track工艺介绍

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1、导轨工艺简介涂胶基本流程前处理（PRIMING）涂胶（APPLY）软烘（SB）AHACAHACHPHPHPHPINDTRSCSCDNS涂胶系统图：冷板（COOLPLATE）•HP：HOTPLATEIND：INDEXERAH：ADHESIONCHAMBERWITHHP•AC：ADHESIONCHAMBERWITHCPSC：SPINCOATER•TR：TRANSFERUNIT涂胶前处理（PRIMING）•目的：增加圆片衬底与光刻胶的粘附性•化学试剂：HMDS（六甲基二硅胺）•气相涂布方法：1。常温下的HMDS批处理箱

2、2。高温低真空下的HMDS批处理箱3。高温低真空下（高温下）的HMDS单片处理模块•确认HMDS的效果用接触角计测量，一般要求大于65度•前处理注意事项•来片衬底必须是干净和干燥的•HMDS处理后应及时涂胶•HMDS处理不能过度•安全使用HMDS31N2INHMDSVAPOROUT涂胶（COATING）•影响光刻胶厚度和均匀性的主要参数：•环境温度•环境湿度•排风净压力•光刻胶温度•光刻胶量•旋转马达的精度和重复性•回吸量•预旋转速度，预旋转时间，最终旋转速度，最终旋转时间，最终旋转加速度软烘（SOFTBAKE）

3、软烘目的：•去除光刻胶中的溶剂•增加粘附性•提高E0的稳定性•减少表面张力软烘方法：•热对流烘箱•红外线辐射•接触式（接近式）热版•软烘的关键控制点是温度和时间显影前烘焙（PEB）•目的：降低或消除驻波效应•PEB温度一般要求比软烘高15-20度•PEB一般采用接触式或接近式热板烘焙•PEB的关键控制点是温度与时间显影（DEVELOPER）目的：简单的说就是去除已曝光部分的光刻胶显影方法：•浸润显影（IMMESRSION）•喷雾显影（SPRAY）•静态显影（PUDDLE）影响显影的因素：•显影液成份•显影液温度•

4、环境温度•环境湿度•显影液量•显影方式•程序坚膜（HARDBAKE）•目的：•去除残余的显影液，水及有机溶剂•提高粘附性•预防刻蚀时胶形貌变形•方法：•接触式或接近式热板•DUV•控制关键点是温度和时间光刻胶工艺•确定光刻胶厚需考虑的几个因素：•圆片表面的形貌•显影损失的胶厚•刻蚀损失的胶厚•屏蔽注入所需胶厚•无针孔所需胶厚光刻胶工艺控制•光刻胶厚度及极差•颗粒•光刻胶缺陷•胶量•排风•热板温度•显影液量•显影均匀性•E0驻波效应（STANDINGWAVE）驻波效应原理：由于入射光与反射光产生干涉使沿胶厚的方向的

5、光强形成波峰和波谷产生的降低或消除驻波效应的两种方法：•PEB•加抗反射层：用有机(TARC/BARC)&无机材料(TIN)NOPEBPEBTRACK工艺简介摘要本文简要介绍关于涂胶、显影工艺的一些相关内容。引言超大规模IC对光刻有五个基本要求，即：高分辨率、高灵敏度、精密的套刻对准、低缺陷和大尺寸上的加工问题（如温度变化引起晶圆的胀缩等）。这五个基本要求中，高分辨率、高灵敏度和低缺陷与涂胶、显影工艺有很密切的关系。第一节涂胶工艺1光刻胶光刻胶主要由树脂（Resin）、感光剂（Sensitizer）及溶剂（Sol

6、vent）等不同材料混合而成的，其中树脂是粘合剂（Binder）,感光剂是一种光活性（Photoactivity）极强的化合物，它在光刻胶内的含量和树脂相当，两者同时溶解在溶剂中，以液态形式保存。除了以上三种主要成分以外，光刻胶还包含一些其它的添加剂（如稳定剂，染色剂，表面活性剂）。光刻胶分为正胶和负胶。负胶在曝光后会产生交联（CrossLinking）反应，使其结构加强而不溶解于显影液。正胶曝光后会产生分解反应，被分解的分子在显影液中很容易被溶解，从而与未曝光部分形成很强的反差。因负胶经曝光后，显影液会浸入已交

7、联的负性光刻胶分子内，使胶体积增加，导致显影后光刻胶图形和掩膜版上图形误差增加，故负胶一般不用于特征尺寸小于0.3um的制造。典型的正胶材料是邻位醌叠氮基化合物，常用的负胶材料是聚乙稀醇肉桂酸酯。CSMC-HJ用的是正性光刻胶。在相同的光刻胶膜厚和曝光能量相同时，不同光刻胶的感光效果不同。在一定的曝光波长范围内，能量低而感光好的胶称为灵敏度，反之则认为不灵敏。我们希望在能满足光刻工艺要求的情况下，灵敏度越大越好，这样可减少曝光时间，从而提高产量。2涂胶涂胶是在结净干燥的圆片表面均匀的涂一层光刻胶。常用的方法是把胶

8、滴在圆片上，然后使圆片高速旋转，液态胶在旋转中因离心力的作用由轴心沿径向飞溅出去，受附着力的作用，一部分光刻胶会留在圆片表面。在旋转过程中胶中所含溶剂不断挥发，故可得到一层分布均匀的胶膜。涂胶过程有以下几个步骤：1.1涂胶前处理（Priming）：要使光刻胶精确地转移淹膜版上的图形，光刻胶与圆片之间必须要有良好的粘附。在涂胶之前，常采用烘烤并用HMDS（六甲基二硅胺）处理