解读NAND_FLASH

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1、解读闪存-FLASH第一章FLASH的感性认识什么叫闪存FLASH的分类FLASH常见品牌第二章FLASH制作过程封装方式具体的制作过程第三章FLASH发展闪存前期发展至90纳米制程的过渡NANDFLASH的70纳米时代NANDFLASH的60-50纳米时代NANDFLASH的40纳米时代NANDFLASH30纳米时代及前景发展第四章FLASH的应用第一章FLASH的感性认识第一节什么叫FLASHFlashMemory中文名字叫闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器。第二

2、节FLASH的分类功能特性分为两种：一种是NOR型闪存，以编码应用为主，其功能多与运算相关；另一种为NAND型闪存，主要功能是存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。NORFLASH和NANDFLASHNOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NANDflash结结，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍

3、然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。NORFLASH和NANDFLASH的区别NOR的读速度比NAND稍快一些。NAND的写入速度比NOR快很多。NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少SLC/MLC基本原理什么是SLC和MLC？SLC全称为Single-LevelCell，MLC全称为Multi-LevelCel数码播放器中一般采用两种不同类型的NAND闪存。其中一种叫做SLC（SingleLevelCell），单

4、层单元闪存；第二种叫做MLC（MultiLevelCell），多层单元闪存。两者的主要区别是SLC每一个单元储存一位数据，而MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC芯片和MLC技术特点及区别一般而言，SLC虽然生产成本较高，但在效能上大幅胜于MLC。SLC晶片可重复写入次数约10万次，而MLC晶片的写入次数至少要达到1万次才算标准，而目前三星MLC芯片采用的MLC芯片写入寿命则在5000次左右。A.读写速度较慢。相对主流SLC芯片，MLC芯片目前技术条件下，理论速度只能达到

5、2MB左右，因此对于速度要求较高的应用会有一些问题。B.MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。C.MLC理论写入次数上限相对较少，因此在相同使用情况下，使用寿命比较SLC短。D.MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。目前MLC和SLC在2GB闪存芯片上的价格相差了将近100多元，他们的差异还是比较明显的。所以对于选择数码播放器的朋友，选择更便宜廉价的MLC芯片产品还是选择稳定性和性能更好的SLC产品，就看你的需要了。第三节NANDFLASH品牌从上表从而可以看出

6、，我们现在FLASH行业的一些常见品牌：1.SamSung三星2.Toshiba东芝（最早提出闪存概念的公司）3.Hynix海力士4.MicronTechnology镁光5.Interl英特尔（第一个生产闪存并投入市场的公司）第二章FLASH制作过程第一节封装方式芯片封装是指包裹于硅晶外层的物质。目前最常见的封装方式有TSOP(ThinSmallOutlinePackaging)，BAG,COB，一体成型等，早期的芯片设计以DIP(DualIn-linePackage)以及SOJ(SmallOutlineJ-

7、lead)，CSP(ChipScalePackage)的方式封装为主。以下对不同封装方式的介绍能够帮助了解它们的不同点。封装方式一BGABGA(BallGridArrayPackage)---球栅阵列封装随着集成电路技术的发展，对集成电路的封装要求更加严格。这是因为封装技术关系到产品的功能性，当IC的频率超过100MHz时，传统封装方式可能会产生所谓的“CrossTalk”现象，而且当IC的管脚数大于208Pin时，传统的封装方式有其困难度。因此，除使用QFP封装方式外，现今大多数的高脚数芯片（如图形芯片与芯

8、片组等）皆转而使用BGA(BallGridArrayPackage)封装技术。BGA一出现便成为CPU、主板上南/北桥芯片等高密度、高性能、多引脚封装的最佳选择。BGA封装具有以下特点：1.I/O引脚数虽然增多，但引脚之间的距离远大于QFP封装方式，提高了成品率。2.虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善热性能。3.信号传输延迟小，适应频率大大提高。4.组装可用共面焊接