基于ADS的低噪放大器设计

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1、xxx研究生射频电路课程报告基于ADS的低噪放大器设计学生：xxx学号：xxx指导教师：xxx专业：电子与通信工程Xxxxxx二O一三年十一月15目录目录11引言21.1低噪声放大器设计理论21.2低噪声放大器设计步骤21.3本次设计主要性能指标21.4小结32低噪声放大器设计42.1晶体管的选择和下载42.2直流分析42.3偏置电路的设计52.4稳定性分析62.5噪声系数圆和输入匹配82.6最大增益的输出匹配122.7匹配网络的实现142.8原理图仿真152.9小结15151引言1.1低噪声放大器设计理论低噪声放大器的设计目标就是在选择适当的晶体管后，通过设计合适的输入输

2、出匹配网络来达到极低的噪声系数的同时获得一定的增益，通常在设计中采用折中的方案来达到设计要求。在LNA的设计中，需要考虑的最重要的几个因素如下：放大器的稳定性：设计射频放大器时，必须优先考虑电路稳定性。稳定性是指放大器抑制环境变化维持正常工作特性的能力。在设计中，绝对稳定系数K必须大于1，放大器才能达到绝对稳定。放大器的功率增益：对输入信号进行放大是放大器最重要的任务，因此在放大器的设计中增益指标的完成很是重要，而我们通常所说的增益主要指转换功率增益G。放大器输入输出驻波比：驻波比反映了信源与晶体管及晶体管与负载之间的失配程度，所以设计时要求驻波比要保持在特定指标之下。放大

3、器的噪声：对放大器来说，噪声的存在对整个设计有重要影响，在低噪声的前提下对信号进行放大是对放大器的基本要求。1.2低噪声放大器设计步骤晶体管的选择、下载与安装；直流分析；偏置电路设计；稳定性分析；噪声系数圆和输入匹配；匹配网络的实现；原理图仿真。1.3本次设计主要性能指标中心频率fo=5.8GHz；带宽B=300MHz；增益G=15dB；噪声系数Nf小于等于3dB；Zin=Zout=50Ω。151.4小结本次对低噪声放大器的设计，使用Agilent公司的高级设计软件ADS2009仿真，首先确定了ATF35176晶体管的静态工作点，得到晶体管ATF35176在直流偏置情况下的

4、小信号电路的模型，然后设计了一个在中心频率为5.8GHz满足指标要求的低噪声放大器。152低噪声放大器设计2.1晶体管的选择和下载低噪声放大器的性能取决于有源器件的噪声特性和匹配网络的设计。HP公司的ATF35176是一种低噪声砷化镓PHEMT器件，在理想的工作点下，在12GHz以下噪声系数为0.75dB以下，是一款适用于工作在2~18GHz的低噪声放大器，所以本设计选择了此种晶体管。另外考虑放大器的增益指标，由于ATF35176单级增益可以达到为18dB，而本设计要求增益达到15dB，所以只需要单级电路就可以达到指标。ADS2009自带的元器件库里含有ATF35176元器

5、件模型，不需要下载和安装。2.2直流分析设计第一步是确定晶体管的直流工作点，根据ATF35176的datasheet设置DC_FET控件的参数，连接原理图后进行仿真。从ATF35176的数据手册可以得到噪声Vds和Ids的关系，从而确定静态工作点。在6GHz时，当Vds=3V且Ids=20mA时，此时增益大约为16dB，能满足设计要求，那么晶体管的直流工作点就设为Vds=3V，ds=20mA。图2.1ATF35176的datasheet图2.2直流分析原理图15图2.3ATF35176的直流特性2.3偏置电路的设计创建一个新的原理图，在原理图中放入ATF35176的模型和D

6、A_FETBias控件，选择TransistorBiasUtility设置偏置电路的属性。仿真后有三个偏置电路可以选择。有两个网络里面，晶体管的源极是有电阻的，但通常低噪放大器的设计中，源级只接反馈电感（微带线），所以选用第一个偏置网络。选定网络后，得到了偏置子电路，按照子电路画出偏置原理图，其中偏置子电路中一些电阻值不是常规标称值，仅是理论计算结果，用相近的常规标称值代替。图2.4偏置电路原理图图2.5偏置子电路15图2.6完成后的偏置电路原理图2.4稳定性分析1.进行S参数的仿真，添加控件Term、StabFact、MaxGain。放大器的直流和交流之间的通路要添加射频

7、直流电路，它的实质是一个无源低通电路，使直流偏置信号能传输到晶体管引脚，而晶体管的射频信号不能进入直流通路，在这里先用【DC_Feed】直流电感代替。同时，直流偏置信号不能传到两端的Term，需加隔直电容，【DC_Block】隔直电容代替。图2.7加入理想直流扼流和射频扼流的原理图15图2.8最大增益和稳定系数曲线仿真结束后，显示MaxGain1和Stabfact1两个图表中观察，从图2.8我们可以看出，在5.8GHz时，最大增益为18.042dB，稳定系数为K=0.646，绝对稳定系数K＜1，说明电路不稳定。2.