电子技术基础教案1

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1、临洸县玉井职专理论课教案任课教师姓名任课蔦仲余班级。计算机2班科H电子技术基础授课日期木教案授课节数审批课题§1一1半导体二极管课型理论课教学目的1.知识忖标：使学生掌握半导体的基本概念、二极管工作特性、伏安特性以及工作状态的判断。2.能力目标：使学牛对半导体器件内部结构及工作原理有更具体的了解及认识。3.德育H标：培养学生养优良的道德品质，及良好的职业道德。教学重点1.使学生掌握二极管工作特性、伏安特性以及工作状态的判断。教学难点1.使学生掌握二极管工作特性、伏安特性以及工作状态的判断。教学方法教学手段教具设备1

2、.教学教具：实物教具2.教学方法：讲解法、提问启发法、谈话教学法、讨论教学法、案例教学法、归纳总结法课前准备：教室、教学教具的准备落实到位教学过程（含课前准备、组织教学、复习提问、导入新课、讲授新课、练习巩固新课、总结、布置作业及预习；板书板画设计与时间分配）教学过程一、组织教学：（1）由班长组织学生提前5分钟进入课堂点名考勤；检查学生着装，仪容仪表，准备上课。（2）上课，师生问候：师：“上课！”，班长：“起立！”，师：“同学们好！”，生：“老师好！”，师“请处！”二、导入新课：用半导体材料制成的半导体器件是201

3、比纪中叶发展起来的新型电子器件。由于它具冇体积小、质虽轻、工作可靠、使用寿命长、耗电量小等优点，因而在电子技术中得到了广泛应用。备注（3分钟）导入法§第一章半导体二极管三、讲授新课§1・1半导体的基木知识1•半导体的基木概念物质按导电能力可分为：导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体，如铁、铜、铝等。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，如铭、硅、呻化稼和一些硫化物、氧化物等。注：半导体器件多用硅和错两种材料。（通常也

4、称为：晶体借02.半导体的导电特性（1）热敏特性（人多对温度比较敏感）：如热敏电阻器（2）光敏特性（受光照射后，导电能力增强，电阻减小）：如光敏电阻、光电二极管、光电探测器等。（3）掺杂特性（掺入微最元素的某种杂质元素，导电能力增强，电阻急剧减小，可制成N型和P型两种杂质半导体）：如二极管、三极管。纯净半导体称为本征半导体，导电能力极弱。板书(20分钟）讲述法谈话法讲解法§1-2半导体二极管1.结构及符号一•极管的几种常见结构:-(KD-PNttMg©VD«°^

5、k图1・17二极管的符号2.二极管单向导电性1）PN

6、结加不D0极性电压，表现不同特性。正向电压（正向偏压、正偏）——指P区接高电位,反向电压(反向偏压、反偏)N区接低电位。N区接高电位。e“eea十ePe©®N变薄外加正向电压夸内电场外电场■—□~

7、

8、—eeeeeeeee©*・pee®®N变厚加反向电压♦内电场<外电场1

9、—结论：PN结导通结论：PN结截止——扌旨P区接低电位,2)二极管的主要特性(1)加正向电压导通，内部电阻较小。(2)加反向电压截止，内部电阻较大。单向导电性是二极管的最重量的特性。1.二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性也就是PN结的伏安特性。把

10、二极管的电流随外加偏置电压的变化规律，称为二极管的伏安特性，以曲线的形式描绘出來，就是伏安特性曲线。二极管的伏安特性曲线如图1-12所示，下面分三部分对二极管的伏安特性血线进行分析。特点：非线性NUNP死区电压硅管0.5V.错管0.1V。反向击穿电压IfRR反向电流在一定电压范围内保持常数。1导通压降反向特性外加电压人于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。外加电压人于死区电压二极管才能导通。2.主要参数(1)最人整流电流I()M二极管长期使用时，允许流过二极管的最人正向平均电流。(2)反向击穿电压UBR二极

11、管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，英至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM—般是UBR的一半。(3)反向电流IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越人。硅管的反向电流较小，错管的反向电流要比硅管大儿十到儿百倍。以上均是二极管的总流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下而介绍两个交流参数：（4）微变电阻rD5是二极管特性曲线上工作点

12、Q附近电压的变化与电流的变化Z比：案例教学法显然，亿＞是对0附近的微小变化区域内的电阻。二极管：死区电压=0.5V,正向压降》0.7^（硅二极管）理想二极管：死区电压=0,正向压降=0四、课堂练习分析下血三幅图中二极管的工作情况，并计算各图Uab的电压值?6VR6VFKB——R6V（15分钟）练习法（5分钟）归纳法总结法（2分钟）答案：1）Uab=5.3V