MEMS工艺集成

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2、orMicrostructures-Junctionmigrationat800to950°C-Alinterconnectsuffersat400-450°C-TopographySurfaceMicromachining重庆大学微系统研究中心MUMPS工艺重庆大学微系统研究中心MUMPS工艺特点重庆大学微系统研究中心长氮化硅长0层Poly－SiMUMPS工艺重庆大学微系统研究中心一次光刻RIE去除多余0层Poly－SiMUMPS工艺重庆大学微系统研究中心LPCVD淀积二氧化硅二次光刻，DRIE

3、形成凹点MUMPS工艺重庆大学微系统研究中心三次光刻，DRIE形成锚点LPCVD淀积1层Poly-Si,淀积PSG，退火MUMPS工艺重庆大学微系统研究中心四次光刻1层Poly－Si，DRIE淀积二氧化硅MUMPS工艺重庆大学微系统研究中心五次光刻，DRIE六次光刻，DRIEMUMPS工艺重庆大学微系统研究中心淀积Poly－Si，PSG，退火七次光刻，DRIEMUMPS工艺重庆大学微系统研究中心八次光刻，剥离，湿法去除光刻胶和金属HF释放结构MUMPS工艺重庆大学微系统研究中心SandiaSUMM

4、IT工艺5层多晶硅技术复杂结构重庆大学微系统研究中心SandiaSUMMIT工艺重庆大学微系统研究中心0层多晶硅SandiaSUMMIT工艺重庆大学微系统研究中心1层二氧化硅1层多晶硅SandiaSUMMIT工艺重庆大学微系统研究中心2层氧化硅2层多晶硅SandiaSUMMIT工艺重庆大学微系统研究中心3层氧化硅3层多晶硅SandiaSUMMIT工艺重庆大学微系统研究中心SandiaSUMMIT工艺重庆大学微系统研究中心DMD微镜重庆大学微系统研究中心DMD微镜重庆大学微系统研究中心DMD微镜重庆

5、大学微系统研究中心重庆大学微系统研究中心器件重庆大学微系统研究中心三、体加工Chemicalmilling:usingamaskantandascribefollowedbyacidtoetchthescribedareaChemicalmilling(15thcenturydecoratingarmor)Chemicalmillingbythe1960’sespeciallyusedbytheaerospaceindustryPhotosenstivemasksinsteadofscribing

6、byhand(Niepcein1822)Printedcircuitboard(WWII)IsotropicetchingofSi(mid1950’s)IC’s(1961)FirstSimicromechanicalelement(1961-1962)AnisotropicetchingofSi(mid1960’s)重庆大学微系统研究中心Example:electrochemicalsensorarrayAtypicalbulkmicromachiningexample:tomakeanarray

7、ofelectrochemicalsensorsinacatheter(e.g.tomeasurepH,O2andCO2inblood)TheetchstopinthiscaseisasacrificialoxidelayerYetsmallerstructurscouldbeusedtoexperimentinpicolitermicrovials(e.g.toinvestigateasinglebiologicalcell)-govisitBulkMicromachining重庆大学微系统研究

8、中心SCREAM工艺重庆大学微系统研究中心Sealed-cavityDRIE工艺重庆大学微系统研究中心体加工工艺(1)刻蚀浅槽GlassSi(2)表面掺杂(3)金属电极(4)阳极键合(5)硅片剪薄(6)释放结构体硅深刻蚀释放工艺（北京大学）重庆大学微系统研究中心多MEMS器件及MEMS器件与IC的集成加工技术：实现微系统多功能、高性能和低成本的基础。加速度、温度、湿度、压力传感器集成MEMS与IC集成重庆大学微系统研究中心MEMS与IC集成重庆大学微系统研究中心存在的问题重庆大学微