基于ads的低噪声放大器设计

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1、基于ADS的低噪声放大器设计［扌商要］伴随着无线通信和CMOS工艺的发展，让基于CMOS工艺下的射频集成电路设计成为目前研究热点。本文主要是设计低噪声放大器，决定着接收机整体性能的关键模块。它需要具有低噪声、良好的增益、线性度、较低的功耗和合适的输入输出匹配。木文是基于TSMC0.18umCMOS工艺并运用电感源极负反馈与共源共栅结构的结合作为设计低噪声放人器的基本框架，并采用ADS软件对电路图进行仿真，对初步仿真结果进行进一步分析，处理的难点在于这些参数是密不可分的，因此要对它们进行折衷的考虑分析、优化调谐操作等等。仿

2、真结果为：在5.2GI1Z处，输入输出回波放射系数几与S?2都小于-30dB,增益值S21为14.106dB,功耗为38mA,噪声系数为1.228dB,ldB压缩点为-11.20dBm,三阶互调点为-2.5dBmo以上结果均满足预先的设计指标要求。［关键词］低噪声放大器ADS仿真CMOS工艺电感源极负反馈共源共栅LowNoiseAmplifierdesignbesedonADSZhengpengdaNO:2011850022,Electronicscienceandtechnologymajor,2015,Informa

3、tionEngineeringCollegeofJimeiUniversityAbstract:WiththedevelopmentofwirelesscommunicationtechnologiesandCMOStec-hnology,letradiofrequencyintegratedcircuitdesignbasedonCMOSprocesshasbecomethehottopicofthecurrentresearch.Thispaperistodesignthelownoiseamplifierwhi-c

4、thisthekeytotheoverallperformanceofthereceivermodule・Ithasrequiredlownoise,goodgainandlinearity,lowpowerconsumption,theappropriateinputandoutputmatching.ThispaperisbasedonTSMC0.18umCMOSprocessandcascodetopologywithinductivesourcedegenrationnegativefeedbackastheb

5、asicframeworkofthedesignoflownoiseamplifier.ThecircuitdiagramoflownoiseamplifierwithADSsoftwaresimulation.Forpr-eliminarysimulationresultsforfurtheranalysis,dealwiththedifficultyisthattheseparametersareinseparable,sowanttocompromisetheirconsiderationanalysis,op

6、timizationandtuningoperationandsoon.Simulationresults:at5.2GHz,inputandoutputechoradiationcoefficientandarelessthan30dB,thegainvalueof14.106dB,powerconsumptionis38ma5noisecoefficientis1.228dB51dBcompressionpoi-ntfor-11.20dBm,Thethirdorderintermodulationpointof2.

7、5dBm・Theseresultscansatisfytherequirementsofdesi-gnindexoftheadvanee.Keywords:LowNoiseAmplifier,ADSsimulation,CMOStechnology,Cascodetopologywithinductivesourcedegenration目录引言0第1章低噪声放大器的基木原理以及性能参数11.1基木概念11.2低噪声放大器性能参数的介绍1第2章低噪声放大器的方案设计62.1电感源极负反馈结构的采用以及相应的参数介绍62.

8、2共源共栅结构(Cascode)的低噪声放大器72.3单端和差分放大器8第3章低噪声放大器的电路设计与仿真结果103.1低噪声放大器的电路图设计103.1.1低噪声放大器设计的性能指标要求103.1.2低噪声放大器(LNA)的电路图113.2仿真结果电路图113.3仿真结果分析123.3.1DC直流仿真123.3.2