西工大数字集成电路实验报告材料_实验2反相器(上)代码

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1、标准文案1.2.计算出这个电路的VOHVOL及VIHVIL。（计算可先排除速度饱和的可能）Vin=0时，VOH=2.5VVin=2.5时,假设NMOS工作在临界饱和区：，器件实际工作在线性区，，解得：0.04633V大全标准文案由图得：VOH=2.5V,VOL=0.0356V.当时，NMOS工作在饱和区反相器阈值电压0.7932此时大全标准文案由图得：VIH=0.881V,VIL=0.0378V.SP文件：.TITLE1.2UMCMOSINVERTER.optionsprobe.optionstnom=25.optio

2、nsingold=2limpts=30000method=gear.optionslvltim=2imax=20gmindc=1.0e-12.protect.lib'C:synopsyscmos25_level49.lib'TT.unprotect大全标准文案.globalvddMnoutin00NMOSW=1.5uL=0.5u*（工艺中要求尺寸最大0.5u）RLOUTVDD75kVDDVDD02.5VVININ00.DCVIN02.5V0.1V.op.probedcv(out).end1.3.分析电路噪声容限。计

3、算NMH(高电平噪声容限)和NML(低电平噪声容限),并使用HSPICE画出反相器的VTC曲线。NMH=VOH-VIH=1.619VNML=VIL-VOL=0.0022V大全标准文案SP文件：.TITLE1.2UMCMOSINVERTER.optionsprobe.optionstnom=25.optionsingold=2limpts=30000method=gear.optionslvltim=2imax=20gmindc=1.0e-12.protect.lib'C:synopsyscmos25_level49

4、.lib'TT.unprotect.globalvddMnoutin00NMOSW=1.5uL=0.5u*（工艺中要求尺寸最大0.5u）RLOUTVDD75k大全标准文案VDDVDD02.5VVININ00.DCVIN02.5V0.1V.op.probedcv(out).end1.4.使用HSPICE画出RL=35k，75K，150k三种情况下的VTC。（从左到右依次为RL=150k,75k,35k）SP文件：.TITLE1.2UMCMOSINVERTER.optionsprobe大全标准文案.optionstnom=

5、25.optionsingold=2limpts=30000method=gear.optionslvltim=2imax=20gmindc=1.0e-12.protect.lib'C:synopsyscmos25_level49.lib'TT.unprotect.globalvddMnoutin00NMOSW=1.5uL=0.5uRLVDDOUT75kVDDVDD02.5VVININ00.DCVIN02.5V0.1V.probeV(out).probeV(in).alter.TITLEExercise2.1RL=

6、150kRLVddout150k大全标准文案.alter.TITLEExercise2.1RL=35kRLVddout35k.end1.5．对2的结果进行仿真验证。(tran仿真；输入加脉冲，上升和下降时间都为5ns)由图得：tPHL=;tPLH=sSP文件：.TITLE1.2UMCMOSINVERTER大全标准文案.optionsprobe.optionstnom=25.optionsingold=2limpts=30000method=gear.optionslvltim=2imax=20gmindc=1.0e-1

7、2.protect.lib'C:synopsyscmos25_level49.lib'TT.unprotect.globalvddMnoutin00NMOSW=1.5uL=0.5u*（工艺中要求尺寸最大0.5u）RLOUTVDD75kCLOUT03pVDDVDD02.5VVinin0PULSE(02.5v100n5n5n5u10u).TRAN1n30u.measuretranTPHLtrigv(in)val=1.25td=1nrise=2targv(out)+val=1.25td=1nfall=2.measuret

8、ranTPLHtrigv(in)val=1.25td=1nfall=2targv(out)大全标准文案+val=1.25td=1nrise=2.probeV(out).probeV(in).end大全