2005—2006年第二学期期末考试B

《2005—2006年第二学期期末考试B》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期末考试微电子器件课程考试题A卷（120分钟）考试形式：一张A4纸开卷考试日期：2006年7月6日课程成绩构成：平时分10分，其中10分，实验10分，期末70分一二三四五六七八九十总分评卷老师一、填空题（21分）1、当PN结上的正向电压的值越大时，则PN结的耗尽区长度就越，耗尽区内的电压峰值就越，势垒电容的值就越。2、当对PN结的P区的边界附近注入非平衡电子时，该区会出现几乎同样浓度的。小注入条件是指注入P区边界附近的非平衡电子浓度远小于该区的空穴浓度，因此该区总的空穴浓度中的非平衡空穴浓度可以被忽略。3、PN结扩散

2、电流的表达式为,在反向电压下可简化为。4、PN结的击穿有三种机理，它们、和。5、晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指结正偏、结零偏时的极电流与极电流之比。6、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而，这称为效应。7、BVCBO是指极开路、结反偏，当时的VCB。第1页，共7页8、基区渡越时间是指少子时间。当基区宽度WB减半时，基区渡越时间缩短到原来的9、在组成的四个主要时间常数中，是电阻与电容的乘积。10、对于工作频率不是特别高的一般高频管，中以为主，这时提高特征平率fT的主要措施是。11、N沟

3、道MOSFET的衬底是型半导体，源区和漏区是型半导体，沟道中的载流子是。12、当N沟道MOSFET的VGS在Vi

4、入端的IE到输出端的IC会发生哪两种亏损？如何减少这两种亏损？第3页，共7页3、在实际工作中，一般是怎样测量双极型晶体管的特征频率fT的？4、MOSFET阈电压VT的定义是什么？写出N沟道MOSFET的VT表达式，并说明调整VT的主要措施。第4页，共7页三、计算题（25分）1、某突变PN结的内建电势Vbi为0.7V，平衡时的势垒区宽度xd0为。若要通过外加电压使该PN结的势垒区宽度xd达到，则应给该PN结外加多大的电压？2、某P+N结的ND=1016cm-3，试求N区的大注入转折电压VKN，并分别求当外加0.5V和0.8V电压时的pn(xn）之值。第5页，共

5、7页3、某双极型晶体管的基区渡越时间，基区少子寿命，有源区方块电阻，发射区方块电阻，试求该晶体管的、、、之值。3、某晶体管的，当f=15MHz时测得，CTE=1pF，CDE=12pF，CTC=0.2pF，r0=50.试求该晶体管的、，以及当IC=10mA时的本征混合参数、、、和。第6页，共7页4、将,,,的N沟道MOSFET用作受VGS控制的可控电阻器，要在VDS较小时获得Ron=0.5的电阻，应加多大的VGS？第7页，共7页