《A讲半导体三极管》PPT课件

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1、第3讲——半导体三极管半导体器件目录导航晶体三极管的结构三极管的放大作用三极管的参数与型号万用表简介利用万用表判别管脚三极管的输入特性三极管的输出特性三极管的开关作用§1半导体三极管1.基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型晶体三极管的结构发射结集电结基极发射极集电极晶体三极管是由两个PN结组成的发射区基区集电区BECNPN型三极管BECPNP型三极管三极管符号NPNCBEPNPCBEBECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度最高发射区的掺杂浓度远大

2、于集电区的掺杂浓度发射区发射载流子、基区传输和控制载流子、集电区收集载流子。三个区的作用：发射结集电结BECNNP基极发射极集电极+++++++++++++__________________________+++++++++++++2.电流放大原理BECNNPEBRBEc发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。IE进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IB,多数扩散到集电结。IB观看动画三极管的电流分配关系BECNNPEBRBEcIE从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集,形成IC。ICICIB要使三

3、极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。由于集电结外加反向电压，集电结的内电场被加强，有利于该结两边少子的漂移。流过集电极的电流ＩC，除了包括由基区中的热平衡少子电子通过集电结形成的电子电流ＩCN2和集电区中的热平衡少子空穴通过集电结形成的空穴电流ＩCP所组成的反向饱和电流ＩCBO以外，还包括由发射区注入到基区的非平衡少子自由电子在基区通过边扩散、边复合到达集电结边界，而后由集电结耗尽层内的电场将它们漂移到集电区所形成的正向电子传输电流ＩCN1观看动画三极管的电流放大作用静态电流放大倍数静态电流放大倍数,动态电流放大倍数=

4、IC/IBIC=IB动态电流放大倍数IB：IB+IBIC：IC+IC=IC/IB一般认为：==，近似为一常数，值范围：20~100IC=IBICUCEIBUSCRBUSBCBERC半导体三极管的型号国家标准对半导体三极管的命名如下:3DG110B第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管材料器件的种类同种器件型号的序号同一型号中的不同规格三极管例：例：3AX313DG12B3DD6PNP低频小功率锗三极管N

5、PN高频小功率硅三极管NPN低频大功率硅三极管3CG3AD3DKPNP高频小功率硅三极管PNP低频大功率锗三极管NPN硅开关三极管双极型三极管的参数参数型号PCMmWICMmAVRCBOVVRCEOVVREBOVICBOμAfTMHz3AX31D1251252012≤6*≥83BX31C1251254024≤6*≥83CG101C10030450.11003DG123C5005040300.353DD101D5A5A3002504≤2mA3DK100B100302515≤0.13003DKG23250W30A4003258注：*为

6、f三极管的参数1.常用国产高频小功率晶体管的主要参数部分进口高频小功率晶体管的主要参数2.部分国产高频中、大功率晶体管的主要参数部分进口高频中、大功率晶体管的主要参数3.部分国产低频小功率晶体管的主要参数部分进口中、低频小功率晶体管的主要参数5.常用国产低频大功率晶体管的主要参数6.常用国产小功率开关晶体管的主要参数7.部分高反压大功率开关晶体管的主要参数及封装形式部分进口中、低频大功率晶体管的主要参数8.常用大功率互补对管的主要参数常用中、小功率互补对管及其主要参数网上查询http://www.szhaolin.comhttp

7、://www.stdxh.comhttp://www.kgdz.comhttp://www.changli.orghttp：//www.114ic.com万用表简介万用表表笔握笔姿势数字万用表面板简介电源开关表笔接口电容测量插口三极管测试插孔量程开关对指针式模拟万用表:红表笔所连接的是表内电池的负极;黑表笔则连接着表内电池的正极。数字式万用表则相反!使用万用表判别二极管管脚用二极管档测量当红表笔接“正”,黑表笔接“负”时,二极管正向导通,显示PN结压降(硅：0.5~0.7V)(锗：0.2~0.3V)反之二极管截止,首位显示为“1”

8、也可用电阻档测量。目测判别三极管极性目测判别三极管极性EBCECBEBCBECEBC用指针式万用表判断三极管极性红表笔是(表内电源)负极黑表笔是(表内电源)正极基极B的判断：当黑（红）表笔接触某一极，红（黑）表笔分别接触另两个极时，万用表指示为低阻