模电试卷题库

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1、1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV,输出电压为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直流电压），它的电压增益为（C）a、700b、650c、100d、-1002.当输入信号频率为fL或fH时，电压增益的幅值约下降为中频时的（B）a、05.b、0.7c、0.9d、13.当输入信号频率为fL或fH时，电压增系下降了（B）。A、2dBB、3dBC、4dBD、6dB4.某放人电路在负载开路时的输出电压为4V,接3K的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻a、10KQb、2KQc、1KQd、0.5KQ5.用两个Au相同的放人电路A和B分别对同一个具

2、有相同内阻的电压信号进行放大，测试结果输出电压Voa>Vob,由此可知A比B（C）a、一样b、差c、好d>无法判别6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Voa=Vob，都接入负载Rl时，测得Voa〈Vob,由此必须A比B（C）a、输入电阻高b、输入电阻小c、输出电阻高d、输出电阻低理想运放7.在线性区内，分析理想运放二输入间的电压时可采用（A）a、虚短b、虚断c、虚地d＞以上均否8•如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（A）a、OVb、3Vc、6Vd、9V9.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压Vo为（C）a、9Vb、6Vc、OVd、3V10•设

3、％、Vp和Vo分别表示反相输入端、同相输入端和输出端，则Vo与Vn、Vp分别成（D）a、同相、同相b、反相、反相c、同相、反相d、反相、同相11・若要将幅度为±5的矩形波转变为三角波，则应选用（D）A、反相比例运算电路B、同相比例运算电路C、微分运算电路D、积分运算电路半导体12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（D）。a、电了b、空穴c、三价硼元素d＞五价磷元素13•半导体中有两种载流子，它们分别是（C）a、电子和受主离子b、空穴和施主离子c、电子和空穴d、受主离子和施主离子14.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（B）a、温度b、杂质浓度c、掺杂丁•艺d、晶

4、体缺陷15•在室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加是（C）a、载流子b、多数载流子c、少数载流子d、正负离子16•温度升高后，在纯半导体中，其电子、空穴变化为（A）a、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同b、空穴增多，自由电子数口不变C、自由电了增多，空穴数目不变<1、自由电子和空穴数目都不变二极管17.PN结不加外部电压时，PN结屮的电流为（B）a、只从P区流向N区b、等于零c、只从N区流向P区d.无法判别a、减小b、增大c、基本不变d>无法确定19•当PN结外加正向电压时，耗尽层将（C）流过二极管的电流一定，而温度升高时,二极管的正向电压（Aa、不变b、变宽c、变窄d

5、、无法判别20•二极管正向电压从0.7V增大5%吋，流过的电流增大为（B）a>5%b、大于5%c、小于5%d、不确定2L温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线应（b）a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能22•利用二极管组成整流电路，是应用二极管的（D）a、反向击穿特性b、正向特性c、反向特性d、单向导电性23.PN结形成后，PN结中含有（D）a、电了b、空穴c、电了和空穴d＞杂质离了24.PN结不加外部电压时，扩散电流与漂移电流应（A）a、相等b、大于c、小于d、无法确定25•稳压管能够稳定电压，它必须工作在（D）a、正向状态b、反向状态c、单向导电状态d、反向击穿状态26•以下四

6、种半导体器件中，为硅稳压管的是（C）a、2CZ11b、2AP6c、2CW11d、2CP1027•在一般电路分析计祢时，常将二极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号模型。如图所示符号为（C）。A、理想模型B、恒压降模型C、折线模型D、小信号模型三极管28•放大电路的静态是指（d）a、输入端短路b、输入端开路c、交流信号短路d、交流信号为零29•三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度（C）a、低b、中c、高d＞以上均可30•三极管工作在饱和区时，极间，b・c极间分别为（D）a、反偏，反偏b、反偏，止偏c、正偏，反偏d＞正偏，正偏31•三极管工作在放大区时，b・e极间、

7、b・c极间分别为（D）a、正编、正编b、反编、反编c、反编、正编d、正编、反编32.NPN型和PNP型三极管的区别是（C）a由两种不同的材料硅或错构成b、掺入的杂质不同c、P区和N区的位置不同d、以上均否33•温度升高时，三极管的输出特性曲线将（A）a、上移b、下移c、不变d>以上均有可能34•温度升高时，三极管极间反向电流将（A）a、增人b、减小c、不变d、无法确定35•某三极管的极限参数PcM=150mw,Icm=100mA,V（br）ceo=30V,