浅谈平面高压VDMOS工艺平台发展

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1、浅淡平面高赝VDMOS_7：艺平台发展电子质量(2014第03期)测试测量技术浅谈平面高压VDMOS工艺平台发展SimpleIntroducetheTechnologyDevelopmentofVDMOS鄢细根(华越微电子有限公司，浙江绍兴312000)YanXi-gen(HuaYueMicrt~lectronicsCO，LTD．，ZhejiangShaoxing312000)摘要：该文从国内生产线的实际出发，简单介绍了目前国内主流功率VDMOS器件生产厂家所采用的平面高压VDMOS工艺平台，初步总结了当前各种成

2、熟工艺平台具有的特点与优点，希望该文有助于闰内同行之间相互借鉴与提高，目的是促进民族工业不断向前发展。关键词：VDMOS—艺平台；元胞；主结；终端结构；分压环；场板；空间电荷区；PN结；EAS中图分类号：TN432文献标识码：B文章编号：1003—0107(2014)03—0001—09Abstract：Proceedingfromactualconditionsofthedomesticchipmanufacturingproductline．MainstreammanufacturersofpowerVDMO

3、S．andthetechnologyplatformofhighvoltageplanarVDM0Swereintro—ducedintheaflicle．Itsfeaturesandadvantagesofthethecurrentmaturetechnologyplatformweresum—marizedprimarily．wehopedthatthisartidehelpsdomesticcounterpartstolearnfrOmeachotherandtomakeprogress，withthepu

4、rposeofpromotingthecontinuousdevelopmentofnationalindustryKeywords：Thetechnologypla#ormofVDMOS；CelI；Mainjunction；Terminalstructure；FieldIimilingring；Fieldplate；Spacechargeregion；PNjunction；EAS(EnergyAvalancheStress)CLCnumber：TN432Documentcode：BArticleID：1003—

5、0107(2014)03—0001—090引言艺，并且只限于平面高压设计产品介绍。为了让初学者对技术的发展有直截了当的掌握，笔者按照工艺的发VD—MOSFET(verli(aldouble—difused～MOSFET)功率展和技术的成熟度直接划分了种不同的。艺平台，场效应器件是近几年迅速发展起来的新型功率器件，与分别是：第一代艺平台、第二代工艺平台和第代_T双极功率器件相比，它具有许多优良特性：高输入阻抗，艺平台。低驱动电流，开关特性快，具有负温度系数，并有良好的特别指出，此种划分并非是严格意义上的技术标电流自

6、调节能力，热稳定性好日前广泛应用于开关电准，只是有利于笔者分别做出介绍，有利于全文的展开。源、马达驱动、电机调速、不间断电源、逆变器等各种电力电子设备中。『}1于目前技术成熟，国内主要的五、六英1VDMOS基本结构与原理简介寸线，甚至八英寸线都在大量生产，改变了以前产品主要从旧外进¨的历史，甚至部分产品还大量出口到国外完整的VDMOS结构是南元胞，主结和终端■部分市场，为伞社会节能降耗、产品升级换代做出了重大贡组成，元胞结构如图l所示。献，取得了良好的经济与社会效益。不过，由于VDMOS1．1器件的主要制造过程产

7、品技术发展非常迅速，各种各样的新工艺、新设计不断涌现，令人眼花缭乱，加卜国内外不同设计制造公司先在重掺杂N+衬底生长一层N型处延层，由P对各自产^采取不同的分类标准，导致行业内产品分类型BODY区与N+源区的两次横向扩散结深之差形成五花／kl'J，不利于初学者、尤其是刚入行的T程师迅速沟道，这两个区域在离子注入过程中都是通过多品栅自掌握VDMOS产品的特点。鉴于此种背景，笔者从自身对准工艺注入各自的掺杂杂质的。微薄的经验与知识出发，浅显地介绍了当前主流的高压1．2器件主要工作原理平面VDMOS产品所采用的1一艺加

8、_丁平台，不涉及到任当不加栅压，漏极加正偏压时，VDMOS结构可以承何Trench_r艺，Coolmos丁艺以及其它所谓的先进工作者简介：鄢细根(1972一)，男，华越微电子有限公司硅片制造一厂副厂长、工程师，本科．主要从事Ic代技术支持，新J艺平台开发，各类分立器件设计、研发制造、产品应用I作．主要包括vDM0S，IGBr，sBD，FRED，CRD系列。浅谈半嘲高VDM