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1、第一章外延思考题1.外延是2.名词解释：同质结外延，异质结外延正外延，反外延SOS,SOI结构软误差，3.埋层外延中的图形漂移与滑移原因及解决办法。4.分析外延中的自掺杂效应，讨论解决办法。5.分析外延屮的可能产生的几种缺陷，讨论解决办法。6.总结影响外延生长速率的儿种因素，如何提高外延层质量。7.根据两种硅气相外延的原理，比较两种硅气相外延的特点。8.外延技术在双极及MOS电路的主要用途第二章氧化工艺10001.根据硅和二氧化硅的密度和分子量，说明生长厚度为X。的氧化层，计算要消耗厚度为—X。的硅层，二氧化硅的密
2、度川2.27g/cn?,硅的密度川2.33g/cn?,硅的原子量为28,氧的原子量为16o选择题10002.氧化层厚度和氧化时间的关系式为W化简，当氧化时间很矩2制A2/4B丿时,即(r+r)«A2/4B,则X()=A.—(f+r)B.+CC.—(r+r)D.2jB(/+r)4A/I10004.氧化层厚度和氧化时间的关系式为Xo=-J1+"_1,当氧化时间很短时，即2IVA~/4B丿(r+r)«A2/4B,它属于()A.表而反应控制B.扩散控制10006在温度相同的悄况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和
3、水汽氧化，哪个需要的时间最长？()A.干氧B.湿氧C.水汽氧化1000&二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些1.杂质在硅屮的扩散系数人于在二氧化硅中的扩散系数2.杂质在硅屮的扩散系数小于在二氧化硅屮的扩散系数3.二氧化硅的厚度人于杂质在二氧化硅小的扩散深度4.二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A.2,4B.1,3C.1,4D.2,310010.半导体器件牛产屮所制备的二氧化硅薄膜属于()A.结晶形二氧化硅B.无定形二氧化硅10011.二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用冇：()1.对杂质
4、的掩蔽作用2.対器件表血的保护和钝化作用1.川于器件的电绝缘和电隔离2.作为电容器的介质材料3.作为MOS场效应晶体管的绝缘栅材料A.1,2B.1,2,3C.1,2,4,5D」,2,3,4,510012.扩散系数与下列哪些因素一定成增函数关系（）1杂质的浓度梯度2温度3扩散过程的激活能4杂质的迁移率A.1,2B.2,3C.2,4D.1,410013.硅平面制造工艺的硼、磷扩散都属于A.代位式扩散B.间隙式扩散填空题：20001.在硅■二氧化硅系统屮存在电荷、可动电荷、界面态电荷和氧化层陷阱电荷。20006.温度是影
5、响氧化速率的一个重要因素，温度越高，氧化速率越（人/小）。2000&在一定的氧化条件下，通过改变氧化剂分压可以改变氧化层生长速率，氧化剂分压越—（人/小），生长速率越慢。20016.清洗硅片所用的化学试剂、去离子水和生产工具、操作者的汗液及呼出的气体等是氧化层中的_离子的来源。20017.在用干涉法测呆氧化层厚度时，光的波长为5400A,暗条纹数为6条，则氧化层厚度为A.30001.某MOS管在1100°C下，用干氧制备栅氧化膜，时间为30min,A=0.09/mu,B=4.5X1O'4/jm2/min,T=4.5
6、6min,ir©-所生成的栅氧化层厚度“加.（保留两位有效数字）30002.氧化温度为12（）（）°C,耍求氧化层厚度为50（）nm,K求湿氧冰温95°C）需要—min（只保帘整数），已知A=（）.O5“w,B=1.2XIO-2/.on2/min,r=0。30003.氧化温度为I2OO°C,要求氧化层厚度为500nm,试求T氧需要—min（只保留整数），己知干氧A=0.04pm,B=7.5X1O'4“m2/min,r=1.62min。30004.氧化温度为1200°C,要求氧化层厚度为500nm,试求水汽氧化需要—
7、min（只保留整数），已知干氧A=0.017“加，B=1.457XIO'4pm2/min,T=0。30005.氧化温度为1100°C,先T氧lOmin,再湿氧40min（T；k=95°C）,再干氧lOmin,求总的氧化层厚度—叫（答案保留两位有效数字）己知：干氧A=0.09jLon,B=4.5X1O'4/Lan2/min,t=4.56min。湿氧A=0.11pm,B=0.85X1O'2pm2/min,T=0min<>30006.己知3DK3开关管硼预淀积的温度为950°C,淀积时间共11分钟;硼再分布温度为I18O
8、°C,时间共40分钟。在扩散过程中，对硼起掩蔽作用所需最小SiO2层厚度为（）Ao（只保留整数）（预淀积扩散系数为10"厘米2/秒，1180°C下，扩散系数为4X10*15厘米2/秒）3OOO7.3DK3开关管，基区硼扩散温度为1180°C,（硼的扩散系数为4X10以厘米?/秒），吋间为40分钟，发射区磷扩散温度为1050°C（硼的扩散系数为3X10,6）M
