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1、1室温下某突变PN结的ND＝5×1017cm-3，NA=1x1016cm-3，试求平衡状态下(1)内建电势Vbi(2)耗尽区宽度Xd(3)最大电场强度EmaxVbi=ln2.某硅突变PN结的ND＝1.5×1015cm-3，NA＝1.5×1018cm-3，试求室温下(1)VKN与VKP各为多少？(2)当外加电压V＝0.80V时，Pn(xn)与np(-xp)各为多少?(3)内建电势Vbi为多少?3、某高频晶体管的β0＝100当信号频率f为400MHZ时测得

2、βw

3、＝8，且最大功率增益Kpmax=100求:(1)该晶体管的特征频率（2）该

4、晶体管的截止频率(3)该晶体管的最高振荡频率4、某高频晶体管β0＝100、当信号频率f为40MH时测得其

5、βw

6、＝5，试求(1)该晶体管的特征频率fT。(6分)(2)当信号频率分别为15MHz和60MHZ时该晶体管的

7、βw

8、。5、已知 Si-MOSFET具有下列参数:二氧化硅介质层厚度Tox=200nm，L＝12um，Z/L＝40，un=600cm2V-1S-1，饱和时源漏电压VDsat＝8V(1)计算增益因子β(2)计算跨导gm(3)计算最高工作频率fT6、铝栅P沟道Si- MOSFET具有下列参数:二氧化硅介质层厚度Tox=15

9、0nm,ND=2x1015cm-3,Qox/g=1011cm-2, L=4um, Z=100um,up =300cm2V-1S-1(1)计算阈值电压VT(2)计算增益因子β(3)计算VGS=-4V时的饱和漏极电流7、耗尽近似、中性近似、大注入效应、小注入效应耗尽近似：空间电荷密度=电离杂质电荷密度中性近似：平衡多子浓度=电离杂质浓度8、厄尔利效应，采取什么描施增大厄尔利电压增大基区宽度、减小势垒区宽度，即增大基区掺杂浓度9、晶体管甚区扩展效应集电结电压不变，集电极电流增加时，基区宽度会展宽8、晶体管基区穿通效应，怎样防止基区穿通提高

10、Wb和Nb11.什么是晶体管的二次击穿当Vce增大时，Ic增大到某一临界值时，晶体管上的压降突然降低，电流仍然增大9、什么是有效沟道长度调制效应有效沟道随Vds的增大而缩短10、发射结电流集边效应当晶体管的工作电流很大时，基极电流通过基极电阻产生的压降也很大，这会使得发射极电流在发射结上的分布不均匀。实际上发射极的电流的分布是离基极接触处越近电流越大，离基极越远电流很快下降到很小的值。14、什么是 MOSFET的衬底偏置效应?对于N-MOSFET外加VBS后转移曲线怎么受化?衬底与源极之间外加衬底偏压Vbs后，mosfet的特性将发

11、生某些变化当外加Vbs后，转移特性曲线的形状没有变化，而只是随着Vbs的增大而右移15、什么DIBL效应在短沟道mosfet中，由于沟道长度很短，起源于漏去的电力线将有一部分贯穿沟道去终止于源区，从而使源、漏区之间的势垒高度降低16、短沟道效应、窄沟道效应、强电场效应、热电子效应、按比例缩小法则、短沟道效应：随着mosfet的沟道长度不断缩小，许多原来可以忽略的效应变得显著起来，甚至成为主导因素，使mosfet出现了一系列在长沟道中不从出现的问题。窄沟道效应：当mosfet的沟道宽度Z很小时，阈电压Vt将随着Z的减小而增大强电场效应

12、：热电子效应：按比例缩小法则：17、分布画出NMOSEET和PMOSFET的输出特性曲线，并简单分析各个工作工域的工作特性18、NMOSFET和PMOSFET的结构及工作原理通过改变栅极源电压Vgs来控制沟道的的导电能力，从而控制漏极电流Id。Nmosfet结构19、分别画出NPN缓变基区晶体管在平衡时和放大区、饱和区、截止区、反向放大区工作时的能带图。20、分别画出突变PN结在平衡、施加正向、反向电压时的能带图21、分别画出NPN缓变基区晶体管在平衡时和放大区、饱和区、截止区、反向放大区工作时的少子分布图。22、PN结的结构和工作

13、原理23、BJT的结构和工作原理发射极注入效率、:基区输运系数、:基区渡越时间、电流放大系数基区渡越时间：少子在基区从发射结渡越到集电结所需的平均时间基区输运系数：基区少子在输运过程中会因复合而引起电流的亏损24、缓变基区BJT基区的内建电场是怎么形成的，对载流子起什么作用内建电场的形成：空穴从高浓度向低浓度扩散，而电离杂质不动，于是在杂质浓度高的地方空穴浓度低于杂质浓度，带负电荷；在杂质浓度低的地方空穴浓度高于杂质浓度，带正电荷。空间电荷的分离就形成了内建电荷。内建电场引起了空穴的漂移运动。