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《自学考试-电子技术基础自考题模拟3》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、电子技术基础自考题模拟3一、单项选择题（在每小题列出的四个备选项屮只有一个是符合题目要求的。）K在木征半导体中，通过木征激发所产生的载流了是（）A.只有电子B.只有空穴C.电子-空穴对D.以上答案都不对2、要得到P型杂质半导体，应在本征半导体硅或错的晶体中掺入少量的（）A.三价元素B.四价元索C•五价元素D.六价元素3、空穴为少子的半导体称为（）A.P型半导体B.N型半导体C.纯净半导体D.金属导体则输出电压U°幅值最大的4、下列各电路屮，集成运放的最大输出电压为±12V,设un=lV,ui2=2V,是
2、（）60kQA.—t>coA+1—B.Uiio-l30kQUi2P—IIRiC.30kQO~~OJnFNil5、将方波变换为三角波的电路是（）A.微分运算电路B.积分运算电路C・减法运算电路D.加法运算电路6、品体三极管工作在饱和区时，发射结、集电结的偏置是（）A・发射结正向偏置，集电结反向偏置B.发射结正向偏置，集电结正向偏置C.发射结反向偏置，集电结反向偏置D.发射结反向偏置，集电结正向偏置7、下图电路为单相桥式全波整流电路。如果电路中的二极管VQ被击穿，导致的结果为（A・仍为全波整流B.造成电源
3、短路C.VD】随Z击穿D.变成半波整流8、n个变量可构成（）个最小项。A.nB.2nC.2nD・2n-l9、对于二进制数、八进制数、十进制数和十六进制数而言，它们各自整数部分最低位位权值的大小关系应为（）A.二进制最小B.十六进制最大C・各种进制均相等D.没有必然的大小关系10.三态门电路如图所示，其输出函数卩为（）—&—VYENA.ABb.CDC.高阻态D.低阻态ik已知逻辑函数F=ABC+CD,下列选项中肯定能使f=o的条件是（A.A=0,BC=1B・B=l,C=1C.C=l,D=0D.BC=1,D
4、=1丄2、对于边沿JK触发器，当J=0,K=0时，触发器的次态为（）A・Qn+i=°B・Qn+1=lC・Qn+1=QD・Qx］状态不定13、T触发器的特性方程为（A.Q『r+1=TQ界十TQrjC.Q.+i=TQ；+TQflBQri十］=TQ“-DQW41=TQrJ14、TTL集电极开路门构成的电路如图所示，其输岀函数尺为（）B.F=ABC+D：D.F=ABCDEA.F=AEC十DEQF-ABC*DE15＞利用555定时器不能直接实现（）A.多谐振荡器B・脉冲整形C.正弦波振荡器D.脉冲展宽二、填空题1
5、6.电子电路中，稳压管工作于区。17.的输出特:性曲线分成放大区、截止区、饱和区三个区。18.为了提高放大电路的输入电阻和输岀电压的稳定度，放大电路宜采用的反馈为o19.时序逻辑电路按其不同的状态改变形式，可以分为同步时序逻辑电路和时序逻辑电路两种。前者设置统一的脉冲，后者不设置统一的脉冲。20、正弦波振荡器的振荡条件冇幅值平衡条件和两个。21、八进制数（27・2九对应的二进制数为22、正逻辑的与非门就是负逻辑的门。23、函数F=AB+ABC+AC+ADE的最简与或式为三、分析计算题25、放大电路女口图
6、所示，已知Rm=300kQ,Rc=3kQ,RL=3kQ,0=50,Ucc=12Vo要求:(1)估算放大电路的静态工作点；(2)画岀微变等效电路；26、差动放大电路如图所示,设rbel=rbe2=lkQ,Rci=RC2=10kQ,RB1=RB2=2kQ,RE=5.1kQ,Rw=2kQ,的读数为12V,二极管VD为理想元件。27、在下图所示电路中，己知负载电阻Rl=100Q,电压表设电流表内阻为零，电压表内阻为无穷大，试求:(1)直流安培表的读数;(2)交流伏特表J』的读数;28、分析卜•图所示电路的逻辑功
7、能。要求:(1)写出电路的驱动方程；(2)写岀电路的状态方程；29、电路如图所示，分析电路的逻辑功能，试写出逻辑函数表达式并化简，然后指出其逻辑功能。F四、设计题30、画出实现u°=-5U］运算的电路，设Rp=200kQo31、在下图所示的各触发器中，设初态为、'0〃，画出在连续4个时钟脉冲作用下，各触发器输出端Q的工作波形。（触发器的初态为、'0〃）Qi■ID—<>ClQ、IK32、设ABC表示三位二进制数N,若N为奇数＞1.大于2吋输出F为T〃，否则F为''0〃。试用最少的与非门实现该逻辑电路。要求
8、列出真值表，写出最简输出逻辑函数表达式并画出逻辑图。答案：一、单项选择题C［解析］本题主要考查的知识点为本征激发。［要点透析］本征激发是指在本征半导体内由温度等因素引起的共价键屮的束缚电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空穴的过程。在本征激发屮，电子和空穴总是成对出现的。2^A［解析］木题主要考查的知识点为P型朵质半导体的形成。［要点透析］掺入三价杂质元素，可造成半导体内空穴数量急剧增加，这种类型的杂质半导体称为P型杂质
