材料科学基础选择题精编版

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1、1、极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（B）过渡，最终使晶体结构类型发生变化。（A）共价键向离子键　（B）离子键向共价键（C）金属键向共价键　（D）键金属向离子键2、离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（B），离子配位数（）。（A）增大，降低　（B）减小，降低　（C）减小，增大　（D）增大，增大3、氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是（C）。（A）5　（B）6　（C）4　（D）34、NaCl单位晶胞中的“分子数”为4，Na+填充在Cl-所构成的（B）空隙中。（A）全部四面体　（B）全部八面体　（C）1/2四面体　（D）1/2八面体5、CsCl单位晶胞

2、中的“分子数”为1，Cs+填充在Cl-所构成的（C）空隙中。（A）全部四面体　（B）全部八面体　（C）全部立方体　（D）1/2八面体6、MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（B）个MgO分子。（A）2　（B）4　（C）6　（D）87、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（D）。（A）八面体空隙的半数　（B）四面体空隙的半数（C）全部八面体空隙　（D）全部四面体空隙8、萤石晶体中Ca2+的配位数为8，F-配位数为（B）。（A）2　（B）4　（C）6　（D）89、CsCl晶体中Cs+的配位数为8，Cl-

3、的配位数为（D）。（A）2　（B）4　（C）6　（D）810、硅酸盐晶体的分类原则是（B）。（A）正负离子的个数　（B）结构中的硅氧比（C）化学组成　（D）离子半径11、锆英石Zr[SiO4]是（A）。（A）岛状结构　（B）层状结构　（C）链状结构　（D）架状结构1212、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代，这种现象称为（C）。（A）同质多晶　（B）有序—无序转变　（C）同晶置换　（D）马氏体转变13.镁橄榄石Mg2[SiO4]是（A）。（A）岛状结构　（B）层状结构　（C）链状结构　（D）架状结构14、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺

4、序为（A）。（A）沸石>萤石>MgO　（B）沸石>MgO>萤石　（C）萤石>沸石>MgO　（D）萤石>MgO>沸石15、根据鲍林（Pauling）规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（B）。（A）2　（B）4　（C）6　（D）816、构成硅酸盐晶体的基本结构单元[SiO4]四面体，两个相邻的[SiO4]四面体之间只能（A）连接。（A）共顶　（B）共面　（C）共棱　（D）A+B+C17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是（D）。（A）弗仑克尔缺陷　（B）肖特基缺陷　（C）杂质缺陷　（D）A+

5、B18、位错的（A）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。（A）攀移　（B）攀移　（C）增值　（D）减少19、对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（D）。（A）负离子空位　（B）间隙正离子　（C）间隙负离子　（D）A或B20、对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（D）。（A）正离子空位　（B）间隙负离子　（C）负离子空位　（D）A或B21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响,主要表现为（D）。（A）稳定晶格　（B）活

6、化晶格　（C）固溶强化　（D）A+B+C22、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。固溶体有有限和无限之分，其中（B）。12（A）结构相同是无限固溶的充要条件（B）结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件（C）结构相同是有限固溶的必要条件（D）结构相同不是形成固溶体的条件23、缺陷对晶体的性能有重要影响，常见的缺陷为（D）。（A）点缺陷　（B）线缺陷　（C）面缺陷　（D）A+B+C24、按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（D）。（A）热缺陷　（B）杂质缺陷　（C）非化学计量缺陷　（D）A+B+C25、晶体中的热缺

7、陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（B）。（A）线性增加　（B）呈指数规律增加　（C）无规律　（D）线性减少26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（D）。（A）杂质质点大小　（B）晶体（基质）结构　（C）电价因素　（D）A+B+C27、位错的滑移是指位错在（A）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。（A）外力　（B）热应力　（C）化学力　（D）结构应力28、柏格斯矢量（BurgersVector）与位错线垂直的位错称为（A），其符号表