2019高考化学 难点剖析 专题14 化工流程选择题练习

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1、专题14化工流程选择题1.工业上用铝土矿(主要成分为A12O3,还有少量的Fe2O3、SiO2等杂质)提取氧化铝作冶炼铝的原料,提取的操作过程如下:下列说法错误的是A.滤渣A主要成分为SiO2B.滤液乙含有的阴离子主要为[ Al(OH)4]-、Cl-、OH-C.滤液丙中溶质的主要成分为Na2CO3D.④的基本反应类型为分解反应【答案】C加热分解生成氧化铝和水,为分解反应,故正确。2.CuSO4是一种重要的化工原料,其有关制备途径及性质如图所示。下列说法不正确的是()A.Y可以是葡萄糖B.途径①所用混酸中H2SO4与HNO3物质的量之比最好为3∶2C.相对于途径①、③,途径②更好地

2、体现了绿色化学思想D.1molCuSO4在1100℃所得混合气体X中O2为0.75mol【答案】D【解析】葡萄糖含有醛基,能被新制氢氧化铜悬浊液氧化,氢氧化铜被还原为氧化亚铜,所以Y可为葡萄糖,A正确;如途径①用混酸,Cu与混酸反应离子反应为3Cu+8H++2NO3-=3Cu2++2NO↑+4H2O,从方程式知,硝酸根离子由硝酸提供,氢离子由硝酸和硫酸提供,所以硝酸为2mol时,硫酸为3mol,因此所用混酸中H2SO4与HNO3物质的量之比最好为3∶2,B正确;相对于途径①、③,途径②的优点是制取等质量胆矾需要的硫酸少、途径②无污染性气体产生,所以途径②更好地体现了绿色化学思想,

3、C正确;根据2CuSO4Cu2O+SO2↑+O2↑可知1molCuSO4在1100℃分解,所得混合气体X中O2为0.5mol,D错误。3.工业上用铝土矿(主要成分为Al2O3,含Fe2O3杂质)为原料冶炼铝的工艺流程如下:下列叙述正确的是(  )A.试剂X可以是氢氧化钠溶液,也可以是盐酸B.反应①过滤后所得沉淀为氢氧化铁C.电解法制取铝单质时也可以采用电解氯化铝以降低成本D.反应②的化学方程式为NaAlO2+CO2+2H2O===Al(OH)3↓+NaHCO3【答案】D【解析】由溶液中通入过量的Y生成氢氧化铝沉淀、碳酸氢钠可知,溶液中含有偏铝酸根、气体Y为二氧化碳,故试剂X为氢氧

4、化钠溶液,不可能为盐酸,A错误;Al2O3溶于氢氧化钠溶液得到NaAlO2溶液,Fe2O3与氢氧化钠溶液不反应,则过滤后所得沉淀为Fe2O3,B错误;熔融状态下氯化铝不导电,工业上通过电解熔融Al2O3制取铝单质,C错误;反应①过滤后所得溶液为NaAlO2溶液,向NaAlO2溶液中通入过量CO2生成Al(OH)3沉淀,反应的化学方程式为NaAlO2+CO2+2H2O=Al(OH)3↓+NaHCO3,D正确。4.某同学在实验室利用氢氧化钠、盐酸分离铁粉和铝粉混合物,物质转化关系如图所示:下列说法错误的是(  )A.a、b、c既能与酸又能与碱反应B.a→b发生的反应为AlO+H++H

5、2O===Al(OH)3↓C.b→c→Al的反应条件分别为:加热、电解D.X为NaOH溶液,Y为盐酸【答案】A【解析】b为氢氧化铝,为两性氢氧化物,既能与酸又能与碱反应,C为氧化铝,属于两性氧化物,既能与酸又能与碱反应,a为偏氯酸钠溶液,只能和酸反应,不能和碱反应,A错误;a为偏氯酸钠溶液,b为氢氧化铝,a→b发生的反应为NaAlO2+HCl+H2O=Al(OH)3↓+NaCl,5.实验室通常采用粗锌与稀硫酸制氢气,因此制氢废液中含有大量的硫酸锌,同时含少量硫酸亚铁、硫酸铅等杂质。由制氢废液制备硫酸锌晶体(ZnSO4·7H2O)的流程如下:下列说法不正确的是A.步骤①,涉及的化学

6、反应为:2Fe2++H2O2+2H+=2Fe3++2H2OB.步骤②,加入适量ZnO的目的是:调节溶液pH,沉淀Fe3+C.步骤④,涉及的操作有:蒸发浓缩、冷却结晶、过滤、洗涤、干燥D.步骤⑤,产物一定是:ZnO和SO2【答案】D【解析】A项,制氢废液中含大量的ZnSO4,同时含少量FeSO4、硫酸铅等杂质,步骤①,加入足量H2O2将FeSO4完全氧化成Fe2(SO4)3,反应的离子方程式为2Fe2++H2O2+2H+=2Fe3++2H2O,A项正确;B项,步骤②加入适量ZnO,调节溶液的pH,使Fe3+完全转化成Fe(OH)3沉淀,B项正确;C项,经过滤除去Fe(OH)3和Pb

7、SO4得到ZnSO4溶液,步骤④从ZnSO4溶液中获得硫酸锌晶体的操作:蒸发浓缩、冷却结晶、过滤、洗涤、干燥,C项正确;D项,步骤⑤从硫酸锌晶体制备ZnO,反应中Zn元素的化合价没有变化,产物可能是ZnO和SO3或ZnO、SO2和O2或它们的混合物,D项错误。6.工业上利用无机矿物资源生产部分材料的流程示意图如下。下列说法不正确的是(  )A.在铝土矿制备较高纯度Al的过程中常用到NaOH溶液、CO2气体、冰晶石B.石灰石、纯碱、石英、玻璃都属于盐,都能与盐酸反应C.在制粗硅时,

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