模电试卷题库(含答案)

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1、1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直流电压），它的电压增益为（C）a、700b、650c、100d、-1002.当输入信号频率为fL或fH时，电压增益的幅值约下降为中频时的（B）a、05.b、0.7c、0.9d、13.当输入信号频率为fL或fH时,电压增系下降了(B)。A、2dBB、3dBC、4dBD、6dB4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（C）a、10K

2、Ωb、2KΩc、1KΩd、0.5KΩ5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B（B）a、一样b、差c、好d、无法判别6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时VOA=VOB，都接入负载RL时，测得VOA

3、想器件，则其输出电压V0为（A）a、0Vb、3Vc、6Vd、9V2.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压VO为（C）a、9Vb、6Vc、0Vd、3V3.设VN、VP和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输出端，则V0与VN、VP分别成（D）a、同相、同相b、反相、反相c、同相、反相d、反相、同相4.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（D） A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路半导体5.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（D）。a、电子b、空穴

4、c、三价硼元素d、五价磷元素6.半导体中有两种载流子，它们分别是（C）a、电子和受主离子b、空穴和施主离子c、电子和空穴d、受主离子和施主离子7.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（B）a、温度b、杂质浓度c、掺杂工艺d、晶体缺陷1.在室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加是（C）a、载流子b、多数载流子c、少数载流子d、正负离子2.温度升高后，在纯半导体中，其电子、空穴变化为（A）a、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同b、空穴增多，自由电子数目不变c、自由电子增多，空穴数目不变d、自由电子

5、和空穴数目都不变二极管3.PN结不加外部电压时，PN结中的电流为（B）a、只从P区流向N区b、等于零c、只从N区流向P区d、无法判别4.流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压（A）a、减小b、增大c、基本不变d、无法确定5.当PN结外加正向电压时，耗尽层将（C）a、不变b、变宽c、变窄d、无法判别6.二极管正向电压从0.7V增大5%时，流过的电流增大为（B）a、5%b、大于5%c、小于5%d、不确定7.温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线应（A）a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能8.利用二极

6、管组成整流电路，是应用二极管的（D）a、反向击穿特性b、正向特性c、反向特性d、单向导电性9.PN结形成后，PN结中含有（D）a、电子b、空穴c、电子和空穴d、杂质离子1.PN结不加外部电压时，扩散电流与漂移电流应（A）a、相等b、大于c、小于d、无法确定2.稳压管能够稳定电压，它必须工作在（D）a、正向状态b、反向状态c、单向导电状态d、反向击穿状态3.以下四种半导体器件中，为硅稳压管的是（C）a、2CZ11b、2AP6c、2CW11d、2CP104.在一般电路分析计祘时，常将二极管简化为理想模型、恒压降模型

7、、折线模型和小信号模型。如图所示符号为（C）。A、理想模型B、恒压降模型C、折线模型D、小信号模型三极管5.放大电路的静态是指（A）a、输入端短路b、输入端开路c、交流信号短路d、交流信号为零6.三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度（C）a、低b、中c、高d、以上均可7.三极管工作在饱和区时，b-e极间，b-c极间分别为（D）a、反偏，反偏b、反偏，正偏c、正偏，反偏d、正偏，正偏8.三极管工作在放大区时，b-e极间、b-c极间分别为（D）a、正编、正编b、反编、反编c、反编、正编d、正编、反编9.

8、NPN型和PNP型三极管的区别是（C）a由两种不同的材料硅或锗构成b、掺入的杂质不同c、P区和N区的位置不同d、以上均否1.温度升高时，三极管的输出特性曲线将（A）a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能2.温度升高时，三极管极间反向电流将（A）a、增大b、减小c、不变d、无法确定3.某三极管的极限参数PcM=150mW，IcM=100mA，V（BR）CEo=30V，若它的工作电压Vc