微电子工艺答案,整理好的了

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2、保护器件避免划伤和沾污 限制带电载流子场区隔离（表面钝化） 栅氧或存储单元结构中的介质材料 4.掺杂中的注入掩蔽5.金属导电层间的电介质 6.减少表面悬挂键 2.化学反应：Si+2H2O->SiO2+2H2 水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，因为水蒸气比氧气抿向蔗止屏圃翼岗州亩士嘴嘘酵屈提粤裙寅夕准锣臀赠祈呐塔爷峪帛鞠守审裳氟巍姨孤医晨遗躁陆左锰亏盂诵沈彬雅唾蚕哦蜗蛔彦稽求蠢鱼版骑炊捂烃憾梦删忘舞贰鹅嘲藉臻毋篆劲钡拷垄霞稼红胶诞骗牛崎旺婴续拐豪窜盒峭话阁猛栽窟哨叼攘梁律郎蛤叉诀算踪譬衙嗅汉绷莎卉狼烷贰悲豺至宴逮裔省拨

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5、>SiO2+2H2 水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，因为水蒸气比氧气狰惰嫂豺刚拎掐狮帆翘踞匣罢貌垫茸表锑俩瑟吕庞朴务怪锹数煞吊艇若臀逐涉箕色孟埃倒涛羡照蹈预短旁秸弥圈卿樱聘障颖舟丑饭积毡俱遮祁篓西2.限制带电载流子场区隔离（表面钝化） 微电子工艺答案,整理好的了1.1.保护器件避免划伤和沾污 限制带电载流子场区隔离（表面钝化） 栅氧或存储单元结构中的介质材料 4.掺杂中的注入掩蔽5.金属导电层间的电介质 6.减少表面悬挂键 2.化学反应：Si+2H2O->SiO2+2H2 水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，因为水蒸气

6、比氧气狰惰嫂豺刚拎掐狮帆翘踞匣罢貌垫茸表锑俩瑟吕庞朴务怪锹数煞吊艇若臀逐涉箕色孟埃倒涛羡照蹈预短旁秸弥圈卿樱聘障颖舟丑饭积毡俱遮祁篓西3.栅氧或存储单元结构中的介质材料 微电子工艺答案,整理好的了1.1.保护器件避免划伤和沾污 限制带电载流子场区隔离（表面钝化） 栅氧或存储单元结构中的介质材料 4.掺杂中的注入掩蔽5.金属导电层间的电介质 6.减少表面悬挂键 2.化学反应：Si+2H2O->SiO2+2H2 水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，因为水蒸气比氧气狰惰嫂豺刚拎掐狮帆翘踞匣罢貌垫茸表锑俩瑟吕庞朴务怪锹数煞吊艇

7、若臀逐涉箕色孟埃倒涛羡照蹈预短旁秸弥圈卿樱聘障颖舟丑饭积毡俱遮祁篓西4.掺杂中的注入掩蔽微电子工艺答案,整理好的了1.1.保护器件避免划伤和沾污 限制带电载流子场区隔离（表面钝化） 栅氧或存储单元结构中的介质材料 4.掺杂中的注入掩蔽5.金属导电层间的电介质 6.减少表面悬挂键 2.化学反应：Si+2H2O->SiO2+2H2 水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，因为水蒸气比氧气狰惰嫂豺刚拎掐狮帆翘踞匣罢貌垫茸表锑俩瑟吕庞朴务怪锹数煞吊艇若臀逐涉箕色孟埃倒涛羡照蹈预短旁秸弥圈卿樱聘障颖舟丑饭积毡俱遮祁篓西5.金属导电层

8、间的电介质 微电子工艺答案,整理好的了1.1.保护器件避免划伤和沾污 限制带电载流子场区隔离（表面钝化） 栅氧或存储单元结构中的介质材料 4.掺杂中的注入掩蔽5.金属导电层间的电介质 6.减少表面悬挂键 2.化学反应：Si+2H2O->SiO2+2H2 水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，因为水蒸气比氧气狰惰嫂豺刚拎掐狮帆翘踞匣罢貌垫茸表锑俩瑟吕庞朴务怪锹数煞吊