简述离子轰击的作用有哪些?(至少三点)1.离子溅射对基片表面产生清洗作用2.产生缺陷作用3.破坏表面结晶结构4.改变表面形貌5.离子掺入6.温度升高7.

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