模电试卷题库(含答案)

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1、1.某个处于放大状态的电路,当输入电压为10mV,输出电压为6.5V,输入电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直流电压),它的电压增益为(C)a、700b、650c、100d、-1002.当输入信号频率为fL或fH时,电压增益的幅值约下降为中频时的(B)a、05.b、0.7c、0.9d、13.当输入信号频率为fL或fH时,电压增系下降了(B)。A、2dBB、3dBC、4dBD、6dB4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为(C)a、10K

2、Ωb、2KΩc、1KΩd、0.5KΩ5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大,测试结果输出电压VOA>VOB,由此可知A比B(B)a、一样b、差c、好d、无法判别6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时VOA=VOB,都接入负载RL时,测得VOA

3、想器件,则其输出电压V0为(A)a、0Vb、3Vc、6Vd、9V2.如图示,运放A为理想器件,则其输出电压VO为(C)a、9Vb、6Vc、0Vd、3V3.设VN、VP和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输出端,则V0与VN、VP分别成(D)a、同相、同相b、反相、反相c、同相、反相d、反相、同相4.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波,则应选用(D) A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路半导体5.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的(D)。a、电子b、空穴

4、c、三价硼元素d、五价磷元素6.半导体中有两种载流子,它们分别是(C)a、电子和受主离子b、空穴和施主离子c、电子和空穴d、受主离子和施主离子7.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(B)a、温度b、杂质浓度c、掺杂工艺d、晶体缺陷1.在室温附近,当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是(C)a、载流子b、多数载流子c、少数载流子d、正负离子2.温度升高后,在纯半导体中,其电子、空穴变化为(A)a、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同b、空穴增多,自由电子数目不变c、自由电子增多,空穴数目不变d、自由电子

5、和空穴数目都不变二极管3.PN结不加外部电压时,PN结中的电流为(B)a、只从P区流向N区b、等于零c、只从N区流向P区d、无法判别4.流过二极管的电流一定,而温度升高时,二极管的正向电压(A)a、减小b、增大c、基本不变d、无法确定5.当PN结外加正向电压时,耗尽层将(C)a、不变b、变宽c、变窄d、无法判别6.二极管正向电压从0.7V增大5%时,流过的电流增大为(B)a、5%b、大于5%c、小于5%d、不确定7.温度升高时,二极管的反向伏安特性曲线应(A)a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能8.利用二极

6、管组成整流电路,是应用二极管的(D)a、反向击穿特性b、正向特性c、反向特性d、单向导电性9.PN结形成后,PN结中含有(D)a、电子b、空穴c、电子和空穴d、杂质离子1.PN结不加外部电压时,扩散电流与漂移电流应(A)a、相等b、大于c、小于d、无法确定2.稳压管能够稳定电压,它必须工作在(D)a、正向状态b、反向状态c、单向导电状态d、反向击穿状态3.以下四种半导体器件中,为硅稳压管的是(C)a、2CZ11b、2AP6c、2CW11d、2CP104.在一般电路分析计祘时,常将二极管简化为理想模型、恒压降模型

7、、折线模型和小信号模型。如图所示符号为(C)。A、理想模型B、恒压降模型C、折线模型D、小信号模型三极管5.放大电路的静态是指(A)a、输入端短路b、输入端开路c、交流信号短路d、交流信号为零6.三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度(C)a、低b、中c、高d、以上均可7.三极管工作在饱和区时,b-e极间,b-c极间分别为(D)a、反偏,反偏b、反偏,正偏c、正偏,反偏d、正偏,正偏8.三极管工作在放大区时,b-e极间、b-c极间分别为(D)a、正编、正编b、反编、反编c、反编、正编d、正编、反编9.

8、NPN型和PNP型三极管的区别是(C)a由两种不同的材料硅或锗构成b、掺入的杂质不同c、P区和N区的位置不同d、以上均否1.温度升高时,三极管的输出特性曲线将(A)a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能2.温度升高时,三极管极间反向电流将(A)a、增大b、减小c、不变d、无法确定3.某三极管的极限参数PcM=150mW,IcM=100mA,V(BR)CEo=30V,若它的工作电压Vc

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