电大《光伏检测与分析》形考作业任务01-04网考试题及答案

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1、最新电大《光伏检测与分析》形考作业任务01-04网考试题及答案100%通过考试说明：《光伏检测与分析》形考共冇4个任务。任务1至任务4是客观题，任务1至任务4需在考试中多次抽取试卷，直到出现01任务_0001、02任务_0001、03任务_0001、04任务_0001试卷，就町以按照该套试卷答案答题。做考题时，利用本文档中的查找工具，把考题中的关键字输到查找工具的査找内容框内，就可迅速查找到该题答案。本文库还有其他教学考一体化答案，敬请查看。01任务01任务_0001一、单项选择题（共10道试题，共20分。）1.缓冲剂一般是（）。A.强酸强碱B.弱酸弱碱C.弱酸D.弱碱2.一般认为利用金属・

2、半导体的点接触整流原理来测量导电类型的方法适用于室温电阻率在（）的硅单晶oA.小于1000Q•cmB・1〜1000Q*cmC.大于1000Q・cmD.以上皆不是3.冃前国内外广泛采用（）测量半导体硅单晶电阻率。A.两探针法B.四探针法C.扩展电阻法D.范德堡法4.用冷热探笔法测量（）半导体时，冷端带正电，热端带负电。A.P型B.N型C.PN型D.以上皆不是5.半导体器件厂就是用一定型号的（）来生产出所需要的半导体元件。A.单晶B.多晶C.非晶D.以上皆不是6.漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷（）。A.大B.小C.一样大小D.未知7.（）是半导体小最主要的缺陷，它属于线缺陷。A.空位B.位错C.层错D

3、.杂质沉淀8.（）是最简单的点缺陷。A.空位B.填隙原了C.络合体D.外来原子9.三探针法属于利用半导体的（）來测量导电类型的方法。A.温差电效应B.整流效应C.以上二种皆可D.以上二种皆不可1.（）是影响硅器件的成站率的一个重要因索，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。A.点缺陷B.线缺陷C.面缺陷D.微缺陷二、多项选择题（共10道试题，共30分。）1.国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（）。A.冷热探笔法B.三探针法C.单探针点接触整流法D.冷探笔法2.半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有（）。A.星形结构B.杂质析出C.系属结构D.点缺陷3.高频光电导衰退法的优点主要有（）

4、。A.样品无需切割成一定的几何形状B.测量时不必制作欧姆电极C.样品较少受到污染D.应用广泛4.陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）。A.使整个样品加底光照B.加底光照后用氤灯闪光进行照射C.将硅单晶加热到50〜70°CD.将硅单晶加热到60〜80C5.半导体中非平衡少了载流了寿命的大小对半导体器件的（）有直接影响。A.太阳能电池的光电转换效率B.晶体管的放大倍数C.开关管的开关时间D.太阳能电池的填充因了6.半导体硅的常用腐蚀剂主要有（）。A.Sirtl腐蚀液B.Dash腐蚀液C.Wright腐蚀液D.Shimmel腐蚀液7.宜流光电导衰退法的缺点主要有（）。A.对样品有几何形状

5、和几何尺寸的要求B.要求制备符合一定要求的欧姆接触C.测量下限较高D.仪器线路比较复杂&高频光电导衰退法的缺点主要有（）。A.仪器线路比较复杂B.干扰比较大C.测试方法比较简单D.依靠电容耦合9.半导体品体缺陷中的微观缺陷主要有（）。A.点缺陷B.位错C.层错D.杂质沉淀10.稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有（）OA.光电导衰退法B.扩散长度法C.光磁法D.光脉冲法三、判断题(共10道试题，共20分。)1.漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷大得多，而数量上少两个数虽级。A.错谋B.正确2.半导体的陷阱中心数量是变化的。A.错误B.正确3.硅单晶在不同腐蚀液屮,P型硅的电极电位比N型硅的

6、高。A.错误B.正确4.用冷热探笔法测最N型半导体时，冷端带负电，热端带正电。A.错误B.正确5.腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最人。A.错误B.正确6.测量半导体硅单晶导电类型时，通常要对表面进行喷砂处理或进行研磨处理。A.错误B.正确用冷热探笔法测量半导体硅单品导电类型时，热探笔的温度要适当，以40〜50°C为宜。A.错误B.正确&被腐蚀的半导体电极电位低的是负极，电极电位高的是正极，正级被腐蚀溶解。A.错误R.正确9.半导体体内的缺陷可用金相显微镜进行观察和计数。A.错误B.正确10.当半导体内注入了非平衡载流子后，一方面依靠体内的杂质和缺陷作为复合小心，另一方面依靠表面能级作为复合中心。

7、A.错课B.正确四、连线题(共10道试题，共30分。)1.将下列不同电阻率的测赧电流范

8、韦

9、一一对应。(1)样品电阻率>1000(2)样品电阻率30〜1000(3)样品电阻率1〜30(1)C(2)B(3)A2.A.样品电流V1B.样品电流VO.1C.<0.01将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一--对应。(1)HCLA.冰醋酸(2)IIAcB.36%(3)H202C.30%(1)B(2)A(3)C3.将