nand_flash简明自学资料（上）

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1、NandFlash简明自学资料——助您理解datasheet要点内容清单：一技术常识部分1、逻辑组成2、常见参数3、地址结构二基本操作、时序图部分*通用引脚符号声明1、Read—读2、Program—写3、BlockErase—擦除4、其它*时序图要点讲解编写目的：从编程操作角度，简介一些有助于理解nandflashdatasheet（数据手册）上相关内容的要点。编写原因：l各种nandflash英文datasheets上的内容虽详尽但繁杂，有些业内常识性的东西没交代清楚，给初学者造成困扰；l不同的datasheets都

2、有一些共通的要点（基本架构、指令和符号等），了解这些后再看datasheet的操作命令和时序图部分会省力很多。4一技术常识部分1、逻辑组成（1）功能结构抽象图注：1）Cache有时也被称为Cacheregister.（严格来讲应称为缓冲区buffer）；2）上述Data指的是输入/输出数据（即Input/OutputData，简称I/OData），因为从广义上讲所有能存取于硬件设备上的资料都可称为Data，包括图中的ECC码（ErrorCorrectingCode），所以Pageregister.也可被称为Datareg

3、ister.（数据寄存器）；（2）闪存层次结构Page（页）：对nandflash进行读写操作的逻辑单位，一般容量为几到十几KB；附有额外的小存储区域，这里存储ECC码等附加信息。Block（块）：许多page构成一个block，是擦除的操作单位；一般产品出厂时都有invalid/badblock（坏块），已由厂家在对应block里作相应标示，操作时不能清除这些标注信息，每个flash的第一个block（编号00h）是在出厂时是好的，用于存储invalid/badblocktable（坏块表）；使用过程中也会产生坏块，发

4、生操作失败时（即使用ECC技术检测到有不可纠正错误时），要将相应的坏块标出，升级坏块表，改写逻辑地址与物理地址的映射。。4Plane（层）:可将flash里众多的block分成不同的层，并使用多层操作指令以提高存取效率。此外，根据flash容量大小，还可定义更高一级的存储单位，如LUN（LogicUnitNumber）；一个device可集成多个flashchip（闪存芯片），工作时可根据它们各自的运行状态为之安排执行任务，使它们同步运行。2、常见参数（注：不同厂商不同时期的不同型号产品参数会有差异，但在一定时期内，相同

5、/近的技术支持使得大部分flash参数在数值或数量级上相同/近；下面以Samsung（三星）K9GAG08U0M的参数为例。）（1）Vcc（工作电压）：3.3V（波动范围：2.7V—3.6V）（2）MemoryCell：2bit/MemoryCell[①上面表示每个cell存2bit数据，即所谓MLC（Multi-LevelCell，多层式储存单元)类型的flash，如果是1bit/Cell和3bit/Cell则分别称为SLC（SingleLevelCell）和TLC（Triple-LevelCell）；②随着cell内

6、数据容量增加，flash的存储量虽增加，造价也大幅降低了，但数据存取的出错率却增加，速度变慢，寿命也变短，目前，SLC类型flash适用于对稳定性要求高的小容量储存系统，而MLC则成为大容量储存领域的主流；③nandflash上可同时集成MLC、SLC和TLC区域，操作时必须切换到相应模式。]（3）PageSize：（4K+128）Byte（4KB是I/O数据存储区的容量，而128Byte为附加存储区的大小）（4）DataRegisterSize：（4K+128）Byte（5）BlockSize：（512K+16K）By

7、te（=128×PageSize，即此型号1block含page）（6）PageProgramTime：0.8mS（Typ，表示通常情况下页编程操作的平均时间）（7）BlockEraseTime：1.5mS（Typ）（8）SerialAcessTime：25nS（Min）[即Read/WriteCycleTime(Min)，按顺序从I/O对Cache进行1次数据存取的最小时间]（9）ECCRequirement：8bit/KB（每KBI/O存储数据要求附带的存放在额外存储区的校验纠错码位数）3、地址结构（下面的）由于一般

8、nandflash传递地址等信息时是8bit/次，对应某些datasheet中的“×8（Bit）”，即以1Byte为不可拆分的传输单位，又因块、页和页内存储单位的地址编号一般是分开传输的（这样在操作处理时很方便，不用辨认再分），所以，若flash有个x个block，每个块有y个page，每个页的容量（不包括额外存储区