基础名词解释大全

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1、晶体：即内部质点在三维空间呈周期性重复排列的固体。非晶体：原子没有长程的排列，无固定熔点、各向同性等。晶体结构：指晶体中原子或分子的排列情况，由空间点阵和结构基元构成。空间点整：指几何点在三维空间作周期性的规则排列所形成的三维阵列，是人为的对晶体结构的抽象。晶面指数：结晶学中用来表示一组平行晶面的指数。晶胞：从晶体结构中取出来的反映晶体周期性和对称性的重复单元。晶胞参数：晶胞的形状和大小可用六个参数来表示，即晶胞参数。离子晶体晶格能：1mol离子晶体中的正负离子，由相互远离的气态结合成离子晶体时所释

2、放的能量。原子半径：从原子核中心到核外电子的几率分布趋向于零的位置间的距离。配位数：一个原子或离子周围同种原子或异号离子的数目。极化：离子紧密堆积时，带电荷的离子所产生的电厂必然要对另一个离子的电子云产生吸引或排斥作用，使之发生变形，这种现象称为极化。同质多晶：化学组成相同的物质在不同的热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。类质同晶：化学组成相似或相近的物质在相同的热力学条件下形成具有相同结构晶体的现象。铁电体：指具有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。正、反尖晶石：在尖晶石结构中，如果A离

3、子占据四面体空隙，B离子占据八面体空隙，称为正尖晶石。如果半数的B离子占据四面体空隙，A离子和另外半数的B离子占据八面体空隙则称为反尖晶石。反萤石结构：正负离子位置刚好与萤石结构中的相反。压电效应：由于晶体在外力作用下变形，正负电荷中心产生相对位移使晶体总电矩发生变化。结构缺陷：通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为结构缺陷。空位：指正常结点没有被质点占据，成为空结点。间隙质点：质点进入正常晶格的间隙位置。点缺陷：缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，三维方向上的尺寸都很小。线缺陷：指在一维方向上偏离理

4、想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷。面缺陷：是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷。弗伦克尔缺陷：质点离开正常格点后进入到晶格间隙位置，特征是空位和间隙质点成对出现。肖特基缺陷：质点由表面位置迁移到新表面位置，在晶体表面形成新的一层，同时在晶体内部留下空位，特征是正负离子空位成比例出现。非化学计量缺陷：是指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。电荷缺陷：是指质点排列的周期性未受到破坏，但因电子或空穴的产生，使周期性势场发生畸变所产生的缺陷。辐照缺陷：指材料在辐照下所产

5、生的结构的不完整性。位错：晶体已滑移部分和未滑移部分的交线。混合位错：晶体内部已滑移和未滑移部分的交线既不垂直也不平行滑移方向的位错。晶界：不同取向的晶粒之间的界面。堆垛层错：是指正常堆垛顺序中引入不正常顺序堆垛的原子面而产生的一类面缺陷。固溶体：将外来组元引入晶体，占据基质晶体质点位置或间隙位置的一部分，仍保持一个晶相，这种晶体称为固溶体。置换型固溶体：溶质原子位于点阵结点上，替代了部分溶剂原子。间隙型固溶体：溶质原子位于点阵的间隙中。非化学计量化合物：正负离子比例不成固定比例关系的一些化合物。色

6、心：是由于电子补偿而引起的一种缺陷。熔体：特指加热到较高温度才能液化的物质的液体，即较高熔点物质的液体。熔融石英的分化过程：在氧化钠作用下，使架状{sio4}断裂的过程。缩聚：由分化过程产生的低聚合物不是一成不变的，它可以相互发生作用，形成级次较高的聚合物，同时释放出部分氧化钠，这个过程称为缩聚。桥氧、非桥氧：在硅酸盐熔体中，与两个si相连的氧称为桥氧，与一个si相连的氧称为非桥氧。粘度：是流体抵抗流动的量度。物理意义：指单位面积、单位速度梯度下两层液体间的内摩擦力。硼反常现象：这种由于硼离子配位数

7、变化引起性能曲线上出现转折的现象称为表面张力物理意义：作用于表面单位长度上与表面相切的力。表面能：在恒温恒压下增加一个单位表面积时所做的功。玻璃：由熔体过冷而形成的一种无定形固体。均态核化：如果熔体内部自发成核，称为~。非均态核化：如果是由表面、界面效应，杂质或引入晶核剂等各种因素支配的成核过程，称为~。根据单键能的大小，可将氧化物分为三类：（1）玻璃网络形成体：其单键强度大于335kj/mol，这类氧化物能单独形成玻璃。（2）网络改变体：单键强度小于250，这类氧化物不能形成玻璃，但能改变网络结构

8、，从而使玻璃性质改变。（3）网络中间体：其单键强度介于250~335，这类氧化物的作用介于玻璃形成体和网络改变体之间。界面：相邻两个结晶空间的交界面。物体表面：晶体三维周期结构和真空之间的过渡区域润湿现象分为：沾湿、浸湿、铺展。接触角小于90，可润湿，大于90，不可润湿扬德方程：粘附功：指把单位粘附界面拉开所需的功。相：系统中具有相同物理与化学性质的完全均匀部分的总和称为相。组元：系统中每一个能单独分离出来并能独立存在的化学纯物质称为组元。独立组元：足以表示形成平衡系