MEMS标准工艺介绍.pdf

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1、MEMS标准工艺介绍北京大学微电子所2001年12月13日主要内容¢体硅工艺I¢体硅工艺II¢表面工艺体硅工艺I---定义键合区¢光刻（1#掩模版正版）¢刻蚀浅槽（4µm）¢RIE或KOH体硅工艺I---定义键合区¢光刻（1#掩模版正版）¢刻蚀浅槽（4µm）键合层：¢RIE或KOH最小尺寸：100µm版图镜向体硅工艺I---扩散掺杂¢离子注入，形成接触区¢用于轻掺杂衬底体硅工艺I---形成金属电极¢光刻（2＃掩模版负版）¢腐蚀玻璃形成浅槽（1200Å）¢溅射Ti/Pt/Au¢剥离形成金属电极体硅工艺I---形成金属电极¢光刻（2＃掩模版负版）¢腐蚀玻璃形成浅

2、槽（1200Å）金属电极：¢溅射Ti/Pt/Au最小宽度10µm¢剥离形成金属电极最小间距10µm体硅工艺I---硅/玻璃阳极键合¢双面对准¢键合误差5µm体硅工艺I---硅片减薄¢减薄（80－100µm）¢KOH腐蚀¢机械减薄¢玻璃面划片体硅工艺I---ICP刻蚀¢溅射Al¢光刻（3＃掩模版正版）¢刻蚀Al¢ICP刻蚀Si，释放结构体硅工艺I---ICP刻蚀¢溅射Al¢光刻（3＃掩模版正版）结构层：¢刻蚀Al最小宽度：43µm最小间距：3µm¢ICP刻蚀Si，释放结构体硅工艺I---ICP刻蚀¢溅射Al¢光刻（3＃掩模版正版）结构层：¢刻蚀Al最大两端固定

3、梁长度2000µm最大悬臂梁长度800µm¢ICP刻蚀Si，释放结构体硅工艺II---定义键合区¢光刻（1#掩模版正版）¢刻蚀浅槽（4µm）¢RIE或KOH体硅工艺II---浓硼扩散¢浓硼扩散，定义结构层¢扩散深度15－20µm体硅工艺II---ICP刻蚀¢光刻（2#掩模版正版）¢ICP刻蚀，预释放结构体硅工艺II---形成金属电极¢光刻（3＃掩模版负版）¢腐蚀玻璃形成浅槽（1200Å）¢溅射Ti/Pt/Au¢剥离形成金属电极体硅工艺II---键合¢键合¢划片体硅工艺II---结构释放¢EDP腐蚀（自停止）表面工艺---下层电极¢淀积氧化硅（3000Å）¢淀

4、积氮化硅（2000Å）¢淀积多晶硅（3000Å）¢光刻（1＃掩模版正版）¢刻蚀多晶硅表面工艺---下层电极¢淀积氧化硅（3000Å）¢淀积氮化硅（2000Å）¢淀积多晶硅（3000Å）下电极层：¢光刻（1＃掩模版正版）最小宽度：5µm¢刻蚀多晶硅表面工艺---牺牲层¢淀积PSG(2µm)¢光刻（2#掩模版负版）¢刻蚀PSG（2000Å）表面工艺---牺牲层¢淀积PSG(2µm)¢光刻（2#掩模版负版）凸点层：最小宽度：3µm¢刻蚀PSG（2000Å）最小间距：30µm表面工艺---刻蚀支撑点¢光刻（2#掩模版负版）¢刻蚀PSG表面工艺---刻蚀支撑点¢光刻（

5、2#掩模版负版）¢刻蚀PSG支撑层：最小宽度：4µm表面工艺---淀积多晶硅¢淀积多晶硅（2µm）¢应力调整表面工艺---刻蚀多晶硅¢光刻（4#掩模版正版）¢刻蚀多晶硅表面工艺---刻蚀多晶硅¢光刻（4#掩模版正版）结构层：¢刻蚀多晶硅最小梁宽度2µm最小梁间距2µm表面工艺---刻蚀多晶硅¢光刻（4#掩模版正版）结构层：最大两端固定梁长度:¢刻蚀多晶硅800µm最大悬臂梁长度:300µm表面工艺---释放结构¢牺牲层腐蚀¢防粘附处理结束