材料工程专业翻译

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1、小角度晶界:小角度晶界是一种位错列阵即在相邻的晶体间产生的小的取向差。因为小角度晶界的表面能小于规整晶界的表面能。小角度晶界在阻止晶界滑移没有那么有效。刃型位错形成的小角度晶界称为倾斜晶界,螺旋位错形成的小角度晶界称为扭转晶界。图片4-19:小角度晶界是由位错列阵产生的,它是由于任何一个边界中的晶格之间错配角9而形成的。堆垛层错:产生于面心立方金属晶体中的堆垛层错,代表了密堆积平面的堆积顺序的差错。一般来说,在完全面心立方晶体中产生的堆积顺序是ABCABCABC,但是假设有以下堆积序列产生,ABCABABCABC,在这一部分序列中显示出,A类平面通常都会取代位于C类平面的位置,在这个

2、有着密排六方堆积序列而不是面心立方堆积序列的小部位,代表了一个堆垛层错。堆垛层错会阻止滑移过程。双晶晶界:双晶晶界是一个穿过晶体结构中的特殊镜像错位形成的平面,当剪切力持续作用在双晶晶界上引起原子转移时就会产生李晶。双晶形成发生在一些特定金属变形或者热处理的过程中。双晶晶界可以阻止金属材料的滑移过程和增加金属材料的强度。双晶晶界的移动也叮以引起金属的变形。图片4-20展示了一个双品的形成已经改变了金属材料的形状。双晶形成也可以发生在某些陶瓷材料例如单斜氧化鉛和硅酸二钙。表面缺陷在阻止滑移过程中的效果可以从表面能数据中进行判断。高能量的晶界在阻碍位错方面比堆垛层错或双晶晶界更有效果。畴

3、界:铁电体是一种可以自发的生长并且可以发生可逆电介质极化的材料(例如PZT或者BaTi03)o以一种相似的方式发生磁化的材料是铁磁体(例如铁,钻,W)或亚铁磁体。(例如Fe304和其他磁性铁氧体)。这些电学性或磁性材料包含磁区。一个磁区是材料磁化作用和电介质极化的方向保持不变的一个小区域。在这些材料屮,许多小磁区形成以便为了使材料的整体自由能最小化。图片4-21展示了四方铁电钛酸做为例的磁区。磁区的存在会影响许多电了材料和磁性材料中的介电性能和磁性性能。在之后的章节中我们会讨论到这些材料。章节4:原子和离子排列中的缺陷。图片4-20:应力作用在一个完全晶体(a)上可能会导致原子位移,

4、从而引起双晶形成如(b)图,注意此时晶体已经变形成为双晶。(c)图为在一个黄铜颗粒中的双晶的显微照片(放大250倍)。表格4-3所选择金属的面缺陷能面缺陷能铝铜钳铁堆垛层错2007595—双晶晶界12045195190晶粒交界面6256451000780图片4-21:铁电材料钛酸顿中的磁区(由Dr.r.r提供)。铁磁体和亚铁磁体中岀现的相似的磁区结构。4-9缺陷的重要性大范围缺陷和点缺陷在影响工程材料的机械性能,电学性能,光学性能和磁性能方面起到了重要作用。在这个方面,我们概括为缺陷对材料性能的重要性,但在金属材料领域我们强调位错对其性能的影响是最重要的。通过控制滑移过程对材料机械性

5、能的影响:

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