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时间:2019-11-28
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1、北京大学信息学院考试试卷考试科目:数字集成电路原理考试时间姓名:学号:题一二三四五六七八九十总分号分数阅装订线内卷人考场纪律1.请持学生证入场考试,并按指定座位就座;除必要的文具和教师指定的用具用书外,其他所有物品包括手机、呼机、MP3、电子词典、书籍、笔记、纸张等严禁带入座位,必须放在指定位置。凡有试题印制问题请向监考教师提出,不得向其他考生询问。2.认真、诚实、独立并在规定时间内完成答卷,严禁任何形式的违纪作弊行为;否则,本答卷成绩以0分记,并根据《北京大学本科考试工作与学术规范条例》给予纪律处分。不要答题3.提前交卷的考生
2、不要在考场逗留,不要在门口、窗外大声喧哗。考试结束时间到,请停止答卷,在座位等候监考教师收卷并清点完毕,方可离开考场;考题和试卷不得带出考场。以下为答题纸,共6页一、填空1、(4分)CMOS逻辑电路中NMOS管是(增强)型,PMOS管是(增强)型;NMOS管的体端接(地),PMOS管的体端接(VDD)。12、(8分)CMOS逻辑电路的功耗由3部分组成,分别是(动态功耗)、(开关过程中的短路功耗)和(静态功耗);增大器件的阈值电压有利于减小(短路功耗和静态)功耗。3、(6分)饱和负载NMOS反相器的3个主要缺点是:(输出高电平有阈
3、值损失),(输出低电平不是0,与比例因子Kr相关),(输出低电平时有静态功耗)。4、(3分)三态输出电路的3种输出状态是:(高电平),(低电平)和(高阻态)。二、(12分)画出实现Y=(A+B+C)D+ABC的静态CMOS电路,如果所有MOS管的导电因子都是K,分析几个输入同步变化的等效反相器的导电因子(KNeff和KPeff),在什么输入状态下电路有最小的低电平噪声容限。Kneff=1/(1/3k+1/k)+k/3=3k/4+k/3=(13/12)K;Kpeff=1/(1/3k+1/k)+k/3=(13/12)K;当D=1,A
4、、B、C同步变化时,上拉通路3个串联的PMOS管起作用,下拉支路所有NMOS都起作用,Kneff最大,Kpeff最小,传输特性曲线在最左边。2三、(12分)分析下面2个电路的逻辑功能,若所有输入高电平都是5V、输入低电平都是0V,电源电压是5V,所有MOS管的阈值电压绝对值都是0.8V,分析2个电路的输出高、低电平和主要优缺点。装订线内(1)(2)⎧A=B=0时,Voh=5V电路1)Y=AB+AB,Vol=,0⎨,⎩A=B=1时,Voh=2.4V电路2)Y=AB+AB+AB=A+B,低电平0V,高电平4.2V不要答题电路1)结构
5、简单,节省面积,逻辑电平与输入状态相关,驱动能力差,噪声容限小。电路2)结构规整,逻辑灵活,改变输入信号可以实现对AB的多种操作,输出高电平有阈值损失,驱动能力差,噪声容限小。四、(10分)写出下图电路的逻辑表达式,推导输出高、低电平,已知,VDD=5V,VTN=-VTP=1V。3解:这是类PMOS电路,Y=A+B。输出高电平的时候有直流通路,高电平决定于KPeff和KN。输出高电平时,PMOS在线性区,NMOS在饱和区。222KPeff[(0-VDD-VTP)-(0-Vout-VTP)]=KN(VDD-VTN)V=V=16−3
6、2K+
7、V
8、代值,化简得:outOHrTP若要求VOH足够大,则要求16>>32Kr,即Kr<<1/2。输出低电平VOL=0。五、(10分)画出ECL电路的电流开关部分的电路图,简单说明为什么2个集电极电阻取不同值。V+VIHIL因为V=,当Vin是低电平Vil时,T1截止,T2导通,有电BB2流流过Rc2,使Vc2=Vcc–Ie2Rc2,Vc1=Vcc。当Vin是高电平时,T1导通,T2截止Vc1=Vcc–Ie1Rc1,Vc2=Vcc,由于Vbb和Vih不同,T1导通和T2导通时电流不同,为了使输出低电平相同,应使Vcc–RI
9、c1E2Ie1Rc1=Vcc–Ie2Rc2,因此=两个集电极电阻不同。RIc2E14六、(20分)如图电路实现什么功能;如果所有MOS管取相同尺寸,W=4-72μm,L=0.8μm,Cox=2×10F/cm,电源电压是5V,所有MOS管阈值电2压的绝对值都是0.8V,μn=2μp=600cm/Vs,每个MOS管的源或漏pn结的平均结电容近似是栅电容的0.4倍,(1)根据给定的输入波形,画出V1和Vout波形,标出转变点的电平值,不考虑延迟时间;(2)计算时钟装订线内频率的上限(tt//1τ==τ.8)。rrff不要答题解:Vou
10、t=A(B+C)(1)因为Φ=0时,当A,B是高电平时,C1和C2都充电到高电平。当Φ=1时,C为高电平使C2放电到0。而因为A是低电平,V1保持预充的高电平5V。当A变高,C变低后,引起电荷分享,使V1下降,V1由下面两种情况中高的电平决定:C1V=V−(V−
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