材料分析方法(自总结)

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1、第—章IX射线波谱连续X射线谱：强度随波长连续变化的谱线称为连续X射线谱。h（、连续X射线谱实验规律（Z=KxiZU几湖=—,〃=KZin：eb（1）当提高管电压时，各波长X射线的强度都升高，短波限和强度最大值对应的波长减小。（2）当保持管电压一定，提高管电流，胳膊长X射线的强度一致提高，但短波限和强度最大值对应波长不变。（3）在相同的管电压和管电流下，阳极靶材原子序数Z越高，连续谱强度越大，但短波限和强度授大值对应波长不变。连续谱形成：大量电子多次碰掠靶材消耗能量，每碰撞一次产牛一个光量子，且能量均小于短波限，

2、产生了连续的不同波长的辐射，构成连续谱。特征X射线谱:在连续谱某些特左波长位置出现一系列强度很高、波长范围很窄的线状光谱,其波长是阳极靶材的特征，称为特征谱。莫塞来左律：£=K^Z-（7）,原了序数越人，对应于同一系的特征谱波长越短。特征X射线形成（A；）：电子冲击阳极靶使K层上电子变成口由电子，K层出现空位，原子处于K激发态，若L层电子跃迁到K层，原子转变为L激发态，并辐射出X射线光量子，此即为特征X射线。为了使/特//连尽对能高，管电压〃=（3〜5）UkO2X射线透射系数和吸收系数为透射系数;5为线吸收系数，x射

3、线通过单位厚度物质的相对衰减量；5为质量吸收系数，X射线通过单位而积上单位质量物质后强度的相对■衰减量。质量吸收系数“炉«,原子序数越大，对X射线吸收能力越强;对一定的吸收体（Z）,X射线波长越短，穿透能力越强。吸收限：随波长的降低，“加非连续变化，而是在某些波长位置突然升高，对应的波长即为吸收限。吸收谱：带有特征吸收限的吸收系数Illi线。3吸收系数突变现象解释光电效应：原子被入射辐射店里的现象。当入射光量子能量等于或略大于吸收体原子某壳层电子结合能，此光量子被电子吸收，溢出内层成为口由电子，即光电子，此效应消耗大

4、量入射能量，表现为吸收系数突增。（即吸收限是由于入射光蜃了使内层电了电离消耗人蜃能量而导致吸收系数突增产生。）4X射线吸收谱和特征谱关系：几V%V观（人‘是吸收谱，久和％是特征谱）5荧光辐射：山入射X射线所激发出來的特征X射线称为荧光辐射。俄歇效应：原子中一个K层电子被入射光量子电离后，L层一个电子跃迁至K层补位，多余的能量不以辐射X量了释放，而是使L层另一个电了电离，这样的一个K层空位被两个L层空位代替的过程称为俄歇效应，跃出的L层电了称为俄欢电了。（其能量也是吸收体元索的特征）荧光效应用于重元素（Z>20）成分分

5、析，俄歇效应用于表层轻元素分析。6元素吸收谱的应用（1）选择滤波片：波长在吸收限左近邻是被滤波片人量吸收的射线，波长在吸收限右近邻是被很少量吸收的射线。故滤波片选择原则是：滤波片吸收限小于被大量吸收射线的波长,大于被很少量吸收射线的波长，如兄心v血,V&心。-•般滤波片元索原子序数比靶元素原子序数小2~2。（2）选择靶材：'‘左远离右靠近”原则。即靶材的特征X射线波长应位于试样吸收限右近邻或左而远离的低血处。7相干散射：电了辐射出与原X射线波长相同的辐射。（可以发生衍射，川于形成衍射花样）不相干散射：电子辐射出波长比

6、原X射线波长长的辐射。（不可以发牛衍射，作为背底）电子散射因数原子散射因数:一个原了中所冇电了相干散射波的合成振幅与一个电了相干散射波的振幅Z比。物理意义：反映了原子将X射线向某一个方向散射时的散射效率。元素原子序数越人，原子散射因数越大。衍射：电子散射线干涉的总结果称为衍射。第二章8布拉格方程应用结构分析：已知波长的X射线照射位置结构晶体，由测出的衍射角町求得晶面间距d。X射线光谱学：用已知血•间距晶体来反射待测样品发射出来的X射线，由测出的衍射角可求得X射线波长。电子探针：由待测样品发射出的X射线波长nJ确定试样

7、的组成元素。（莫塞来定律）9爱瓦尔德图解法：被照晶体对应其倒易点阵，入射线对应反射球，反射球面通过倒易原点，凡倒易点落在反射球面上的干涉面均可能发牛衍射。10单晶体衍射花样：规则排列的衍射斑点。多晶体衍射花样：同心圆形衍射环。11X射线衍射方法：劳埃法、周转品体法、粉末法。粉末法：试样可以为粉末状和块状。第三章12结构振幅：一•个单胞的和T•散射波振幅与-•个电子的相干散射波振幅的比值。反映单胞的散射能力。结构因数：结构振幅的模平方。爲2=Ef.cos2tiIHXj+KYj+ZZy)]2+〔£fisin2式HX)+K

8、Yj+LZj=八i表征了单胞的衍射强度，反映了单胞屮原子种类（/））、原子数目（n）及原子位置（X,Y,Z）对（HKL）晶面衍射强度的影响。与晶胞形状大小无关。13几种点阵消光规律同类原子组成的点阵：（1）简单点阵：结构因数与HKL无关，任意整数的HKL均能产生衍射。（2）体心点阵：①H+K+U奇数时，该种晶面的散射强度为0,不能出现眼射线。