3、大,速度慢,成本高4、存储单元是指(c)。 A、存放1个二进制信息位的存储元B、存放1个机器字的所有存储元集合 C、存放1个字节的所有存储元集合D、存放2个字节的所有存储元集合5、存取周期是指( c)。A、存储器的写入时间B、存储器进行连续写操作允许的最短间隔时间C、存储器连续读或者写操作所允许的最短间隔时间6、某SRAM芯片,其容量为1M×8位,除电源和接地端外,控制端有OE和R/W,该芯片的管脚引出线数目是(B)。A、 20 B、28 C 、30 D、327、某存储器容量为32K*16,则(C)A、其地址线为16根,数据线为
4、32根B、其地址线为32根,数据线为16根C、其地址线为15根,数据线为16根D、其地址线和数据线均为16根8、某机字长32位,存储容量64MB,若按字编址,它的寻址范围是(B)。 A 8M B 16MB C 16M D 8MB附:首先1M=8Mbit按字寻址:8Mbit*64/32bit=16M9、某机字长64位,存储容量64MB,若按字编址,它的寻址范围是(C )。 A 1M B 1MB C 8M D 8MB附:首先1M=8Mbit按字寻址:8Mbit*64/64bit=8M10、EEPROM是指(D)。 A 读
5、写存储器(RAM) B 只读存储器(ROM) C 闪速存储器(FlashMemory) D 电擦除可编程只读存储器(EERPOM)11、下列说法正确的是(B)Ⅰ半导体RAM信息可读可写,且掉电后仍能保持记忆Ⅱ动态RAM是易失性RAM,且静态RAM的存储信息是不易失的Ⅲ半导体RAM是易失性RAM,但只要电源不掉电,所存信息是不丢失的Ⅳ半导体RAM是非易失性的RAM(掌握记忆)A、Ⅰ和ⅡB、只有ⅢC、Ⅱ和ⅣD、全错12、半导体静态(SRAM)的存储原理是(D)A、依靠双稳态电路B、依靠定时刷新C、依靠读后再生D、信息不再变化附:静态RAM(S