新余学院论文书写格式

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1、新余学院毕业设计(论文)书写格式一、页面设置:上2.54cm,卜•2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,页眉设置为:居中,页眉Z卜•划一条线,用5号字宋体,页眉用论文的名字;页脚设置为:插入页码,页码为阿拉伯数字,居中,5号字宋体。二、目录:“目录”两字小三号宋体加粗,目录内容小四号宋体。三、摘要1.中文摘要:标题小二号宋体加粗,“摘要”两字四号宋体,摘要内容小四号宋体,“关键词”三字小四号宋体加粗,2•英文摘要:标题小二号TimesNewRoman体加粗,aAbstractn四号TimesN

2、ewRoman体;"Abstract"内容小四号TimesNewRoman体,“Keyword”小四号TimesNewRoman体加粗。四、正文:标题四号宋体,正文内容小四号宋体,行间距1.5倍,。五、图表:图表内容五号宋体。六、参考文献:参考文献用四号宋体,参考文献内容小四号宋体,其中英文用小四号TimesNewRoman体。七、致谢:致谢两字四号宋体,致谢内容小四号宋体。八、打印要求:论文封皮封底用浅色皮纹纸打印,论文正文(设计说明书)应使用A4纸单面打印。九、毕业设计(论文)的装订、归档(1)毕

3、业设计(论文)的装订顺序为:①封面;(请到教务处网站下载学校统一封面)②中文题目、摘要、关健词;③英文题廿、摘要、关健词;④目录;⑤正文;⑥参考文献;⑦致谢。⑵毕业设计(论文)的资料归档内容为:①已装订成册的毕业设计(论文)文本;②毕业设计(论文)过程管理手册;③学生参加生产实习的F1记,实习技术报告,实习单位的鉴定、评价意见等材料;④学生毕业设计(论文)收集的相关材料、以及设计类作品或光盘、电路板、图纸、实物可一并装入毕业设计(论文)的资料袋中;毕业设计(论文)的资料袋由教务处统一发放。(资料袋封面

4、请到教务处网站卜•载并填入相应数字然后贴在资料袋上)。具体书写式样如下:二级标题小四号宋体,居左,首行缩进1个字符。Abstract第一章GaN基半导体材料及器件进展(多数文章为“绪论1」III族氮化物材料及其器件的进展与应用/1丄1III族氮化物材料及其器件的进展1」.2III族氮化物材料及其器件的进展1.2III族氮化物的基本结构和性质1.3掺杂和杂质特性1.4氮化物材料的制备1.5氮化物器件1.7本论文工作的内容与安排第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺2.2本论文氮化物生t所用的MOCVD

5、设备结论参考文献(References)标四首进字126333239411128O3511致谢2、摘要式样(1)中文摘要式样III-V族氮化物及其高亮度蓝光小二号宋体加粗LED外延片的MOCVD生长和性质研究宽禁带III—v族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电了器件等方面有着广泛的应用而景。01994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GoN基蓝光LED外延材料生长技术以來,美、F1等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术,并分别实现了批量或小批量生产

6、GaN基LED。尽管如此,这项高技术仍处丁高度保密状态,材料生长的关键思想及核心技术仍未公开,还无法从参考文献及专利公报中获取最重耍的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的,旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题,为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。本文在自制常压M0CVD和英国进口M0CVD系统上对III-V族氮化物的生长机理进行了研究,对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构,生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新

7、和有意义的研究结杲:1.首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想,并在GaN外延生<上得以实现。采用这种缓冲层,显著改善了GaN外延膜的结晶性能,使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高,大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流,降低了正向工作电压,提高了光输岀功率。本文得到了国家863计划、国家H然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。关键词:氮化物;MOCVD;小四号宋体加粗LED;卢瑟福背散射沟道;光致发光;光透射谱wavelengthlase

8、rs,ultravioletdetectors,hightemperatureandhighpowerelectronicdevices-Studyonphysicsissuesandtechnologiesofnitridesopenanewareaof3thgenerationsemiconducto匸MorethantencompaniesinAmericaandJapanreportedtohavedevelopedthenitridesgrow

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