半导体三极管课件1

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1、半导体三极管作者：唐刚单位：xxxxxxxxxx收音机录音机半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管发射结(Je)集电结(Jc)基极，用B或b表示（Base）发射极，用E或e表示（Emitter）；集电极，用C或c表示（Collector）。发射区集电区基区三极管符号第一节半导体三极管一、三极管的结构与符号小型三极管塑料封装小型三极管金属封装中功率三极管大功率三极管结构特点：•发射区的掺杂浓度最高；•集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；•基区很薄，一般在几个微

2、米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图二、三极管的电流放大作用1、电流放大的原因三极管的放大作用在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来内部条件：内部结构上的特点外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置2.内部载流子的传输过程发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子（以NPN为例）载流子为自由电子3、实际偏置电路IcIEIBRBEBECRCNNP一般参数EC>EBRB>RC三极管的电流分配关系：IE=IB+IC而且IC》IB，△IC》△IBIC=IB；IE=(1+)I

3、B；iC=iB；iE=(1+)iB；三极管的交流放大系数：=△IC/△IB三极管的直流放大系数：=IC/IB三、三极管的特性曲线极间电压和各极电流之间的关系；包括输入特性和输出特性两组；BCIBRBEBECRCIcIEE输入回路：EB、RB、B、E；输出回路：EC、RC、C、E；共射极电路UCEUBEV1、输入特性IB=f（UBE）

4、UCE=常数2、输出特性IC=f（UCE）

5、IB=常数从输出特性曲线上，将三极管划分为三个工作区：截止区、放大区、饱和区；输入特性曲线（UCE=1V）UBE(v)I

6、B(uA）硅管0.20.40.60.8截止区（1）截止区UBE小于死区电压（或发射结反偏）IB=0；IC=ICEO（穿透电流）；（2）放大区发射结正偏，集电结反偏：IC与UCE几乎无关；IC大小IB控制；△IC》△IB定义=△IC/△IB=IC/IB）UBE：硅0.7v;锗0.3v（3）饱和区UBE>UCE（集电结正偏）：集电极饱和电流ICS<IB；IC大小不再受IB控制；ICS=（EC-UCES）/RC；ICS=IBSUBCIBRBEBECRCIcIEEUCEUBEV四、主要参数1、交流放大倍数

7、与支流放大倍数2、ICBO集电极-基极反向饱和电流：受温度影响较大，是影响管子工作特性的主要因素；3、ICEO穿透电流：受温度影响较大，是影响管子工作特性的主要因素；4、几个极限参数：ICM：集电极最大电流；UCEO：集-射反向击穿电压；PCM：集电极最大允许功耗；五、温度对参数的影响1、对ICEO和ICBO的影响；2、：温度升高1℃，值增大0.5%~1%;3、对UBE的影响：温度升高1℃，UBE约下降2~2.5mv;4、温度升高，IC值增大;收音机电路板课后总结：本节课主要讲解三极管的结构与符号。

8、电流放大作用。输入特性和输出特性。重点：三极管的符号难点：电流放大作用及输出特性、输入特性。作业：1.理论作业：练习册第二章第一节。2.实践作业：找出生活中与三极管有关的电器。谢谢大家