材料物理题库

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1、一、单选题）1、点缺陷的浓度增加不会引起下列哪些物理量的变化？（）A、电阻B、体积C、扩散系数D、熔点答案：D2、下列不同处理方式对材料力学性能强化作用正确的是。（）A、淬火〉退火〉冷加工B、冷加工＞退火〉淬火C、淬火〉冷加工〉退火D、冷加工〉淬火〉退火答案：C二、判断题1、位错只是一种理论模型，并没有实际观察到。（）答案：错2、两相晶格错配度大于0.25的相界面称为非共格相界。（）答案：对3、晶体化学缺陷从热力学角度看无法彻底消除。（）答案：错4、任何金属在熔点附近的原子空位形成能都处于同一数量级。（）答案：对5、晶体的强度取决于塑性变形的阻抗，塑性变形的

2、阻抗取决于位错运动的难易程度。（）答案：对6、点缺陷是晶体热平衡状态下唯一的点阵缺陷。（）答案：对三、名词解释1、晶体缺陷：答案：晶体中偏离理想结构的区域。2、共格界面：答案：界面上的原子为界面两侧原子共有。3、表面弛豫：答案：表面原子或离子仍保持原晶胞的结构，但原子间距发生改变的现象。4、刃型位错：答案：柏氏矢量与位错线垂直的位错。5、线缺陷：答案：指在两个方向上的尺寸都很小，而另一个方向相对很长的点阵缺陷，也称一维缺陷。6、点阵缺陷：答案：指原子排列处于儿何上的混乱状态，而与构成晶体的元素无关的缺陷。7、点缺陷：答案：指在x,y,z方向的尺寸都很小（相当

3、于原子尺寸）的点阵缺陷，也称零维缺陷。8、螺型位错：答案：柏氏矢量与位错线平行的位错。9、柏氏矢量：答案：以符号b表示，代表的是晶体局部错动的大小和方向。10、位错：答案：晶体小数列原子发生有规律的错排。11、李晶:答案：两部分晶体沿一定的晶面呈对称关系。12、化学缺陷:答案：由局部的成分与基体不同导致的缺陷。13、晶界：答案：取向不同的两晶体之界血。14^辐照损伤：答案：用高能粒子照射材料，在材料中导入大量空位和间隙原子，引起材料损伤。15、非共格界面：答案：如果界面两侧的原子分属不同点阵，则称该界面为非共格界面。16＞表面重构：答案：表面数层原子排列做较

4、大的范围的调整，使其平移对称性发生明显的改变的现象。四、填空题1、位错攀移需要在热激活条件下进行，只有（答案：刃型2、单位体积内位错线的总长度称为（答案：位错密度3、只有几何混乱的表面称为（答案：洁净表面4、小角度的扭转晶界对以看作由（答案：两组5、自扩散激活能可以分为空位形成能和（答案：原子迁移能6、西蒙斯■巴卢菲法测定空位平衡浓度是通过（的。答案：晶格伸长率五、简答题））位错可以进行攀移。）。）。）螺型位错的交叉网络构成。）。）和宏观伸长率计算得到1、试比较弗伦克尔和肖特基缺陷的特点。答案：弗兰克尔缺陷，其形成是由于点阵中某原子迁移到晶体内的其他位置，在

5、形成空位的同吋形成一个间隙原子。肖脱基缺陷的形成是由于点阵中某原子迁移至表面、晶界等处形成空位。比较可知，在弗兰克尔缺陷中，空位和间隙原子时成对出现的，而在肖脱基缺陷中只岀现空位。2、晶界的特性有哪些。答案：答：①晶界处原子排列不规则，表现出高强度。②晶界处熔点比较低。③晶界处能量比较高，相变形核往往从晶界处开始。④晶界处原子处于不稳定状态，腐蚀速度较快。⑤由于界面能存在，品界处容易形成偏析。3、点缺陷对性能有什么影响？答案：（1）空位浓度升高，导体的电阻升高，扩散容易。（2）空位引起体积增加、密度减小。（3）辐照损伤，即用电子、屮字、质子、a粒子等高能粒子

6、照射材料，在材料屮导入大量空位和间隙原子，引起材料损伤。4、薄膜的晶态结构与体材料有区别吗？如果有，是怎样的区别？答案：多数情况下薄膜中品粒的晶体结构与体材料相同，但英晶格常数有变化。晶格常数变化原因是薄膜中有较大的内应力和表面张力。晶粒越小，点阵常数变化越大。由于微晶熔点总比块材低，因此薄膜熔点一般也比块材低。5、比较刃型位错、螺型位错、和混合型位错的滑移异同。答案：相同点：不论是何种位错，位错的滑移方向都是位错的法线方向，滑移的结果都是在晶体表面形成宽度为b的台阶。不同点：（1）刃型位错的柏氏矢量总是和位错线垂直；（2）螺型位错的柏氏模量总是和位错线平行

7、的；（3）混合型位错的柏氏模量与位错线既不垂直也不平行。6、空位形成浓度用什么方法测定？答案：方法：（1）西蒙斯一巴卢菲法；（2）正电子湮没法；（3）急冷试验。