材料科学基础选择题

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1、1、极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（B）过渡，最终使晶体结构类型发生变化。A:共价键向离子键B:离子键向共价键C:金属键向共价键D:键金属向离子键2、离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（B），离子配位数（）。A:增大，降低B:减小，降低C:减小，增大D:增大，增大3、氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是（C）。A:5B:6C:4D:34、NaCl单位晶胞中的“分子数”为4，Na+填充在Cl-所构成的（B）空隙中。A:全部四面体B:全部八面体C:1/2四面体D:1/2八面体5、CsCl单位晶胞中的“分子

2、数”为1，Cs+填充在Cl-所构成的（C）空隙中。A:全部四面体B:全部八面体C:全部立方体D:1/2八面体6、MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（B）个MgO分子。A:2B:4C:6D:87、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（D）。A:八面体空隙的半数B:四面体空隙的半数C:全部八面体空隙D:全部四面体空隙8、萤石晶体中Ca2+的配位数为8，F-配位数为（B）。A:2B:4C:6D:89、CsCl晶体中Cs+的配位数为8，Cl-的配位数为（D）。A

3、:2B:4C:6D:810、硅酸盐晶体的分类原则是（B）。A:正负离子的个数B:结构中的硅氧比C:化学组成D:离子半径11、锆英石Zr[SiO4]是（A）。A:岛状结构B:层状结构C:链状结构D:架状结构12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代，这种现象称为（C）。A:同质多晶B:有序—无序转变C:同晶置换D:马氏体转变13.镁橄榄石Mg2[SiO4]是（A）。A:岛状结构B:层状结构C:链状结构D:架状结构1411、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序为（A）。A:沸石>萤石>MgOB:沸石>

4、MgO>萤石C:萤石>沸石>MgOD:萤石>MgO>沸石15、根据鲍林(Pauling)规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（B）。A:2　　B:4C:6　　　D:816、构成硅酸盐晶体的基本结构单元[SiO4]四面体，两个相邻的[SiO4]四面体之间只能（A）连接。A:共顶　　B:共面C:共棱　　　D:A+B+C17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是（D）。A：弗仑克尔缺陷B：肖特基缺陷C：杂质缺陷D：A+B18、位错的（A）是指在热缺陷的作

5、用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。A:攀移B:攀移C:增值D:减少19、对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（D）。A:负离子空位B:间隙正离子C:间隙负离子D:A或B20、对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（D）。A:正离子空位B:间隙负离子C:负离子空位D:A或B21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响,主要表现为（D）。A:稳定晶格B:活化晶格C:固溶强化D:A+B+C22、固

6、溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。固溶体有有限和无限之分，其中（B）。A:结构相同是无限固溶的充要条件B:结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件C:结构相同是有限固溶的必要条件11D:结构相同不是形成固溶体的条件23、缺陷对晶体的性能有重要影响，常见的缺陷为（D）。A:点缺陷B:线缺陷C:面缺陷D:A+B+C24、按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（D）。A:热缺陷B:杂质缺陷C:非化学计量缺陷D:A+B+C25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是

7、（B）。A:线性增加B:呈指数规律增加C:无规律D:线性减少26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（D）。A:杂质质点大小B:晶体（基质）结构C:电价因素D:A+B+C27、位错的滑移是指位错在（A）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。A:外力B:热应力C:化学力D:结构应力28、柏格斯矢量（BurgersVector）与位错线垂直的位错称为(A)，其符号表示为()。A:刃位错；⊥B:刃位错；VXC:螺位错；D:刃位错；29、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所

8、产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（B）。A:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增